1.一种像素结构，其特征在于，包括共用数据线、分别设于所述共用数据线两侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管、与所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接的第一补偿层和与所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接的第二补偿层；所述第一薄膜晶体管的漏极靠近所述第一补偿层一端的设计端线与所述第一补偿层的设计端线交接；所述第二薄膜晶体管的漏极靠近所述第二补偿层一端的设计端线与所述第二补偿层的设计端线交接；所述第一薄膜晶体管的漏极靠近所述第一补偿层一端的线宽等于其靠近第一薄膜晶体管的栅极的一端的线宽的两倍，所述第二薄膜晶体管的漏极靠近所述第二补偿层一端的线宽等于其靠近第二薄膜晶体管的栅极的一端的线宽的两倍。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括与所述共用数据线交叉布置的第一栅极线和第二栅极线；所述第一薄膜晶体管的栅极连接至所述第一栅极线，所述第二薄膜晶体管的栅极连接至所述第二栅极线。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一补偿层的材质与所述栅极线的材质一致且位于同层。
4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第二补偿层的材质与所述栅极线的材质一致且位于同层。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的源极与所述共用数据线电性连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述共用数据线电性连接。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括与所述第一薄膜晶体管电性连接的第一像素电极和与所述第二薄膜晶体管电性连接的第二像素电极。