一种像素结构的制作方法

文档序号:16169220发布日期:2018-12-07 21:49阅读:来源:国知局
技术总结
本实用新型提供了一种像素结构,包括共用数据线、第一栅极线、第二栅极线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极和第二像素电极;第一薄膜晶体管和共用数据线及第一栅极线电性连接,第二薄膜晶体管与共用数据线及第二栅极线电性连接;第一像素电极与第一薄膜晶体管电性连接,第二像素电极与第二薄膜晶体管电性连接;第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极与第二像素电极均布置于所述共用数据线同一侧,且布置与第一栅极线和第二栅极线之间;所述第一像素电极与第二像素电极沿所第一栅极线或第二栅极线的延伸方向排列。本实用新型能够有效解决了共用数据线的像素结构中因制作误差形成的寄生电容不相等,引起显示异常的问题。

技术研发人员:于靖;庄崇营;李林
受保护的技术使用者:信利半导体有限公司
技术研发日:2018.06.14
技术公布日:2018.12.07

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