1.一种硅片选择性发射极对位结构，其特征在于：包括重度掺杂细栅线、重度掺杂mark点、主栅图形mark点和副栅图形mark点；所述的重度掺杂mark点设置于重度掺杂细栅线与硅片的四个边、角的交界处，并以硅片中心对称；所述的主栅图形mark点和副栅图形mark点的位置完全重合；通过重度掺杂mark点的坐标计算得出的重度掺杂图形的中心位置与通过主栅图形mark点的坐标计算得出的主栅图形的中心位置、通过副栅图形mark点的坐标计算得出的副栅图形的中心位置分别重合。
2.如权利要求1所述的硅片选择性发射极对位结构，其特征在于：所述的重度掺杂mark点的长度为1～2mm；宽度为1～2mm。
3.如权利要求1所述的硅片选择性发射极对位结构，其特征在于：所述的重度掺杂mark点设置于重度掺杂细栅线与硅片的四个边交界处呈“T”字型或“L”字型；重度掺杂mark点设置于重度掺杂细栅线与硅片的四个角交界处呈“L”字型。