技术总结
本实用新型涉及一种硅片选择性发射极对位结构，包括重度掺杂细栅线、重度掺杂mark点、主栅图形mark点和副栅图形mark点；重度掺杂mark点设置于重度掺杂细栅线与硅片的四个边、角的交界处，并以硅片中心对称；所述的主栅图形mark点和副栅图形mark点的位置完全重合；通过重度掺杂mark点的坐标计算得出的重度掺杂图形的中心位置与通过主栅图形mark点的坐标计算得出的主栅图形的中心位置、通过副栅图形mark点的坐标计算得出的副栅图形的中心位置分别重合。本实用新型解决了分步印刷方式的对位问题，使得在分步印刷的模式下，电极图形能够完全印刷在重度掺杂的结构上，同时主栅和细栅之间完全搭接，不发生偏移。
技术研发人员：刘斌;黄辉巍;薛伟;陆晓慧;黄柳柳
受保护的技术使用者：江苏顺风新能源科技有限公司
技术研发日：2018.10.09
技术公布日：2019.06.11