晶圆处理设备的制作方法

本实用新型涉及半导体生产制造技术领域，特别涉及一种晶圆处理设备。

背景技术：

随着器件关键尺寸的缩小，对晶圆表面玷污的控制变得越来越关键。如果在生产过程中引入了微尘颗粒等污染源，就可能引起电路的开路或断路，因而在半导体工艺制造中，如何避免在工艺制造中的污染是必须要关注的问题。随着生产中晶圆处理设备自动化程度的提高，人员与产品的交互变少，防止生产中带来微尘颗粒的重点已更多地放到了晶圆处理设备所产生的微尘颗粒上面，例如设备腔室内壁(包括载片台等表面)上积累的沉积物随着该设备的持续使用时间或使用次数的增加而变厚，当累积的沉积物厚到一定程度时，会受外力或自身重力影响而脱落产生微尘颗粒，这些微尘颗粒掉落在晶圆表面可能使元件失效。为此，在生产过程中，常需要对晶圆处理设备的腔室内壁及其他部件进行清洁，去除积累的沉积物，以防止因其脱落而导致的晶圆玷污。但高频率地进行腔室清理又会导致产能降低和设备使用寿命变短的问题。

此外，在各种晶圆处理设备中，薄膜沉积设备的微尘颗粒污染问题是关注的重点之一，请参考图1A和图1B，这类机台通常包括腔体(chamber)11以及用于控制所述腔体11与外界通断的闸门12，所述闸门12的开启和关闭受控于一阀机构20(例如是直进式开闭动作的阀机构gate valve)，且该阀机构20的原厂开、关闸门11的速度不可调，即阀机构20使得闸门12的原厂开关速度不可调。在进行薄膜气相沉积工艺时，会通过阀机构20打开闸门11，将晶圆30装入腔体中的载片台10上，再通过阀机构20关闭闸门11以关断腔体与外界的连结，形成真空腔体，之后，利用能量系统(未图示)对腔体引入反应所需的能量(如利用加热系统对沉积室进行加热)，并向腔体内通入气态的含有形成薄膜所需的原子或分子的化学气体，该化学气体在腔体内混合并发生反应，最终在晶圆30表面聚集形成希望形成的固态薄膜和气态产物，待沉积的薄膜达到所需厚度后，连通腔体和系统的排气系统，以将腔体内的气态产物排出，并使得腔体破真空，再通过阀机构20开启闸门11以打开腔体，进而取出晶圆30。在这一薄膜沉积过程中，除了在晶圆30表面形成薄膜外，必然也会在包括载片台10上表面在内的沉积室内壁表面上积累沉积物40。因此，在所述腔体的沉积时间较长或使用次数较多时，腔体内壁表面上积累的沉积物40会变得很厚，易发生脱落而产生微尘颗粒40a，在阀机构20开关闸门11速度过快的情况下，容易对腔体造成较大的冲击力，微尘颗粒40a受到该冲击外力的影响会容易掉落或扬起，进而附着到晶圆30表面上，造成晶圆30表面玷污和缺陷，最终降低产品的成品率。

目前，如何减少薄膜沉积设备等晶圆处理设备中的微尘颗粒污染已经成为半导体制造领域中关注的重点问题之一。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种晶圆处理设备，能够延长原厂开关闸门的速度不可调的阀机构开启腔体上的闸门的开启时间和/或关闭所述闸门的关闭时间，以降低晶圆表面微尘颗粒的附着，进而提高产品良率，降低机台清理频率和生产成本。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶圆处理设备，包括：

用于放置晶圆的腔体，所述腔体的侧壁上设有能够被开启和被关闭的闸门；

设置在所述腔体一侧上且原厂开关闸门的速度不可调的阀机构，所述阀机构包括气缸、设置在所述气缸内的阀膜、与所述阀膜连接的气动连杆以及与所述气缸连通的多个通气口，所述气动连杆连接所述闸门，用于开启和关闭所述闸门；以及，

设置在所述阀机构的至少一个所述通气口处的延迟控制装置，所述延迟控制装置用于控制所述通气口的进气或出气的快慢，以阀机构延长所述阀机构开启所述闸门的开启时间和/或延长所述阀机构关闭所述闸门的关闭时间。

可选地，所述延迟控制装置为开关速度可调的机械阀，所述机械阀为针型阀、截止阀、闸阀、旋塞阀、球阀或蝶阀。

可选地，所述延迟控制装置为电磁阀或具有传感器的电子阀。

可选地，所述延迟控制装置将所述阀机构开启所述闸门的开启时间和/或关闭所述闸门的关闭时间延长1s～10s。

可选地，所述阀机构还包括设置于所述气缸的外部的阀盖，所述阀盖的一端固定连接所述气动连杆伸出所述气缸外部的一端，所述阀盖的另一端固定连接所述闸门，所述阀盖升起时，所述闸门关闭所述腔体，所述延迟控制装置设置在用于出气的所述通气口处，以延长所述阀盖升起的时间，进而延长所述阀机构关闭所述闸门的关闭时间。

可选地，所述晶圆处理设备为薄膜沉积设备、刻蚀设备、光刻设备、离子注入设备或扩散炉设备。

可选地，所述腔体为反应室、传送室、清洗室、干燥室或冷却室。

本实用新型还提供一种晶圆处理方法，采用本实用新型所述的晶圆处理设备来对晶圆进行处理，并在需要通过原厂开关闸门的速度不可调的阀机构开启和/或关闭所述晶圆处理设备的腔体上的闸门时，通过所述晶圆处理设备中的所述延迟控制装置阀机构延长所述阀机构开启所述闸门的开启时间和/或延长所述阀机构关闭所述闸门的关闭时间。

可选地，所述晶圆处理设备为薄膜沉积设备，在所述晶圆处理设备中向所述晶圆表面沉积薄膜且所述薄膜沉积完成后需要取出所述晶圆时，通过所述延迟控制装置延长所述薄膜沉积设备的所述阀机构开启所述闸门的开启时间；和/或，在所述晶圆处理设备中向所述晶圆表面沉积薄膜之前，通过所述延迟控制装置延长所述阀机构关闭所述闸门的关闭时间。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下有益效果：

1、能够通过延迟控制装置控制原厂开关闸门的速度不可调的阀机构的气缸的进气快慢(加压控制)或者泄气快慢(卸压控制)，即能够通过延迟控制装置控制所述阀机构开启腔体上的闸门的开启时间和/或关闭所述闸门的关闭时间，例如将所述闸门的关闭时间从0.8s延长至3s，以改善因闸门关闭太快对腔体造成较大冲击力而导致腔体内壁上的沉积物剥落的问题，降低晶圆表面微尘颗粒的附着，进而提高产品良率，降低机台清理频率和生产成本。

2、能够以较低的成本对原有的晶圆处理设备直接改进，以降低原有的晶圆处理设备产出的晶圆的表面微尘颗粒的附着，进而提高产品良率，降低机台清理频率和生产成本，适用于原厂无法控制其阀门开启和关闭腔体上的闸门的速度的各种晶圆处理机台，即腔体不仅包括反应室，还包括传送室、冷却室、清洗室、干燥室等。

附图说明

图1A是使用现有的薄膜沉积设备中打开闸门进行薄膜沉积时的设备结构示意图。

图1B是薄膜沉积完成后关闭闸门时的设备结构示意图。

图2是本实用新型一实施例的晶圆处理设备中的原厂开关闸门的速度不可调的阀机构和延迟控制装置的连接结构示意图。

图3是图2所示的阀机构打开闸门时的结构示意图(包括进出气方向)。

图4是图2所示的阀机构关闭闸门时的结构示意图(包括进出气方向)。

图5A是现有的薄膜沉积设备关闭闸门后检测的晶圆表面的微尘颗粒情况；

图5B是本实用新型具体实施例的薄膜沉积设备关闭闸门后检测的晶圆表面的微尘颗粒情况；

图6是本实用新型另一实施例的晶圆处理设备中的原厂开关闸门的速度不可调的阀机构和延迟控制装置的连接结构示意图。

其中，附图标记如下：

10-载片台；11-腔体；12-闸门；20-原厂开关闸门的速度不可调的阀机构；200-气缸；200a、200b-气室；201-阀膜；202-气动连杆；203-阀盖；204、205-通气口；30-晶圆；40-腔体内壁上的沉积物；40a-剥落的微尘颗粒；50、60-延迟控制装置。

具体实施方式

请参考图1A和图1B，实用新型人研究发现，造成薄膜沉积后的晶圆表面有微尘颗粒的原因主要是：在将待薄膜沉积的晶圆放入到腔体11中后，阀机构20关闭闸门12的关闭速度不可调且关闭太快。闸门12关闭太快，就会直接导致沉积室(即腔体)受到较大的冲击力，使得沉积室内壁和载片台10周围的沉积物40(即微尘颗粒40a)受到较大的外力冲击，易发生脱落和飞扬，进而落到晶圆30表面上，并附着在晶圆30表面上，进而造成晶圆30的表面缺陷。

本实用新型提供一种晶圆处理设备及晶圆处理方法，其核心思想在于，在原厂开关闸门的速度不可调的阀机构处增加一延迟控制装置，以降低所述阀机构开启腔体上的闸门的开启速度和/或关闭所述闸门的关闭速度，进而延长所述阀机构开启所述闸门的开启时间和/或关闭所述闸门的关闭时间，避免所述闸门的开关对腔体造成较大的冲击力，由此降低腔体内壁上的沉积物因受到较大的外力冲击而脱落和飞扬到晶圆表面上附着的问题，进而提高产品良率，还可以降低机台清理频率和生产成本。

为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本实用新型的技术方案作详细的说明，然而，本实用新型可以用不同的形式实现，不应只是局限在所述的实施例。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图2和图3，本实用新型一实施例提供一种晶圆处理设备，包括：用于放置晶圆的腔体11、原厂开关闸门的速度不可调的阀机构20以及一个延迟控制装置50。所述腔体11的侧壁(可以是底壁或顶壁或底壁和顶壁之间的侧壁)上具有能够被开启和被关闭的闸门12。所述闸门12可以直进式开闭动作的闸门或摇臂式开闭动作的闸门等。所述阀机构20设置在所述腔体的一侧，是能够产生闸门12的开闭动作的阀。本实施例中，所述阀机构20为能够产生直进式开闭动作的阀机构，包括气缸200、阀膜201、气动连杆202、阀盖203以及两个通气口204、205，且阀膜201横向设置，将所述气缸200分为上下两个气室200a、200b，通气口204设置在气室200b的一侧并与气室200b连通，通气口205设置在气室200a的一侧并与气室200a连通。所述阀盖203设置在气缸200外部，气动连杆202的一端固定连接阀膜201，另一端固定连接阀盖203，用于实现阀膜201和阀盖203之间的联动，阀盖203的另一端固定连接所述闸门12，用于带动所述闸门12进行开关。所述阀盖203升起时，关闭所述闸门12以关闭所述腔体11，所述阀盖203落下时，打开所述闸门12以打开所述腔体11。所述通气口204在阀机构20开启闸门12时用于进气，在阀机构20关闭闸阀时用于泄气(即出气)，所述通气口205在阀机构20开启闸门12时用于泄气(即出气)，在阀机构20关闭闸阀时用于进气，所述延迟控制装置50设置在所述通气口204上，并用于延长阀机构20关闭闸门12的关闭时间。其中，气动连杆202和闸门12之间设置阀盖203，有利于闸门12和阀机构20的维修和更换。当然，在本实用新型的其他实施例中，也可以省略阀盖203的设置，直接将闸门12连接到气动连杆202上。

当需要使用所述晶圆处理设备处理一晶圆时，需要先向腔体内放置晶圆，此时需要通过所述阀机构20来打开闸门12，以打开腔体11，请参考图3，此时，通气口204进气，通气口205出气(即排出空气)，且延迟控制装置50在此时可以不动作，即保持阀机构20开启闸门12的原有开启速度，通气口204进气使得气室200a中的气压增大，使得阀膜201带动气动连杆202向下移动，使得阀盖203落下，闸门12进入打开状态(即被开启)，使得腔体11与外界连通，晶圆得以被放入腔体11中。之后需要关闭腔体11，以形成能够在晶圆上沉积薄膜的真空环境，请参考图4，此时需要通气口205进气，通气口204出气(即排出空气)，此时延迟控制装置50动作，以减慢通气口204的出气速度(或称为泄气速度)，从而使得阀膜201缓慢向气室200a移动，阀膜201带动气动连杆202缓慢向上移动，使得阀盖203缓慢升起，闸门12被缓慢关闭，最终关闭腔体11，使得腔体11成为密闭空间，即在该过程中，延迟控制装置50减慢了阀机构20关闭闸门12的原有关闭速度，延长了闸门12的关闭时间，例如从原先的0.8s延长至1s～10s，从而使得闸门12与腔体11的开口接合的冲击力变小(甚至趋近于0)，腔体11内壁上原有的微尘颗粒不会因闸门12的关闭动作而受到较大冲击力，可以继续牢固的粘附在腔体壁上，即不会在闸门12的关闭过程中掉落或飞扬到晶圆表面上，因此可以降低晶圆表面缺陷。之后，通过连通腔体111的真空泵(未图示)抽气，使腔体11与外界之间形成一压差，所述压差范围为零至一大气压(1atm或760torr)，例如，当所述压差为一大气压时，所述腔体11为真空腔体。待晶圆上的薄膜沉积完成后，可以通过晶圆处理设备的排气系统(未图示)以及真空泵等装置，先使腔体11内的压强接近于外界大气压，然后可以再次通过阀机构20开启闸门12，进而打开腔体11以取出晶圆。

在本实用新型的其他实施例中，在所述阀机构20开启闸门12的过程中，也可以使得延迟控制装置50工作，以通过延迟控制装置50控制通气口204的进气速度降低，使得阀机构20开启闸门12的开启速度变慢，进而使得闸门12的开启时间延长，延长后的开启时间例如为1s～10s，从而可以避免因阀机构20开启太快而导致腔体11内壁上的微尘颗粒受到较大的冲击力的问题，进而改善腔体内壁上的微尘颗粒脱落和飞扬到放置到腔体11内的晶圆表面上的问题。

上述实施例中，延迟控制装置50可以仅用于延长阀机构20关闭闸门12的关闭时间，也可以既用于延长阀机构20开启闸门12的开启时间，又用于延长阀机构20关闭闸门12的关闭时间。在本实用新型的其他实施例中，延迟控制装置50可以仅用于延长阀机构20开启闸门12的开启时间。

可选地，所述延迟控制装置50为开关速度可调的机械阀，以降低成本，所述机械阀为针型阀、截止阀、闸阀、旋塞阀、球阀或蝶阀。所述延迟控制装置50还可以为电磁阀或具有传感器的电子阀，可以直接受控于晶圆处理设备本身的控制器，从而提高延长时间的控制精度以及晶圆处理设备的自动化程度。

本实施例的所述晶圆处理设备可以为薄膜沉积设备、刻蚀设备、光刻设备、离子注入设备或扩散炉设备，对应地，所述腔体可以为沉积室、刻蚀室、离子注入室、炉腔、曝光室等反应室，也可以是传送室、清洗室、干燥室或冷却室。其中，所述薄膜沉积设备例如是化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)设备或物理相沉积(physical vapor deposition，PVD)设备，化学气相沉积设备例如为等离子体辅助化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)设备或有机金属化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)设备，所述物理气相沉积设备例如是溅镀设备或蒸镀设备。

上述的晶圆处理设备，由于延长了阀机构20开启闸门12的开启时间和/或延长了阀机构20关闭闸门12的关闭时间，因此可以避免闸门12开启太快和/或关闭太快而导致腔体内壁上的微尘颗粒受到较大的冲击力的问题，能够改善腔体内壁上的微尘颗粒脱落和飞扬的问题,从而降低因腔体内壁上的微尘颗粒附着到晶圆表面而导致的晶圆表面缺陷，同时机台是否需要清理会受到晶圆处理设备出品的晶圆的表面缺陷情况影响，而本实用新型的晶圆处理设备降低了腔体内壁上的微尘颗粒导致的晶圆表面缺陷，因此本实用新型的晶圆处理设备的机台清理频率得到降低。本实用新型的晶圆处理设备可以适用于设备生产商在出厂晶圆处理设备前进行延迟控制装置组装的情况，还可以适用于在集成电路制造厂中原有的晶圆处理设备的基础上进行设备改进情况。

因此，对于设备生产商在出厂晶圆处理设备前进行延迟控制装置组装的情况，本实用新型提供一种基于组装有延迟控制装置的新晶圆处理设备的晶圆处理方法，所述晶圆处理方法，在需要通过原厂开关闸门的速度不可调的阀机构开启和/或关闭所述晶圆处理设备中的腔体上的闸门时，通过所述晶圆处理设备中的延迟控制装置延长阀机构开启所述闸门的开启时间和/或关闭所述闸门的关闭时间。

在本实用新型一实施例中，当所述晶圆处理设备为薄膜沉积设备时，所述晶圆处理方法为薄膜沉积方法，请参考图3和图4，具体包括以下步骤：

首先，通过所述晶圆处理设备的阀机构20(即原厂开关闸门的速度不可调)开启闸门12以打开腔体11，在开启闸门12的过程中，阀机构20的通气口204进气，通气口205出气(即排出空气)，气室200a和200b中气压的变化使得阀膜201带动气动连杆202向下移动，使得阀盖203落下，闸门12是以原厂的开启速度开启，最终完全打开，并使得腔体11与外界连通。

接着，将一晶圆放入所述腔体11中。

然后，通过所述阀机构20关闭所述闸门12，在关闭所述闸门12的过程中，阀机构20的通气口204泄气，通气口205进气(空气)，同时延迟控制装置50控制通气口204的泄气速度降低，气室200a和200b中气压的变化使得阀膜201带动气动连杆202向上移动，使得阀盖203抬起，闸门12进入关闭状态，使得腔体11与外界断开而成为密闭空间。由于通过延迟控制装置50降低了通气口204的泄气速度，因此减慢了阀膜201向上移动的速度，进而延长了闸门12的关闭时间，例如将闸门12的关闭时间从0.8s延长到1s～10s，从而可以避免闸门12关闭太快而导致腔体内壁上的微尘颗粒受到较大的冲击力而脱落或飞扬的问题，进而改善腔体内壁上的微尘颗粒附着到放置到腔体内的晶圆表面上而导致晶圆表面缺陷的问题。

然后，对所述腔体11进行抽真空、加热等处理，并进一步向所述腔体11中通入气态的含有形成薄膜所需的原子或分子的化学气体，该化学气体在腔体11内混合并发生反应，最终在晶圆表面聚集形成希望形成的固态薄膜和气态产物。

之后，待沉积的薄膜达到所需厚度后，可以通过晶圆处理设备的排气系统进行排气，以使得腔体内的压强恢复到大气压。

最后，再次通过阀机构20开启闸门12，以打开腔体，取出表面上沉积有所需薄膜的晶圆。

优选地，在上述过程中，通过阀机构20开启闸门12时，还通过延迟控制装置50控制通气口204的进气速度降低，以减慢阀膜201向下移动的速度，进而延长闸门12的开启时间，例如将闸门12的开启时间从0.8s延长到1s～10s，从而可以避免闸门12开启太快而导致腔体内壁上的微尘颗粒受到较大的冲击力而脱落或飞扬的问题，进而改善腔体内壁上的微尘颗粒附着到放置在腔体内的晶圆表面上而导致晶圆表面缺陷的问题。

对于在集成电路制造厂中原有的晶圆处理设备的基础上进行设备改进情况，本实用新型一实施例提供一种晶圆处理方法，其可以在进行晶圆处理之前，先对原厂晶圆处理设备进行改进，为其增设延迟控制装置，之后进行晶圆处理。请参考图2至图4，所述晶圆处理方法具体包括以下步骤：

首先，提供一晶圆处理设备，所述晶圆处理设备具有用于放置晶圆的腔体11以及设置在所述腔体一侧上且原厂开关闸门的速度不可调的阀机构20，所述腔体11的侧壁上设有能够开合的闸门12，所述阀机构20用于控制所述闸门12的开关，以控制腔体11与外界的通断，所述阀机构20包括气缸200、设置在所述气缸200内的阀膜201、与所述阀膜201连接的气动连杆202以及与所述气缸200连通的多个通气口204、205，所述气动连杆202直接连接或在通过一阀盖203间接连接所述闸门12，用于开启和关闭所述闸门12；

接着，在所述阀机构20的至少一个所述通气口(204或205)处增设一延迟控制装置50；

然后，通过所述阀机构20开启所述闸门12，以打开所述腔体11，并将一待处理晶圆放入所述腔体11中，具体过程可以参考上文所述，在此不再赘述；

然后，通过所述阀机构20关闭所述闸门12，以关闭所述腔体11，并在所述腔体11中对所述晶圆进行加工，具体过程可以参考上文所述，在此不再赘述；

在加工完成后，通过所述阀机构20开启所述闸门12，以打开所述腔体11，并将所述晶圆从所述腔体11中取出，具体过程可以参考上文所述，在此不再赘述。

其中，在上述的晶圆处理方法中，在通过所述阀机构20关闭所述闸门12时，通过所述延迟控制装置50阀机构延长所述阀机构20关闭所述闸门12的关闭时间，和/或，在通过所述阀机构20开启所述闸门12时，通过所述延迟控制装置50延长所述阀机构20开启所述闸门12的开启时间。

请参考图5A和图5B，为了进一步验证本实用新型的方案带来的技术效果，我们先采用一具有原厂开关闸门的速度不可调的阀机构及其控制的闸门的薄膜沉积设备对多个晶圆进行薄膜沉积，在将每片晶圆放置到腔体中后，均需要通过所述阀机构关闭腔体上的闸门，且所述阀机构的关闭时间为0.8s，之后，对这些进行了薄膜沉积的晶圆表面进行了微尘颗粒检测，检测结果如图5A所示，有较多的晶圆(即微尘颗粒数据超过上管制线)表面上的微尘颗粒情况严重超标。当我们在所述薄膜沉积设备的原厂开关闸门的速度不可调的阀机构处增设一延迟控制装置且该延迟控制装置仅仅用于将所述阀机构关闭闸门的关闭时间延长至3s，即在采用增设延迟控制装置后的薄膜沉积设备对多个晶圆进行薄膜沉积，在每片晶圆的放置到腔体中后，也需要所述阀机构关闭腔体上的闸门，且所述阀机构关闭所述闸门的关闭时间为3s，之后，对这些进行了薄膜沉积的晶圆表面进行了微尘颗粒检测，检测结果如图5B所示，所有晶圆表面上的微尘颗粒情况均达标(即均处于上管制线以下)，其每片晶圆表面上的微尘颗粒极少，晶圆报废率大大降低，晶圆的良率大大提高。由此说明，本实用新型的晶圆处理设备及晶圆处理方法，设计简单，仅仅通过在原厂开关闸门的速度不可调的阀机构处增加一延迟控制装置，以延长阀机构开启闸门的开启时间和/或关闭闸门的关闭时间，就可以大大降低晶圆表面微尘颗粒的产生，进而提高产品良率，并降低机台清理频率和生产成本。

需要说明的是，上述各实施例中，均以一个延迟控制装置50为例来进行说明，但是本实用新型的技术方案并不仅仅限定于此，在一些情况下，单一一个通气口的进出气速度控制不能满足整个阀机构对闸门的开启时间和关闭时间的延长需求，因此在本实用新型的其他实施例中，请参考图6，当阀机构20具有多个通气口204、205时，可以在每个通气口处均设置一个延迟控制装置，以使得每个通气口处的进出气速度得到控制(降低)，例如，阀机构20包括两个通气口204、205，在通气口204处设置一延迟控制装置50，以用于口控制通气口204的进气速度和出气速度，在通气口205处设置另一延迟控制装置60，以用于口控制通气口205的进气速度和出气速度，从而在延迟控制装置50和延迟控制装置60的共同作用来实现阀机构20开启闸门的开启时间和/或关闭闸门的关闭时间的延长控制。

此外，还需要说明的是，上述各实施例中，均是以阀机构20打开闸门时腔体与外界连通、阀机构20关闭闸门时腔体与外界断开为例进行说明的，但是本实用新型的技术方案并不仅仅限定于此，在本实用新型的其他实施例中，闸门也可以是反向闸门，即阀机构20关闭闸门时腔体与外界连通、阀机构20打开闸门时腔体与外界断开。

上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。