显示基板、显示面板、显示设备和制造显示基板的方法与流程

本发明涉及显示技术，更具体地，涉及显示基板、显示面板、显示设备和制造显示基板的方法。

背景技术：

有机发光二极管(oled)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(lcd)设备相比，oled显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，oled显示设备可以制作得比典型的lcd更易弯曲、更薄且更轻。

技术实现要素：

在一方面，本发明提供了一种具有多个子像素区域的显示基板，包括：基底基板；多个薄膜晶体管，其位于基底基板上；和多个半导体结，其构造为阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管的有源层。

可选地，所述多个半导体结中的至少一些在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个薄膜晶体管的有源层在基底基板上的正投影。

可选地，所述多个半导体结中的至少一些分别位于所述多个薄膜晶体管的有源层的面向基底基板的一侧。

可选地，显示基板还包括遮光层；其中，所述遮光层和所述多个半导体结构造为协同地阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管的有源层。

可选地，遮光层在基底基板上的正投影覆盖所述多个薄膜晶体管的有源层在基底基板上的正投影；并且，所述多个半导体结中的至少一些在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个薄膜晶体管的有源层在基底基板上的正投影。

可选地，所述多个薄膜晶体管包括多个第一薄膜晶体管的阵列，所述多个第一薄膜晶体管位于基底基板上并且分别位于所述多个子像素区域中，用于驱动显示基板发光；其中，所述多个半导体结包括分别位于所述多个子像素区域中的多个第一半导体结；并且，所述多个第一半导体结在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管的第一有源层在基底基板上的正投影。

可选地，遮光层包括分别位于所述多个子像素区域中的多个第一遮光块；并且，所述多个第一遮光块在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管的第一有源层在基底基板上的正投影；所述多个第一半导体结和所述多个第一遮光块构造为协同地阻挡光照射到所述多个第一薄膜晶体管的第一有源层。

可选地，显示基板还包括：多个发光亮度值检测器，其包括与多个第二半导体结分别电连接的多个第二薄膜晶体管；其中，所述多个第二半导体结分别构造为分别检测显示基板的所述多个子像素区域中的发光亮度值。

可选地，所述多个第二半导体结在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影；所述遮光层包括多个第二遮光块；所述多个第二遮光块在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影；并且，所述多个第二半导体结和所述多个第二遮光块构造为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层。

可选地，所述多个第二遮光块分别与所述多个第二薄膜晶体管的源极电连接，并且分别与所述多个第二半导体结电连接。

可选地，所述多个半导体结还包括多个第三半导体结；并且，所述多个第三半导体结在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影。

可选地，所述遮光层包括多个第三遮光块；所述多个第三遮光块在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影；并且，所述多个第三半导体结和所述多个第三遮光块构造为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层。

可选地，所述多个半导体结还包括多个第三半导体结；所述多个第三半导体结在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影；所述遮光层包括多个第二遮光块；所述多个第二遮光块在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影；所述多个第二遮光块在基底基板上的正投影与所述多个第二半导体结在基底基板上的正投影分别至少部分地重叠；所述多个第三半导体结和所述多个第二遮光块构造为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层。

可选地，所述多个第二遮光块分别与所述多个第二薄膜晶体管的源极电连接，并且分别与所述多个第二半导体结电连接。

可选地，所述多个第二半导体结与所述多个第三半导体结分别相邻；所述多个第二半导体结中的每单独一个与所述多个第三半导体结中的对应一个间隔开且绝缘。

可选地，所述多个第二半导体结中的每单独一个与所述多个第三半导体结中的对应一个被凹槽间隔开；其中，所述显示基板还包括延伸至凹槽中的绝缘层，从而使所述多个第二半导体结中的每单独一个与所述多个第三半导体结中的对应一个绝缘；其中，所述多个第二薄膜晶体管中的每单独一个的源极与所述多个第二遮光块中的对应一个通过凹槽电连接；绝缘层使所述源极与所述多个第二半导体结中的对应一个绝缘；并且，所述多个第二遮光块分别与所述多个第二薄膜晶体管的源极电连接，并且分别与所述多个第二半导体结电连接。

可选地，所述多个第二薄膜晶体管中的每单独一个的源极在基底基板上的正投影与所述多个第二半导体结中的对应一个在基底基板上的正投影实质上不重叠。

可选地，所述显示基板还包括彩膜；其中，所述彩膜在基底基板上的正投影与所述多个第二半导体结在基底基板上的正投影实质上不重叠。

可选地，所述显示基板还包括：多条读取线，用于分别传输由所述多个发光亮度值检测器检测到的信号；和补偿电路，其连接至所述多条读取线，并且构造为将所述多个子像素区域的发光亮度值实时地调整至目标亮度值。

可选地，所述显示基板还包括：公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；其中，所述多个第二半导体结中的每一个包括：第一极性区域，其与所述公共电极连接；以及第二极性区域，其与所述多个第二薄膜晶体管中的对应一个的源极连接；以及二极管结，其连接第一极性区域和第二极性区域；所述多个第二薄膜晶体管中的每一个包括：栅极；源极，其与所述多个第二半导体结中的对应一个的第二极性区域连接；和漏极，其与所述多条读取线中的对应一条连接。

可选地，所述显示基板是有机发光二极管显示基板，其包括：多个有机发光二极管；并且所述多个发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个有机发光二极管的发光亮度值。

可选地，所述多个半导体结中的每一个是pn光电二极管，第一极性区域是p+掺杂半导体区域，第二极性区域是n+掺杂半导体区域。

可选地，所述多个半导体结中的每一个是pin光电二极管，第一极性区域是p+掺杂半导体区域，第二极性区域是n+掺杂半导体区域，pin光电二极管还包括p+掺杂半导体区域与n+掺杂半导体区域之间的非晶硅的本征区域。

可选地，所述显示基板是阵列基板。

在另一方面，本发明提供了一种显示面板，其包括本文描述的显示基板或通过本文描述的方法制造的显示基板。

在另一方面，本发明提供了一种显示设备，其包括本文描述的显示面板。

可选地，所述显示设备还包括：补偿电路，其构造为实时地接收所述多个子像素区域的发光亮度值，并且构造为将所述多个子像素区域的发光亮度值实时地调整至目标亮度值。

在另一方面，本发明提供了一种制造具有多个子像素区域的显示基板的方法，包括：在基底基板上形成多个薄膜晶体管；形成遮光层；和形成多个半导体结；其中，所述遮光层和所述多个半导体结形成为协同地阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管的有源层。

附图说明

以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。

图1a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。

图1b是图1a的放大示图。

图2a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。

图2b是图2a的放大示图。

图3a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。

图3b是图3a的放大示图。

图4a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。

图4b是图4a的放大示图。

图5a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。

图5b是图5a的放大示图。

图6a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。

图6b是图6a的放大示图。

图7是示出根据本公开的一些实施例中的发光亮度值检测器的电路图。

图8a和图8b是示出根据本公开的一些实施例中的半导体结的结构的示意图。

图9a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。

图9b是示出根据本公开的一些实施例中的多个第一薄膜晶体管之一的结构的示意图。

图9c是示出根据本公开的一些实施例中的多个第二薄膜晶体管之一的结构的示意图。

图10是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。

图11a至图11h示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的过程。

具体实施方式

现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。

在有机发光二极管显示设备中，发光强度受到许多因素影响。例如，阈值电压的漂移、驱动电流的变化、以及薄膜晶体管的迁移率的改变可以影响显示的亮度。可以通过内部补偿方法或外部补偿方法来实现有机发光二极管显示设备中的发光补偿。这些补偿方法可以至少部分地解决与阈值电压的漂移、驱动电流的变化、以及薄膜晶体管的迁移率的改变相关的问题。然而，这些补偿方法无法补偿由于有机发光二极管的发光效率的降低而导致的显示问题。

因此，本公开特别提供了显示基板、显示面板、显示设备和制造显示基板的方法，其实质上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。在一方面，本公开提供了一种具有多个子像素区域的显示基板。在一些实施例中，显示基板包括：基底基板；多个薄膜晶体管，其位于基底基板上；和多个半导体结。所述多个半导体结构造为阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管的有源层。可选地，所述多个半导体结中的至少一些在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个薄膜晶体管的有源层在基底基板上的正投影。可选地，所述多个半导体结中的至少一些分别位于所述多个薄膜晶体管的有源层的面向基底基板的一侧。

如本文所用，术语“半导体结”指的是半导体材料内两个不同掺杂区域之间形成的结。半导体材料的p掺杂区域与n掺杂区域之间的结称作p-n半导体结或简称为p-n结。p-n结包括非对称地掺杂的半导体结，比如(但不限于)p+-n结，其中‘p+’表示与n型掺杂物或杂质相比p型掺杂物或杂质的浓度相对更高。在本文中，其中本征掺杂区域(i区域)位于p-掺杂区域(或‘p区域’)和n掺杂区域(或‘n区域’)之间并将它们分离开的半导体结一般被称作p-i-n半导体结或简称为p-i-n结。如本文所用的术语“半导体结”也指复合结，可包括以下层中的一个或多个：半导体材料不同(例如，gaas和gaalas)的层、掺杂浓度不同(例如，p、p+、p-、p++、n、n+、n-、n++、i等)的层、和在层内或层间掺杂浓度渐变的层。此外，本文中，“本征地”掺杂的半导体或者相关的“本征”区域、“本征”层或“本征”半导体被定义为与半导体结的其他层或区域(例如，p掺杂区域或n掺杂区域)中呈现的掺杂浓度相比，具有基本未掺杂(例如，非有意掺杂)或相对轻掺杂的掺杂浓度的半导体或半导体区域。半导体结的示例包括光电传感器中的半导体结(有效的或伪的)。

在一些实施例中，显示基板还包括遮光层。可选地，所述遮光层和所述多个半导体结构造为协同地阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管的有源层。在一个示例中，遮光层具有背离有源层的第一侧和面向有源层的第二侧。遮光层的第一侧构造为遮挡(例如，通过反射来遮挡)沿着从第一侧朝向有源层的方向传输的光。所述多个半导体结构造为吸收朝向遮光层的第二侧传输的光(例如，内部反射光)，使得光不被第二侧反射。所述多个半导体结减小了由第二侧朝向有源层反射的光。因此，通过使遮光层在第一侧反射(外部)光，并且使所述多个半导体结在第二侧吸收(内部)光，遮光层和所述多个半导体结构造为协同地阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管的有源层。

可选地，遮光层在基底基板上的正投影覆盖所述多个薄膜晶体管的有源层在基底基板上的正投影。可选地，所述多个半导体结中的至少一些在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个薄膜晶体管的有源层在基底基板上的正投影。可选地，所述多个半导体结中的至少一些是伪半导体结。如本文所用，术语“伪”指的是半导体结具有与有效半导体结相同或相似的结构但是该结构仅用于作为图案存在的构造而不实际执行显示基板中的功能。因此，电信号可不施加至“伪”半导体结或者甚至在电信号施加至其的情况下，“伪”半导体结也可不执行电等效功能。可选地，所述显示基板是阵列基板。可选地，所述显示基板是对置基板。

可选地，所述多个薄膜晶体管中的一些或全部是多个底栅型薄膜晶体管。可选地，所述多个底栅型薄膜晶体管中的每一个包括：栅电极，其位于基底基板上；栅绝缘层，其位于栅电极的远离基底基板的一侧；有源层，其位于栅绝缘层的远离栅电极的一侧；以及源电极和漏电极，其位于有源层的远离基底基板的一侧。

可选地，所述多个薄膜晶体管中的一些或全部是多个顶栅型薄膜晶体管。可选地，所述多个顶栅型薄膜晶体管中的每一个包括：有源层，其位于基底基板上；栅绝缘层，其位于有源层的远离基底基板的一侧；栅极，其位于栅绝缘层的远离有源层的一侧；源极和漏极，其位于栅极的远离基底基板的一侧并且通过贯穿栅绝缘层的过孔连接至有源层。

图1a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图1b是图1a的放大示图。参照图1a和图1b，显示基板具有多个子像素区域spa。在一些实施例中，显示基板包括：基底基板bs；多个薄膜晶体管t，其位于基底基板bs上；遮光层m；和多个半导体结p。遮光层m和所述多个半导体结p构造为协同地阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管t的有源层act。遮光层m包括多个遮光块mb。遮光块mb中的每一个具有背离有源层act的第一侧s1和面向有源层act的第二侧s2。第一侧s1构造为遮挡(例如，通过反射来遮挡)沿着从第一侧s1朝向有源层act的方向传输的光。所述多个半导体结p构造为吸收朝向第二侧s2传输的光(例如，内部反射光)，使得光不照射至有源层act。所述多个半导体结p减小了由第二侧s2朝向有源层act反射的光。因此，通过使遮光层m在第一侧s1反射(外部)光，并且使所述多个半导体结p在第二侧s2吸收(内部)光，遮光层m和所述多个半导体结p构造为协同地阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管t的有源层act。

可选地，遮光层m在基底基板bs上的正投影覆盖所述多个薄膜晶体管t的有源层act在基底基板bs上的正投影。可选地，所述多个半导体结p中的至少一些在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个薄膜晶体管t的有源层act在基底基板bs上的正投影。可选地，所述多个半导体结p中的至少一些是伪半导体结。例如，所述多个半导体结p中的每一个是悬置的，并且不与电路电连接。

所述多个薄膜晶体管t可为任何适当类型的薄膜晶体管。可选地，所述多个薄膜晶体管t包括多个驱动薄膜晶体管。可选地，所述多个薄膜晶体管t包括多个开关薄膜晶体管。可选地，所述多个薄膜晶体管t包括栅极驱动电路中的多个薄膜晶体管。

图2a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图2b是图2a的放大示图。参照图2a和图2b，所述多个薄膜晶体管包括多个第一薄膜晶体管t1的阵列，所述多个第一薄膜晶体管t1位于基底基板bs上并且分别位于所述多个子像素区域spa中，用于驱动显示基板发光。所述多个半导体结包括分别位于所述多个子像素区域spa中的多个第一半导体结p1。如图2a和图2b所示，所述多个第一半导体结p1在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1在基底基板bs上的正投影。可选地，所述多个第一半导体结p1是伪半导体结。例如，所述多个第一半导体结p1中的每一个是悬置的，并且不与电路电连接。

参照图2a和图2b，在一些实施例中，遮光层m包括分别位于所述多个子像素区域spa中的多个第一遮光块mb-1。所述多个第一遮光块mb-1在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1在基底基板bs上的正投影。所述多个第一半导体结p1和所述多个第一遮光块mb-1构造为协同地阻挡光照射到所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1。

在一些实施例中，显示基板还包括：多个发光亮度值检测器，其包括与多个第二半导体结分别电连接的多个第二薄膜晶体管。图7是示出根据本公开的一些实施例中的发光亮度值检测器的电路图。参照图7，所述多个发光亮度值检测器d中的每一个包括多个第二薄膜晶体管t2中的与所述多个第二半导体结p2中的一个电连接的一个第二薄膜晶体管。所述多个第二薄膜晶体管t2中的所述一个的源极电连接至所述多个第二半导体结p2中的所述一个。所述多个第二薄膜晶体管t2中的所述一个的漏极电连接至多条读取线r中的一条，该一条读取线r进而连接至补偿电路c。补偿电路c构造为实时地接收所述多个子像素区域的发光亮度值，并且构造为将所述多个子像素区域的发光亮度值实时地调整至目标亮度值。

在制作当前显示基板时可以利用各种适当的半导体结。半导体结的示例包括但不限于：pn光电二极管、pin光电二极管、雪崩光电二极管、mim二极管结、mis二极管结、mos二极管结、sis二极管结、以及ms二极管结。

可选地，所述多个子像素区域spa中的每个子像素区域包括所述多个发光亮度值检测器d中的一个。可选地，不是每个子像素区域都包括所述多个发光亮度值检测器d中的一个，而是若干个子像素区域中的仅一个包括位于所述多个子像素区域spa中的一个中的所述多个发光亮度值检测器d中的一个。

图3a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图3b是图3a的放大示图。参照图3a和图3b，显示基板包括多个第二半导体结p2，其分别构造为分别检测显示基板的所述多个子像素区域spa中的发光亮度值。可选地，所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影。所述多个第二半导体结p2中的每一个的非重叠区域用于检测所述多个子像素区域spa中的对应一个中的发光亮度值。

遮光层m包括多个第二遮光块mb-2。所述多个第二遮光块mb-2在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影。所述多个第二半导体结p2和所述多个第二遮光块mb-2构造为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2。

参照图3b，所述多个第二遮光块mb-2分别与所述多个第二薄膜晶体管t2的源极se2电连接，并且分别与所述多个第二半导体结p2电连接。所述多个第二半导体结p2中的每一个的第一端与构造为提供有公共电压vcom的公共电极电连接。所述多个第二半导体结p2中的每一个的第二端与所述多个第二遮光块mb-2中的一个电连接。

图4a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图4b是图4a的放大示图。参照图4a和图4b，所述多个半导体结包括分别位于所述多个子像素区域spa中的多个第一半导体结p1以及分别构造为分别检测显示基板的所述多个子像素区域spa中的发光亮度值的多个第二半导体结p2。在一些实施例中，所述多个薄膜晶体管包括：多个第一薄膜晶体管t1的阵列，所述多个第一薄膜晶体管t1位于基底基板bs上并且分别位于所述多个子像素区域spa中，用于驱动显示基板发光；以及多个第二薄膜晶体管t2，其分别与所述多个第二半导体结p2电连接。如图4a和图4b所示，所述多个第一半导体结p1在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1在基底基板bs上的正投影；并且，所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影。所述多个第二半导体结p2中的每一个的非重叠区域用于检测所述多个子像素区域spa中的对应一个中的发光亮度值。所述多个第一半导体结p1是伪半导体结，并且所述多个第二半导体结p2是构造为检测显示基板的多个子像素区域spa中的发光亮度值的有效半导体结。

在一些实施例中，遮光层m包括：多个第一遮光块mb-1，其分别位于所述多个子像素区域spa中；和多个第二遮光块mb-2。所述多个第一遮光块mb-1在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1在基底基板bs上的正投影；并且，所述多个第二遮光块mb-2在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影。所述多个第一半导体结p1和所述多个第一遮光块mb-1构造为协同地阻挡光照射到所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1，并且所述多个第二半导体结p2和所述多个第二遮光块mb-2构造为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2。

图8a和图8b是示出根据本公开的一些实施例中的半导体结的结构的示意图。图8a示出了根据本公开的一些实施例中的伪半导体结(例如，图4a和图4b中的多个第一半导体结p1)的结构。如图8a所示，在一些实施例中，伪半导体结包括：第一极性区域pr1；第二极性区域pr2，其与遮光层m连接；以及二极管结j，其连接第一极性区域pr1和第二极性区域pr2。所述伪半导体结和遮光层m构造为协同地阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管的有源层。

图8b示出了根据本公开的一些实施例中的有效半导体结(例如，图4a和图4b中的多个第二半导体结p2)的结构。如图8b所示，在一些实施例中，有效半导体结包括：第一极性区域pr1，其与公共电极com连接；第二极性区域pr2，其通过遮光层m与所述多个第二薄膜晶体管t2中的一个的源极se2连接；以及二极管结j，其连接第一极性区域pr1和第二极性区域pr2。如本文所用，术语二极管结指的是能够呈现电流整流的结，例如，呈现出在一个偏置方向的导电性相对于在另一个偏置方向的导电性大大不同的结。

可选地，具有二极管结的半导体结包括具有第一掺杂物的第一极性区域、具有第二掺杂物的第二极性区域、以及连接第一极性区域和第二极性区域的二极管结。可选地，具有二极管结的半导体结在第一极性区域连接至低电压且第二极性区域连接至高电压时反向偏置。例如，具有二极管结的半导体结在第一极性区域连接至公共电极(低电压，例如，-5v至0v)时处于反向偏置状态。在一些实施例中，具有二极管结的半导体结是pn光电二极管，该pn光电二极管具有作为第一极性区域的p+掺杂半导体区域和作为第二极性区域的n+掺杂半导体区域。在一些实施例中，具有二极管结的半导体结是pin光电二极管，该pin光电二极管具有作为第一极性区域的p+掺杂半导体区域、作为第二极性区域的n+掺杂半导体区域、以及位于p+半导体区域和n+半导体区域之间的非晶硅的本征区域。

在一些实施例中，所述多个半导体结还包括多个第三半导体结。图5a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图5b是图5a的放大示图。参照图5a和图5b，所述多个半导体结包括：多个第一半导体结p1，其分别位于所述多个子像素区域spa中；多个第二半导体结p2，其分别构造为分别检测显示基板的所述多个子像素区域spa中的发光亮度值；和多个第三半导体结p3。在一些实施例中，所述多个薄膜晶体管包括：多个第一薄膜晶体管t1的阵列，所述多个第一薄膜晶体管t1位于基底基板bs上并且分别位于所述多个子像素区域spa中，用于驱动显示基板发光；和多个第二薄膜晶体管t2，其分别与所述多个第二半导体结p2电连接。如图5a和图5b所示，所述多个第一半导体结p1在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1在基底基板bs上的正投影；并且，所述多个第三半导体结p3在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影。可选地，所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影与所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影实质上不重叠。如本文所用，术语“实质上不重叠”意即两个正投影至少50％(例如，至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％、以及100％)不重叠。所述多个第二半导体结p2中的每一个用于检测所述多个子像素区域spa中的对应一个中的发光亮度值。所述多个第一半导体结p1和所述多个第三半导体结p3是伪半导体结，并且所述多个第二半导体结p2是构造为检测显示基板的多个子像素区域spa中的发光亮度值的有效半导体结。

在一些实施例中，遮光层m包括：多个第一遮光块mb-1，其分别位于所述多个子像素区域spa中；和多个第二遮光块mb-2。所述多个第一遮光块mb-1在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1在基底基板bs上的正投影；并且，所述多个第二遮光块mb-2在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影。所述多个第一半导体结p1和所述多个第一遮光块mb-1构造为协同地阻挡光照射到所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1，并且所述多个第三半导体结p3和所述多个第二遮光块mb-2构造为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2。此外，所述多个第二遮光块mb-2在基底基板bs上的正投影与所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影分别至少部分地重叠。如图5a和图5b所示，所述多个第二半导体结p2分别与所述多个第三半导体结p3相邻，所述多个第二半导体结p2中的每单独一个与所述多个第三半导体结p3中的对应一个间隔开且绝缘。所述多个第三半导体结p3是伪半导体结，并且所述多个第二半导体结p2是分别构造为分别检测显示基板的多个子像素区域spa中的发光亮度值的有效半导体结。所述多个第二遮光块mb-2分别与所述多个第二薄膜晶体管t2的源极se2电连接，并且分别与所述多个第二半导体结p2电连接(例如，通过第二极性区域电连接)。在如图5a和图5b所示的示例中，所述多个第二遮光块mb-2中的每一个与所述多个第二半导体结p2中的对应一个以及所述多个第三半导体结p3中的对应一个电连接。可选地，所述多个第二遮光块mb-2中的每一个在基底基板bs上的正投影覆盖所述多个第二半导体结p2中的对应一个以及所述多个第三半导体结p3中的对应一个在基底基板bs上的正投影。

在一些实施例中，遮光层还包括与所述多个第三半导体结p3相对应的多个第三遮光块。图6a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图6b是图6a的放大示图。参照图6a和图6b，所述多个半导体结包括：多个第一半导体结p1，其分别位于所述多个子像素区域spa中；多个第二半导体结p2，其分别构造为分别检测显示基板的所述多个子像素区域spa中的发光亮度值；和多个第三半导体结p3。在一些实施例中，所述多个薄膜晶体管包括：多个第一薄膜晶体管t1的阵列，所述多个第一薄膜晶体管t1位于基底基板bs上并且分别位于所述多个子像素区域spa中，用于驱动显示基板发光；多个第二薄膜晶体管t2，其分别与多个第二半导体结p2电连接。如图6a和图6b所示，所述多个第一半导体结p1在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1在基底基板bs上的正投影；并且，所述多个第三半导体结p3在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影。可选地，所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影与所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影实质上不重叠。所述多个第二半导体结p2中的每一个用于检测所述多个子像素区域spa中的对应一个中的发光亮度值。所述多个第一半导体结p1和所述多个第三半导体结p3是伪半导体结，并且所述多个第二半导体结p2是构造为检测显示基板的多个子像素区域spa中的发光亮度值的有效半导体结。

在一些实施例中，遮光层m包括：多个第一遮光块mb-1，其分别位于所述多个子像素区域spa中；多个第二遮光块mb-2；和多个第三遮光块mb-3。所述多个第一遮光块mb-1在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1在基底基板bs上的正投影；并且，所述多个第三遮光块mb-3在基底基板bs上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影。可选地，所述多个第二遮光块mb-2在基底基板bs上的正投影与所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2在基底基板bs上的正投影实质上不重叠，并且与所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1在基底基板bs上的正投影实质上不重叠。所述多个第一半导体结p1和所述多个第一遮光块mb-1构造为协同地阻挡光照射到所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1，并且所述多个第三半导体结p3和所述多个第三遮光块mb-3构造为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2。可选地，所述多个第二遮光块mb-2在基底基板bs上的正投影与所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影分别至少部分地重叠。如图6a和图6b所示，所述多个第二半导体结p2分别与所述多个第三半导体结p3相邻，所述多个第二半导体结p2中的每单独一个与所述多个第三半导体结p3中的对应一个间隔开且绝缘。所述多个第二遮光块mb-2分别与所述多个第三遮光块mb-3相邻，所述多个第二遮光块mb-2中的每单独一个与所述多个第三遮光块mb-3中的对应一个间隔开且绝缘。

所述多个第三半导体结p3是伪半导体结，并且所述多个第二半导体结p2是分别构造为分别检测显示基板的多个子像素区域spa中的发光亮度值的有效半导体结。所述多个第二遮光块mb-2分别与所述多个第二薄膜晶体管t2的源极se2电连接，并且分别与所述多个第二半导体结p2电连接(例如，通过第二极性区域电连接)。所述多个第二遮光块mb-2中的每一个与所述多个第二半导体结p2中的对应一个电连接。所述多个第三遮光块mb-3中的每一个与所述多个第三半导体结p3中的对应一个电连接。所述多个第二半导体结p2中的每单独一个与所述多个第三半导体结p3中的对应一个间隔开且绝缘。所述多个第二遮光块mb-2中的每单独一个与所述多个第三遮光块mb-3中的对应一个间隔开且绝缘。可选地，所述多个第二遮光块mb-2中的每一个在基底基板bs上的正投影覆盖所述多个第二半导体结p2中的对应一个在基底基板bs上的正投影,并且所述多个第三遮光块mb-3中的每一个在基底基板bs上的正投影覆盖所述多个第三半导体结p3中的对应一个在基底基板bs上的正投影。

图9a是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图9b是示出根据本公开的一些实施例中的多个第一薄膜晶体管之一的结构的示意图。图9c是示出根据本公开的一些实施例中的多个第二薄膜晶体管之一的结构的示意图。图9a的显示基板具有与图5a和图5b的显示基板类似的结构。具体地，图9a示出了显示基板在一个子像素中的结构。该显示基板包括：基底基板bs；多个薄膜晶体管，其位于基底基板bs上；遮光层m；和多个半导体结。遮光层m和所述多个半导体结构造为协同地阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管的有源层。所述多个半导体结包括分别位于所述多个子像素区域spa中的多个第一半导体结p1；多个第二半导体结p2，其分别构造为分别检测显示基板的所述多个子像素区域spa中的发光亮度值；和多个第三半导体结p3。所述多个薄膜晶体管包括：多个第一薄膜晶体管t1的阵列，所述多个第一薄膜晶体管t1位于基底基板bs上并且分别位于所述多个子像素区域spa中，用于驱动显示基板发光；以及多个第二薄膜晶体管t2，其分别与所述多个第二半导体结p2电连接。遮光层m包括：多个第一遮光块mb-1，其分别位于所述多个子像素区域spa中；和多个第二遮光块mb-2。所述多个第一半导体结p1和所述多个第一遮光块mb-1构造为协同地阻挡光照射到所述多个第一薄膜晶体管t1的第一有源层act1，并且所述多个第三半导体结p3和所述多个第二遮光块mb-2构造为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管t2的第二有源层act2。所述多个第二遮光块mb-2在基底基板bs上的正投影与所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影分别至少部分地重叠。所述多个第二遮光块mb-2分别与所述多个第二薄膜晶体管t2的源极se2电连接，并且分别与所述多个第二半导体结p2电连接(例如，通过第二极性区域电连接)。所述多个第二遮光块mb-2中的每一个与所述多个第二半导体结p2中的对应一个以及所述多个第三半导体结p3中的对应一个电连接。所述多个第二半导体结p2分别与所述多个第三半导体结p3相邻，所述多个第二半导体结p2中的每单独一个与所述多个第三半导体结p3中的对应一个间隔开且绝缘。

参照图9a，所述多个第二半导体结p2中的每单独一个与所述多个第三半导体结p3中的对应一个通过凹槽g间隔开且绝缘。显示基板还包括延伸至凹槽g中的绝缘层in，从而使所述多个第二半导体结p2中的每单独一个与所述多个第三半导体结p3中的对应一个绝缘。参照图9a和图9c，所述多个第二薄膜晶体管t2中的每单独一个的源极se2与所述多个第二遮光块mb-2中的对应一个通过凹槽g电连接。绝缘层in使源极se2与所述多个第二半导体结p2中的对应一个绝缘。所述多个第二遮光块mb-2分别与所述多个第二薄膜晶体管t2的源极se2电连接，并且分别与所述多个第二半导体结p2电连接。可选地，所述多个第二薄膜晶体管t2中的每单独一个的源极se2在基底基板bs上的正投影与所述多个第二半导体结p2中的对应一个在基底基板bs上的正投影实质上不重叠。

参照图9a，在一些实施例中，显示基板还包括彩膜cf，例如，显示基板为阵列基板上彩膜(color-on-array)显示基板。可选地，彩膜cf在基底基板bs上的正投影与所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影实质上不重叠。通过这种设计，所述多个第二半导体结p2感测到的光是未过滤的。所述多个第二半导体结p2可以直接检测从显示基板的所述多个子像素区域spa中的发光元件发出的未过滤的光的发光亮度值。

图10是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。参照图10，彩膜cf在基底基板bs上的正投影与所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影至少部分地重叠(例如，彩膜cf在基底基板bs上的正投影实质上覆盖所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影)。如本文所用，术语“实质上覆盖”指的是一个正投影被另一个正投影覆盖至少50％、至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％、或100％。通过这种设计，所述多个第二半导体结p2感测到的光是被彩膜cf过滤的光。所述多个第二半导体结p2可以分别检测显示基板的所述多个子像素区域spa中的发光亮度值。

参照图9a和图10，在一些实施例中，显示基板是具有多个有机发光二极管oled的有机发光二极管显示基板。可选地，所述多个发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个有机发光二极管oled的发光亮度值。所述多个有机发光二极管oled中的每一个包括：第一电极e1(例如，阳极)；有机发光层eml，其位于第一电极e1上；以及第二电极(例如，阴极)，其位于有机发光层eml的远离第一电极e1的一侧。

可选地，显示基板是具有多个量子点发光二极管的量子点发光二极管显示基板。可选地，所述多个发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个量子点发光二极管的发光亮度值。

可选地，显示基板是具有多个微发光二极管的微发光二极管显示基板。可选地，所述多个发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个微发光二极管的发光亮度值。

可选地，显示基板为液晶显示基板。可选地，所述多个发光亮度值检测器构造为分别检测所述液晶显示基板中的多个子像素的发光亮度值。

可选地，显示基板是顶发射型显示基板，例如，顶发射型有机发光二极管显示基板。可选地，显示基板是底发射型显示基板，例如，底发射型有机发光二极管显示基板。可选地，显示基板是双面发射型显示基板，例如，双面发射型有机发光二极管显示基板。

在一些实施例中，参照图7和图9a，显示基板还包括：多条读取线r，用于分别传输由所述多个发光亮度值检测器d检测到的信号；和补偿电路c，其连接至所述多条读取线r，并且构造为将所述多个子像素区域spa的发光亮度值实时地调整至目标亮度值。

在另一方面，本公开提供了一种制造具有多个子像素区域的显示基板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板上形成多个薄膜晶体管；形成遮光层；和形成多个半导体结。可选地，所述遮光层和所述多个半导体结形成为协同地阻挡光照射到所述多个薄膜晶体管的有源层。可选地，遮光层和所述多个薄膜晶体管形成为使得遮光层在基底基板上的正投影覆盖所述多个薄膜晶体管的有源层在基底基板上的正投影。可选地，所述多个半导体结和所述多个薄膜晶体管形成为使得所述多个半导体结中的至少一些在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个薄膜晶体管的有源层在基底基板上的正投影。可选地，所述多个半导体结中的至少一些形成为伪半导体结。

在一些实施例中，形成所述多个薄膜晶体管包括形成多个第一薄膜晶体管的阵列，所述多个第一薄膜晶体管位于基底基板上并且分别位于所述多个子像素区域中，用于驱动显示基板发光；并且，形成所述多个半导体结包括形成分别位于所述多个子像素区域中的多个第一半导体结。所述多个第一半导体结和所述多个第一薄膜晶体管形成为使得所述多个第一半导体结在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管的第一有源层在基底基板上的正投影。所述多个第一半导体结形成为伪半导体结。

可选地，形成遮光层包括形成分别位于所述多个子像素区域中的多个第一遮光块。所述多个第一半导体结和所述多个第一薄膜晶体管形成为使得所述多个第一遮光块在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第一薄膜晶体管的第一有源层在基底基板上的正投影。所述多个第一半导体结和所述多个第一遮光块形成为协同地阻挡光照射到所述多个第一薄膜晶体管的第一有源层。

在一些实施例中，所述方法还包括：形成多个发光亮度值检测器。具体地，在一些实施例中，形成所述多个发光亮度值检测器包括形成多个第二半导体结和形成多个第二薄膜晶体管，所述多个第二薄膜晶体管分别与所述多个第二半导体结电连接。可选地，所述多个第二半导体结分别形成为分别检测显示基板的所述多个子像素区域中的发光亮度值。可选地，所述多个第二半导体结和所述多个第二薄膜晶体管形成为使得所述多个第二半导体结在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影；并且形成所述遮光层包括形成多个第二遮光块。可选地，所述多个第二遮光块和所述多个第二薄膜晶体管形成为使得所述多个第二遮光块在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影。所述多个第二半导体结和所述多个第二遮光块形成为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层。可选地，所述多个第二遮光块形成为分别与所述多个第二薄膜晶体管的源极电连接，并且形成为分别与所述多个第二半导体结电连接。

在一些实施例中，形成所述多个半导体结还包括形成多个第三半导体结。可选地，所述多个第三半导体结和所述多个第二薄膜晶体管形成为使得所述多个第三半导体结在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影。可选地，所述多个第三半导体结形成为伪半导体结。可选地，形成所述遮光层包括形成多个第三遮光块。可选地，所述多个第三遮光块和所述多个第二薄膜晶体管形成为使得所述多个第三遮光块在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影。所述多个第三半导体结和所述多个第三遮光块形成为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层。

在一些实施例中，形成所述多个半导体结还包括形成多个第三半导体结。可选地，所述多个第三半导体结和所述多个第二薄膜晶体管形成为使得所述多个第三半导体结在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影。可选地，形成所述遮光层包括形成多个第二遮光块。可选地，所述多个第二遮光块和所述多个第二薄膜晶体管形成为使得所述多个第二遮光块在基底基板上的正投影分别覆盖所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层在基底基板上的正投影。可选地，所述多个第二遮光块和所述多个第二半导体结形成为使得所述多个第二遮光块在基底基板上的正投影与所述多个第二半导体结在基底基板上的正投影分别至少部分地重叠。所述多个第三半导体结和所述多个第二遮光块形成为协同地阻挡光照射到所述多个第二薄膜晶体管的第二有源层。可选地，所述多个第二遮光块形成为分别与所述多个第二薄膜晶体管的源极电连接，并且形成为分别与所述多个第二半导体结电连接。可选地，所述多个第三半导体结形成为伪半导体结。

在一些实施例中，所述多个第二半导体结形成为分别与所述多个第三半导体结相邻，所述多个第二半导体结中的每单独一个形成为与所述多个第三半导体结中的对应一个间隔开且绝缘。可选地，所述多个第二半导体结中的每单独一个形成为与所述多个第三半导体结中的对应一个被凹槽间隔开。可选地，所述方法还包括形成延伸至凹槽中的绝缘层，从而使所述多个第二半导体结中的每单独一个与所述多个第三半导体结中的对应一个绝缘。可选地，所述多个第二薄膜晶体管中的每单独一个的源极形成为与所述多个第二遮光块中的对应一个通过凹槽电连接。可选地，绝缘层形成为使所述源极与所述多个第二半导体结中的对应一个绝缘。可选地，所述多个第二遮光块形成为分别与所述多个第二薄膜晶体管的源极电连接，并且形成为分别与所述多个第二半导体结电连接。可选地，所述多个第二薄膜晶体管中的每单独一个的源极在基底基板上的正投影与所述多个第二半导体结中的对应一个在基底基板上的正投影实质上不重叠。

在一些实施例中，所述方法还包括：形成彩膜。可选地，彩膜形成为使得彩膜在基底基板上的正投影与所述多个第二半导体结在基底基板上的正投影实质上不重叠。可选地，彩膜形成为使得彩膜在基底基板上的正投影至少部分地覆盖所述多个第二半导体结在基底基板上的正投影(例如，使得彩膜在基底基板上的正投影实质上覆盖所述多个第二半导体结在基底基板上的正投影)。

在一些实施例中，所述方法还包括：形成多条读取线，用于分别传输由所述多个发光亮度值检测器检测到的信号；和形成补偿电路，其连接至所述多条读取线，并且构造为将所述多个子像素区域的发光亮度值实时地调整至目标亮度值。

在一些实施例中，所述方法还包括：形成公共电极，其构造为被提供有公共电极信号。可选地，所述多个第二半导体结中的每一个形成为包括：第一极性区域，其与所述公共电极连接；第二极性区域，其与所述多个第二薄膜晶体管中的对应一个的源极连接；以及二极管结，其连接第一极性区域和第二极性区域。可选地，所述多个第二薄膜晶体管中的每一个形成为包括：栅极；源极，其与所述多个第二半导体结中的对应一个的第二极性区域连接；和漏极，其与所述多条读取线中的对应一条连接。

图11a至图11h示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的过程。参照图11a，在基底基板bs上形成遮光层m(其例如由金属材料制成)。遮光层m形成为包括多个第一遮光块mb-1和多个第二遮光块mb-2。随后，在遮光层m的远离基底基板bs的一侧形成包括多个第一半导体结p1和多个第四半导体结p23的多个半导体结。具体地，所述多个第一半导体结p1中的每单独一个形成在所述多个第一遮光块mb-1中的对应一个的远离基底基板bs的一侧。所述多个第一半导体结p1中的每单独一个在基底基板bs上的正投影与所述多个第一遮光块mb-1中的对应一个在基底基板bs上的正投影至少部分重叠(例如，完全重叠)。所述多个第四半导体结p23中的每单独一个形成在所述多个第二遮光块mb-2中的对应一个的远离基底基板bs的一侧。所述多个第四半导体结p23中的每单独一个在基底基板bs上的正投影与所述多个第二遮光块mb-2中的对应一个在基底基板bs上的正投影至少部分重叠(例如，完全重叠)。可选地，在单次构图工艺中对所述多个第一遮光块mb-1、所述多个第二遮光块mb-2、所述多个第一半导体结p1以及所述多个第四半导体结p23构图。例如，在基底基板bs上沉积遮光材料层和半导体结材料层并利用单个掩模板对其构图。

参照图11b，在所述多个第四半导体结p23的远离基底基板bs的一侧形成公共电极com。公共电极com形成为与所述多个第四半导体结p23的第一极性区域电连接。在公共电极com、所述多个第一半导体结p1、所述多个第四半导体结p23的远离基底基板bs的一侧形成钝化层pvx。随后，在钝化层pvx的远离基底基板bs的一侧形成用于驱动显示基板发光的多个第一薄膜晶体管的第一有源层act1，并且在钝化层pvx的远离基底基板bs的一侧形成多个第二薄膜晶体管的第二有源层act2。分别在第一有源层act1和第二有源层act2的远离基底基板bs的一侧形成第一栅绝缘层gi1和第二栅绝缘层gi2。分别在第一栅绝缘层gi1和第二栅绝缘层gi2的远离基底基板bs的一侧形成第一栅极g1和第二栅极g2。

参照图11c，在第一栅极g1、第二栅极g2、第一有源层act1和第二有源层act2的远离钝化层pvx的一侧形成层间介电层ild。形成贯穿层间介电层ild的多个过孔。形成贯穿层间介电层ild、钝化层pvx、所述多个第四半导体结p23之一的凹槽g，从而暴露所述多个第二遮光块mb-2中的一个的表面。凹槽g形成为将所述多个第四半导体结p23中的每单独一个划分为两部分，从而形成所述第二半导体结p2中的一个和所述多个第三半导体结p3中的一个。所述多个第二半导体结p2形成为与所述多个第三半导体结p3分别相邻。所述多个第二半导体结p2中的每单独一个与所述多个第三半导体结p3中的对应一个被凹槽g间隔开且绝缘，如图11c所示。

参照图11d，形成所述多个第一薄膜晶体管的第一源极se1和第一漏极de1以及所述多个第二薄膜晶体管的第二源极se2和第二漏极de2，从而形成所述多个第一薄膜晶体管t1和所述多个第二薄膜晶体管t2。所述多个第二薄膜晶体管t2的第二源极se2形成为贯穿凹槽g，从而分别与所述多个第二遮光块mb-2电连接。通过将导电材料沉积在凹槽g中来形成第二源极se2。随后，部分地移除凹槽g中的导电材料，从而使得第二源极se2分别与所述多个第二半导体结p2的横向侧分离。第二源极se2不与所述多个第二半导体结p2接触。可选地，所述多个第二薄膜晶体管t2中的每单独一个的源极se2在基底基板bs上的正投影与所述多个第二半导体结p2中的对应一个在基底基板bs上的正投影实质上不重叠。

参照图11e，在层间介电层ild的远离基底基板bs的一侧形成彩膜cf。彩膜cf形成为使得彩膜cf在基底基板bs上的正投影与所述多个第二半导体结p2在基底基板bs上的正投影实质上不重叠。

参照图11f，在彩膜cf、所述多个第一薄膜晶体管t1和所述多个第二薄膜晶体管t2的远离基底基板bs的一侧形成绝缘层in。绝缘层in形成为延伸至凹槽g中，从而使所述多个第二半导体结p2中的每单独一个与所述多个第三半导体结p3中的对应一个绝缘。在绝缘层in的远离基底基板bs的一侧形成第一电极e1(例如，阳极)。在显示基板的子像素区域中形成彩膜cf和第一电极e1。在绝缘层in的远离基底基板bs的一侧形成构造为向公共电极com提供公共电压的公共电极信号线csl。公共电极信号线csl形成为通过贯穿绝缘层in和钝化层pvx的过孔与公共电极com电连接。

参照图11g，形成像素限定层pdl以限定多个子像素区域。参照图11h，在第一电极e1的远离基底基板bs的一侧顺序地形成发光层eml和第二电极e2(例如，阴极)，从而形成多个有机发光二极管(oled)。

在另一方面，本公开提供了一种制造具有多个子像素的显示面板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：形成本文描述的显示基板；形成面向本文描述的显示基板的第二显示基板；以及将显示基板与第二显示基板组装在一起。可选地，所述方法还包括：形成补偿电路，其连接至所述多条读取线，并且构造为将所述多个子像素区域的发光亮度值实时地调整至所述目标亮度值。

在另一方面，本公开提供了一种制造具有多个子像素的显示设备的方法。在一些实施例中，所述方法包括：形成本文描述的显示面板。可选地，所述方法还包括：形成补偿电路，其连接至所述多条读取线，并且构造为将所述多个子像素区域的发光亮度值实时地调整至所述目标亮度值。

在另一方面，本公开提供了一种显示面板，其包括本文描述的显示基板或通过本文描述的方法制造的显示基板。可选地，所述显示面板是具有多个有机发光二极管的有机发光二极管显示面板。可选地，所述多个发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个有机发光二极管的发光亮度值。可选地，所述显示面板是具有多个量子点发光二极管的量子点发光二极管显示面板。可选地，所述多个发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个量子点发光二极管的发光亮度值。可选地，所述显示面板是具有多个微发光二极管的微发光二极管显示面板。可选地，所述多个发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个微发光二极管的发光亮度值。可选地，所述显示面板为液晶显示面板。可选地，所述多个发光亮度值检测器构造为分别检测所述液晶显示面板中的多个子像素的发光亮度值。

可选地，所述显示面板是顶发射型显示面板，例如，顶发射型有机发光二极管显示面板。可选地，所述显示面板是底发射型显示面板，例如，底发射型有机发光二极管显示面板。可选地，所述显示面板是双面发射型显示面板，例如，双面发射型有机发光二极管显示面板。

在另一方面，本公开提供了一种显示设备，包括本文描述的显示面板。可选地，所述显示设备还包括：补偿电路，其构造为实时地接收所述多个子像素区域的发光亮度值，并且构造为将所述多个子像素区域的发光亮度值实时地调整至目标亮度值。适当显示设备的示例包括但不限于：电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、gps等。

出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。