技术总结
提供一种每单位面积的存储容量大的半导体装置。本发明是一种包括存储晶体管的半导体装置，存储晶体管包括具有开口的导电体、以与开口的内侧面接触的方式设置的第一绝缘体、以与第一绝缘体的内侧接触的方式设置的第二绝缘体、以与第二绝缘体的内侧接触的方式设置的第三绝缘体、以与第三绝缘体的内侧接触的方式设置的第一氧化物、以及以与第一氧化物的内侧接触的方式设置的第二氧化物，第二氧化物的能隙比第一氧化物的能隙窄。
技术研发人员：山崎舜平
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2018.05.23
技术公布日：2020.01.24