本发明涉及量子点技术领域，具体为一种qled的新型封装方法。
背景技术：
qled是是不需要额外光源的自发光技术。量子点是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米晶体，是一种粒径不足10纳米的颗粒。通常说来，量子点是由锌、镉、硒和硫原子组合而成。量子点有一个与众不同的特性：每当受到光或电的刺激，量子点便会发出有色光线，光线的颜色由量子点的组成材料和大小形状决定，这一特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。麻省理工的毕业生于2005年创建qdvision。联合创始人科尔•苏利文介绍，他的公司已经完全掌握了量子点的光色可控技术，从工作原理上说，量子点与yag荧光体类似，通过光线刺激让量子点发散出几种颜色的组合，最终让led灯发散出白色的灯光。量子点能够将led光源发出的蓝光完全转化为白光，而不是像yag荧光体那样只能吸收一部分，这意味着在同样的灯泡亮度下，量子点led灯所需的蓝光更少，在电光转化中需要的电力自然更少，更高效的表现令其在节能减排方面更胜一筹。
现用技术将qled封装成不同颜色的单色灯珠，主要有红绿蓝“三基色”，需要三个qled三种颜色组合成其他颜色，一般红绿蓝为一个像素点，由于光源是单色光采用水平排布，使得单个像素点较大，影响分辨率的提升，且出现混光不均匀。
技术实现要素：
（一）解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种qled的新型封装方法，具备能使像素点体积更加小且光输出更加均匀等优点，解决了目前灯珠混光不均匀的问题。
（二）技术方案
为实现上述能使像素点体积更加小且光输出更加均匀的目的，本发明提供如下技术方案：一种qled的新型封装方法，包括以下步骤：
s1、制作以陶瓷为材料的支架，印刷电路层，其中分割为四个部分，一部分用于镀银，形成镀银层，其余三部分分别为红绿蓝三基色的正极；
s2、在镀银层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，作为量子点的介质层；
s3、采用印刷形式，将激发能发出红光的量子点印刷在镀银层上，形成量子点层；
s4、在量子点层上旋涂氧化状态下高稳定性的聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩；
s5、在抗聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩层上溅射一层铟锡氧化物半导体透明导电膜，厚度为55-65纳米，作为红色量子点的正极；
s6、采用耐高温耐氧化且高透光率的材料形成在红色量子点正极；
s7、在真空环境下，采用磁控溅射工艺，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜；
s8、采用相同红色量子点的制作工艺，制成绿色和蓝色的量子点；
s9、最后在qled器件上设置薄膜封装层进行封装。
进一步优化本技术方案，所述s3中，增加空穴注入层、多层空穴传输层、电子阻挡层或电子注入层等一种或多种层结构。
进一步优化本技术方案，所述s7中，薄膜为氧化硅层。
进一步优化本技术方案，所述s8中，三种颜色的正极之间采用绝缘材料相隔。
进一步优化本技术方案，所述s9中，薄膜封装层采用单层或多层薄膜实现，其材质采用有机薄膜或无机薄膜，当薄膜封装层的层数大于三层时，采用有机/无机复合薄膜。
（三）有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种qled的新型封装方法，具备以下有益效果：采用垂直结构，将三基色夹层封装，三基色独立供电控制发光，单颗qled包含三种颜色，与原先技术比较，水平占有面积约为原先的1/3，从而达到混光均匀且色彩鲜艳。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
一种qled的新型封装方法，包括以下步骤：
s1、制作以陶瓷为材料的支架，印刷电路层，其中分割为四个部分，一部分用于镀银，形成镀银层，其余三部分分别为红绿蓝三基色的正极；
s2、在镀银层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，作为量子点的介质层；
s3、采用印刷形式，将激发能发出红光的量子点印刷在镀银层上，形成量子点层，为了提高qled器件的性能，增加空穴注入层、多层空穴传输层、电子阻挡层或电子注入层等一种或多种层结构；
s4、在量子点层上旋涂氧化状态下高稳定性的聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩；
s5、在抗聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩层上溅射一层铟锡氧化物半导体透明导电膜，厚度为55纳米，作为红色量子点的正极；
s6、采用耐高温耐氧化且高透光率的材料形成在红色量子点正极；
s7、在真空环境下，采用磁控溅射工艺，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜，薄膜为氧化硅层，达到良好的绝缘效果；
s8、采用相同红色量子点的制作工艺，制成绿色和蓝色的量子点，并且三种颜色的正极之间采用绝缘材料相隔；
s9、最后在qled器件上设置薄膜封装层进行封装，用于防止水或氧渗透对所述qled器件造成危害，薄膜封装层采用单层或多层薄膜实现，其材质采用有机薄膜或无机薄膜，当薄膜封装层的层数大于三层时，采用有机/无机复合薄膜。
实施例二：
一种qled的新型封装方法，包括以下步骤：
s1、制作以陶瓷为材料的支架，印刷电路层，其中分割为四个部分，一部分用于镀银，形成镀银层，其余三部分分别为红绿蓝三基色的正极；
s2、在镀银层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，作为量子点的介质层；
s3、采用印刷形式，将激发能发出红光的量子点印刷在镀银层上，形成量子点层，为了提高qled器件的性能，增加空穴注入层、多层空穴传输层、电子阻挡层或电子注入层等一种或多种层结构；
s4、在量子点层上旋涂氧化状态下高稳定性的聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩；
s5、在抗聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩层上溅射一层铟锡氧化物半导体透明导电膜，厚度为60纳米，作为红色量子点的正极；
s6、采用耐高温耐氧化且高透光率的材料形成在红色量子点正极；
s7、在真空环境下，采用磁控溅射工艺，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜，薄膜为氧化硅层，达到良好的绝缘效果；
s8、采用相同红色量子点的制作工艺，制成绿色和蓝色的量子点，并且三种颜色的正极之间采用绝缘材料相隔；
s9、最后在qled器件上设置薄膜封装层进行封装，用于防止水或氧渗透对所述qled器件造成危害，薄膜封装层采用单层或多层薄膜实现，其材质采用有机薄膜或无机薄膜，当薄膜封装层的层数大于三层时，采用有机/无机复合薄膜。
实施例三：
一种qled的新型封装方法，包括以下步骤：
s1、制作以陶瓷为材料的支架，印刷电路层，其中分割为四个部分，一部分用于镀银，形成镀银层，其余三部分分别为红绿蓝三基色的正极；
s2、在镀银层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，作为量子点的介质层；
s3、采用印刷形式，将激发能发出红光的量子点印刷在镀银层上，形成量子点层，为了提高qled器件的性能，增加空穴注入层、多层空穴传输层、电子阻挡层或电子注入层等一种或多种层结构；
s4、在量子点层上旋涂氧化状态下高稳定性的聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩；
s5、在抗聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩层上溅射一层铟锡氧化物半导体透明导电膜，厚度为65纳米，作为红色量子点的正极；
s6、采用耐高温耐氧化且高透光率的材料形成在红色量子点正极；
s7、在真空环境下，采用磁控溅射工艺，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜，薄膜为氧化硅层，达到良好的绝缘效果；
s8、采用相同红色量子点的制作工艺，制成绿色和蓝色的量子点，并且三种颜色的正极之间采用绝缘材料相隔；
s9、最后在qled器件上设置薄膜封装层进行封装，用于防止水或氧渗透对所述qled器件造成危害，薄膜封装层采用单层或多层薄膜实现，其材质采用有机薄膜或无机薄膜，当薄膜封装层的层数大于三层时，采用有机/无机复合薄膜。
本发明的有益效果是：采用垂直结构，将三基色夹层封装，三基色独立供电控制发光，单颗qled包含三种颜色，与原先技术比较，水平占有面积约为原先的1/3，从而达到混光均匀且色彩鲜艳。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。