阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术：

有机电致发光显示面板(oled)以轻薄、低耗、高响应、高分辨等特征在平板显示领域崭露头角，其潜在的市场前景被业界看好。目前，可直接利用精细金属掩膜板(finemetalmask，fmm)分别蒸镀红绿蓝(rgb)三种颜色的子像素的发光材料来实现oled显示面板的彩色显示。但是由于fmm精度的限制，现有技术中采用fmm的方式制作的oled显示面板的像素密度(ppi)有限，而目前需要高ppi的应用产品却越来越多，例如微显示领域，现有oled显示面板的ppi已然满足不了人眼的需求。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，用以提高oled显示面板的像素密度。

因此，本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层；

在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构；其中，

在同一颜色的各子像素区内形成发光结构，具体包括：

在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层；

通过一次构图工艺和干刻工艺，去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分，在该子像素区内形成所述发光功能层和所述阴极层的图案。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层之后，还包括：

在阴极层上形成保护层；

去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分的同时，去除所述保护层在其他子像素区内的部分。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构之后，还包括：

在所述发光结构所在层上形成与所述阴极层电连接的辅助阴极层；

通过一次构图工艺，去除各所述开口区域内的所述辅助阴极层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构之后，且在所述发光结构所在层上形成与所述阴极层电连接的辅助阴极层之前，还包括：

在所述发光结构所在层上形成光刻胶层；

通过一次构图工艺，在各所述子像素区的非开口区域形成自所述光刻胶层贯穿至所述阴极层的过孔。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述干刻工艺为离子轰击的方式。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层之前，还包括：

通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各开口区域的阳极。

相应地，本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板采用上述制作方法制备。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，辅助阴极层在衬底基板上的正投影位于像素定义层在所述衬底基板上的正投影内。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，该制作方法包括：提供一衬底基板；通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层；在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构；其中，在同一颜色的各子像素区内形成发光结构，具体包括：在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层；通过一次构图工艺和干刻工艺，去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分，在该子像素区内形成所述发光功能层和所述阴极层的图案。通过一次构图工艺形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层，工艺比较简单；且干刻精度远大于fmm的蒸镀精度，基于此通过干刻的方式分别制作不同颜色的子像素，可以省掉fmm，提高像素密度，节省成本，避免混色风险。

附图说明

图1为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；

图2至图14分别为本发明实施例提供的制作方法中各步骤对应阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细的说明。需要说明的是本说明书所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合；此外，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法，如图1所示，包括：

s101、提供一衬底基板；

s102、通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层；

s103、在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构；其中，

在同一颜色的各子像素区内形成发光结构，具体包括：

在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层；

通过一次构图工艺和干刻工艺，去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分，在该子像素区内形成所述发光功能层和所述阴极层的图案。

在本发明实施例提供的上述制作方法中，通过一次构图工艺形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层，工艺比较简单；且干刻精度远大于fmm的蒸镀精度，基于此通过干刻的方式分别制作不同颜色的子像素，可以省掉fmm，提高像素密度，节省成本，避免混色风险。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，为避免在制作子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层的图案的过程中，剥离液对阴极层的侵蚀，在执行步骤在像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层之后，还可以执行以下步骤：

在阴极层上形成保护层；

去除发光功能层和阴极层在其他子像素区内的部分的同时，去除保护层在其他子像素区内的部分。

需要说明的是，发光功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。保护层的材质可以为氮化硅(sinx)或二氧化硅(sio2)。此外，为避免对发光功能层的损坏，造成亮度、视角、效率、功耗等不良，可以采用离子轰击的干刻方式对发光功能层、阴极层和保护层进行刻蚀。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，为便于向不同颜色的子像素区内的阴极加载驱动电压，且保证较高的出光率，在执行步骤s103在像素定义层上的颜色不同的各子像素区内依次形成发光结构之后，还可以执行以下步骤：

在发光结构所在层上形成与阴极层电连接的辅助阴极层；

通过一次构图工艺，去除各开口区域内的辅助阴极层。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，为了平坦化阴极层，并且保护阴极层不受后续制作辅助阴极层的过程中蒸镀及图形化工艺的伤害，在执行步骤s103在像素定义层上的颜色不同的各子像素区内依次形成发光结构之后，且在执行步骤在发光结构所在层上形成与阴极层电连接的辅助阴极层之前，还可以执行以下步骤：

在发光结构所在层上形成光刻胶层；

通过一次构图工艺，在各子像素区的非开口区域形成自光刻胶层贯穿至阴极层的过孔。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在执行步骤s102通过一次构图工艺，在衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层之前，一般还可以执行以下步骤：

通过一次构图工艺，在衬底基板上形成在各开口区域的阳极。

为更好地理解本发明实施例提供的上述制作方法，下面对其详细过程进行介绍：

通过一次构图工艺，在衬底基板201上形成在各开口区域的阳极202的图案，如图2所示。

通过一次构图工艺，形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层203；具体地，图3中示出了三个开口区域，分别位于红色(r)子像素区、绿色(g)子像素区和蓝色(b)子像素区。

在像素定义层203上整面依次制作红光功能层2041和第一阴极层2051，如图4所示。其中，红光功能层2041可以包括空穴注入层、空穴传输层、红光材料层、电子传输层和电子注入层。

采用化学气相沉积(cvd)工艺在第一阴极层2051上整面制作第一保护层2061，以避免后续光刻(pr)胶相关工艺对第一阴极层2051的伤害，如图5所示。具体地，第一保护层2061的材料可以为sinx、sio2等透明绝缘材料。

在红色(r)子像素区的第一保护层2061上涂覆pr胶，并曝光显影，如图6所示。

采用离子轰击的干刻工艺，去除绿色(g)子像素区和蓝色(b)子像素区的红光功能层2041、第一阴极层2051和第一保护层2061，仅在红色(r)子像素区形成红光功能层2041、第一阴极层2051和第一保护层2061的图案，如图7所示。

在第一保护层2061上整面依次制作绿光功能层2042、第二阴极层2052和第二保护层2062，如图8所示。其中，绿光功能层2042可以包括空穴注入层、空穴传输层、绿光材料层、电子传输层和电子注入层。第二保护层2062可保护第二阴极层2052，避免后续pr胶相关工艺对第二阴极层2052的伤害。具体地，第二保护层2062的材料可以为sinx、sio2等透明绝缘材料。

在绿色(g)子像素区的第二保护层2062上涂覆pr胶，并曝光显影，如图9所示。

采用离子轰击的干刻工艺，去除红色(r)子像素区和蓝色(b)子像素区的绿光功能层2042、第二阴极层2052和第二保护层2062，仅在绿色(g)子像素区形成绿光功能层2042、第二阴极层2052和第二保护层2062的图案，如图10所示。

基于上述同样的方法，在蓝色(b)子像素区形成蓝光功能层2043、第三阴极层2053和第三保护层2063的图案，如图11所示。

在第一保护层2061、第二保护层2062和第三保护层2063上整面形成光刻胶层207，如图12所示，以平坦化阴极层，并保护阴极层不受后续制作辅助阴极层208的过程中蒸镀及图形化工艺的伤害。

对光刻胶层207进行曝光开口，并刻蚀到第一阴极层2051、第二阴极层2052和第三阴极层2053，如此在各子像素区的非开口区域形成自光刻胶层207贯穿至阴极层的过孔，如图13所示。在实际应用时，光刻胶层207为透明的光刻胶，以避免影响色彩显示效果，同时避免降低出光效率。如果选用折射率合适的光刻胶层207，还可以利用其作为oled器件的光学取出(outcoupling)层，减少蒸镀工艺。

在光刻胶层207上整面制作(例如蒸镀)与第一阴极层2051、第二阴极层2052和第三阴极层2053分别电连接的辅助阴极层208；然后通过一次构图工艺，去除各开口区域内的辅助阴极层208，仅在像素定义层203所在区域形成辅助阴极层208的图案，即辅助阴极层208在衬底基板201上的正投影位于像素定义层203在衬底基板201上的正投影内，如图14所示。如此，则可避免双层阴极对发光功能层出光的衰减；同时，由于辅助阴极层208呈网状，对其施加阴极电位，即可以使下方的阴极层得到供电。

基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种采用上述制作方法制备的阵列基板，如图14所示。由于该阵列基板解决问题的原理与上述制作方法解决问题的原理相似，因此，本发明实施例提供的该阵列基板的实施可以参见本发明实施例提供的上述制作方法的实施，重复之处不再赘述。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，为避免影响出光率，辅助阴极层在衬底基板上的正投影位于像素定义层在衬底基板上的正投影内。

基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。可以理解的是，该显示面板可以为有机电致发光显示面板，且对于显示面板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示面板的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。

基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理、自助存/取款机等任何具有显示功能的产品或部件。对于显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置中，制作方法包括：提供一衬底基板；通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层；在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构；其中，在同一颜色的各子像素区内形成发光结构，具体包括：在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层；通过一次构图工艺和干刻工艺，去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分，在该子像素区内形成所述发光功能层和所述阴极层的图案。通过一次构图工艺形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层，工艺比较简单；且干刻精度远大于fmm的蒸镀精度，基于此通过干刻的方式分别制作不同颜色的子像素，可以省掉fmm，提高像素密度，节省成本，避免混色风险。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。