技术特征：
技术总结
本发明提供一种红外吸收掺杂硅及其制备方法。本发明所涉及的制备方法，其特征在于，包括：步骤1.采用TRIM程序模拟不同种类离子注入硅片的离子分布，模拟的离子种类选自能B+、P+、As+、Si+，或/及Ar+、He+、H+、Kr+、Xe+；模拟过程中能量设定为10～1000keV，模拟的剂量为1014～1018ions/cm2；模拟的目标为：注入硅片后离子分布能从硅表面到达硅体内，深度分布在2nm～1000nm之间，并且掺杂离子后硅片的透过率为0；步骤2.将单晶硅片进行超声清洗，再用气枪吹干；步骤3.基于模拟结果，对单晶硅片进行离子注入；步骤4.进行热退火，得到红外吸收掺杂硅。
技术研发人员：刘昌;李慧;张恒;张定波;吴昊
受保护的技术使用者：武汉大学
技术研发日：2019.02.19
技术公布日：2019.06.18