一种薄膜晶体管及其阵列基板、显示面板的制作方法

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其阵列基板、显示面板。

背景技术：

随着时代的发展进步，显示技术的种类较多，包括液晶显示器(英文全称：liquidcrystaldisplay,简称lcd)和有机发光二极管显示器(英文全称：organiclight-emittingdiode,简称oled)等。其中oled显示器件又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。oled的基本结构是由一薄而透明具有半导体特性的铟锡氧化物(ito)与电力之正极相连，再加上另一个金属面阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了:空穴传输层(htl)、发光层(el)与电子传输层(etl)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与面阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝三基色，构成基本色彩。

首先oled的特性是自己发光，不需要背光，因此可视度和亮度均高。其次oled具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一，正在逐步替代tft-lcd，有望成为继lcd之后的下一代主流显示技术。

现有的oled柔性显示面板包括柔性基板以及形成在柔性基板上的像素电路层、阳极、有机发光层、阴极和薄膜封装层等。像素电路层包括薄膜晶体管单元(英文全称：thinfilmtransistor，简称tft)、与薄膜晶体管单元相连的线路(扫面线、数据线等)等，薄膜晶体管单元包括堆叠设置半导体层、栅极、源极和漏极等导电层以及设置在各导电层之间的绝缘层等。

随着高解析度产品的发展，这要求阵列薄膜晶体管具备更小的尺寸，而低温多晶硅薄膜晶体管由于其载流子迁移率高等优点，成为高解析度中小尺寸产品开发的首选技术。由于多晶硅晶界、多晶硅与栅极绝缘层间界面以及栅极绝缘层中存在较多的缺陷，如断键、弱键等，因此在低温多晶硅薄膜晶体管的制作工艺中，需通过一道退火工艺进行补氢，一般采用氢活化一体的高温退火制程，氢来源为sinx薄膜，以达到修复这些缺陷的效果，从而优化薄膜晶体管的电学特性，如vth(临界电压)、ss(亚阈值摆幅)等。但是在目前的工艺中sinx薄膜作为氢来源，其对薄膜晶体管的补氢程度难以控制，因此通常需要增加chaneldoping(沟道掺杂)工艺进行辅助调节，从而达到我们需求的电学特性，这使得制程更为复杂，成本增加。因此，我们需要寻找一种新型的薄膜晶体管以解决上述问题。

技术实现要素：

本发明的一个目的是提供一种薄膜晶体管，其能够解决目前的薄膜晶体管中的补氢程度难以控制的问题。

为了解决上述问题，本发明的一个实施方式提供了一种薄膜晶体管，其中包括：基板、缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极以及漏极。所述缓冲层设置于所述基板上；所述多晶硅层设置于所述缓冲层上；所述栅极绝缘层设置于所述缓冲层和所述多晶硅层上；所述栅极设置于所述栅极绝缘层上；所述层间绝缘层设置于所述栅极绝缘层和所述栅极上；所述源极设置于所述多晶硅层上；所述漏极设置于所述多晶硅层上；所述层间绝缘层包括sinx层。其中所述sinx层包括第一分层和第二分层；所述第一分层采用第一致密度的sinx构成；所述第二分层采用第二致密度的sinx构成。

进一步地，其中所述第一致密度的数值大于第二致密度的数值。

进一步地，其中所述第一分层的第一致密度使得其在1％浓度的氢氟酸蚀刻速率小于13埃米/秒。

进一步地，其中所述第二分层的第二致密度使得其在1％浓度的氢氟酸蚀刻速率大于等于13埃米/秒。

进一步地，其中所述第二分层设置于所述第一分层上，所述第一分层设置于所述栅极绝缘层与所述第二分层之间。

进一步地，其中所述第一分层设置于所述第二分层上，所述第二分层设置于所述栅极绝缘层与所述第一分层之间。

进一步地，其中所述第一分层厚度大于150埃米。

本发明的另一个实施方式还提供了一种阵列基板，其中所述阵列基板上设置有本发明涉及的所述薄膜晶体管。

本发明的另一个实施方式还提供了一种显示面板，其包括本发明涉及的所述阵列基板。

进一步地，其中所述阵列基板上还依次设置有平坦层、像素定义层以及发光层。

本发明的优点是：本发明涉及一种薄膜晶体管及其阵列基板、显示面板，本发明通过调节薄膜晶体管中的层间绝缘层的sinx薄膜成膜工艺，获得不同致密度和含氢量的sinx分层，利用致密度低的第二分层含氢量较高，但阻氢能力较差；致密度高的第一分层含氢量较少，但阻氢能力好的特性，通过多层不同致密度sinx分层的搭配使其补氢能力差异化，从而达到对低温多晶硅薄膜晶体管电性进行不同程度调节的效果，减少channeldoping(沟道掺杂)工艺，降低生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明的一个实施方式涉及的一种薄膜晶体管的结构示意图。

图2是图1所示的薄膜晶体管中的层间绝缘层的sinx层的一个实施例的结构示意图。

图3是图1所示的薄膜晶体管中的层间绝缘层的sinx层的又一个实施例的结构示意图。

图中部件标识如下：

100、薄膜晶体管

1、基板2缓冲层

3、多晶硅层4、栅极绝缘层

5、栅极6、层间绝缘层

7、源极8、漏极

61、第一分层62、第二分层

63、h⁺

具体实施方式

以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。

本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。

当某些组件，被描述为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接置于所述另一组件上；也可以存在一中间组件，所述组件置于所述中间组件上，且所述中间组件置于另一组件上。当一个组件被描述为“安装至”或“连接至”另一组件时，二者可以理解为直接“安装”或“连接”，或者一个组件通过一中间组件“安装至”或“连接至”另一个组件。

实施例1

如图1所示，本实施例的薄膜晶体管100，其中包括：基板1、缓冲层2、多晶硅层3、栅极绝缘层4、栅极5、层间绝缘层6、源极7以及漏极8。其中所述缓冲层2设置于所述基板1上；所述多晶硅层3设置于所述缓冲层2上；所述栅极绝缘层4设置于所述缓冲层2和所述多晶硅层3上；所述栅极5设置于所述栅极绝缘层4上；所述层间绝缘层6设置于所述栅极绝缘层4和所述栅极5上；所述源极7设置于所述多晶硅层3上；所述漏极8设置于所述多晶硅层3上。

如图2所示，其中所述层间绝缘层6包括sinx层，而在不同实施方式中，其也可以是包括sinx层和siox层，但不限于此。其中所述sinx层包括第一分层61和第二分层62，所述第二分层62设置于所述第一分层61上，所述第一分层61设置于所述栅极绝缘层4与所述第二分层62之间。所述第一分层61采用第一致密度的sinx构成；所述第二分层62采用第二致密度的sinx构成。其中所述第一致密度的数值大于第二致密度的数值，具体的，所述第一分层61的第一致密度使得其在1％浓度的氢氟酸蚀刻速率小于13埃米/秒；所述第二分层的第二致密度使得其在1％浓度的氢氟酸蚀刻速率大于等于13埃米/秒。利用致密度低的第二分层62含氢量较高，但阻氢能力较差；致密度高的第一分层61含氢量较少，但阻氢能力好的特性，使得所述第二分层62内部的h⁺63不能穿透第一分层61,由此满足需要减少补氢量的情况，从而达到对低温多晶硅薄膜晶体管电性进行不同程度调节的效果，减少channeldoping(沟道掺杂)工艺，降低生产成本。

如图2所示，其中所述第一分层61厚度大于150埃米。由此可以达到阻隔第二分层62h⁺63穿透的效果。

实施例2

以下仅就本实施例与第一实施例间的相异之处进行说明，而其相同之处则在此不再赘述。

如图3所示，其中所述层间绝缘层6包括sinx层，而在不同实施方式中，其也可以是包括sinx层和siox层，但不限于此。其中所述sinx层包括第一分层61和第二分层62，所述第一分层61设置于所述第二分层62上，所述第二分层62设置于所述栅极绝缘层4与所述第一分层61之间。所述第一分层61采用第一致密度的sinx构成；所述第二分层62采用第二致密度的sinx构成。其中所述第一致密度的数值大于第二致密度的数值，具体的，所述第一分层61的第一致密度使得其在1％浓度的氢氟酸蚀刻速率小于13埃米/秒；所述第二分层的第二致密度使得其在1％浓度的氢氟酸蚀刻速率大于等于13埃米/秒。利用致密度低的第二分层62含氢量较高，但阻氢能力较差；致密度高的第一分层61含氢量较少，但阻氢能力好的特性，将所述第二分层62和第一分层61内部的h⁺63均向下传递,由此满足需要增大补氢量的情况，从而达到对低温多晶硅薄膜晶体管电性进行不同程度调节的效果，减少channeldoping(沟道掺杂)工艺，降低生产成本。

本发明还提供了一种阵列基板，其中所述阵列基板上设有本发明所述的薄膜晶体管100。

本发明还提供了一种显示面板，其包括本发明涉及的所述阵列基板。其中所述阵列基板上还依次设置有平坦层、像素定义层以及发光层。

以上对本发明所提供的薄膜晶体管及其阵列基板、显示面板进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本发明，但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本发明意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。