技术特征：
技术总结
本发明涉及一种薄膜晶体管及其阵列基板、显示面板，其中薄膜晶体管包括：基板、缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极以及漏极。本发明通过调节薄膜晶体管中的层间绝缘层中的SiNx薄膜成膜工艺，获得不同致密度和含氢量的SiNx分层，利用致密度低的第二分层含氢量较高，但阻氢能力较差；致密度高的第一分层含氢量较少，但阻氢能力好的特性，通过多层不同致密度SiNx分层的搭配使其补氢能力差异化，从而达到对低温多晶硅薄膜晶体管电性进行不同程度调节的效果，减少沟道掺杂工艺，降低生产成本。
技术研发人员：秦芳
受保护的技术使用者：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2019.02.28
技术公布日：2019.06.14