电子装置的制作方法

一个或更多个实施例涉及一种包括紫外(uv)吸收剂和像素限定层的电子装置。
背景技术：
：发光二极管将电能转换成光能。包括这种发光二极管的电子装置包括空穴注入电极、电子注入电极以及位于空穴注入电极与电子注入电极之间的发射层。这样的电子装置可以包括基底以及位于基底上的限定像素区域和非像素区域的像素限定层，其中，像素区域包括发光二极管。随着诸如包括发光二极管的电子装置等信息设备的户外使用增加，包括发光二极管的电子装置暴露于阳光的时间也逐渐增加。另外，在制造发光二极管的工艺中，在许多情况下使用照射紫外线。如此，当外部紫外光自由地到达电子装置内的区域(例如，发光二极管和像素限定层)时，造成从由有机绝缘材料构成的像素限定层到位于相邻像素区域中的发光二极管的排气，导致发光二极管的劣化。因此，正在进行研究以防止或减少在紫外线透射到电子装置中时的像素限定层的排气。技术实现要素：当紫外光等在电子装置的制造工艺期间从电子装置的外部进入或者进入并穿透电子装置时，电子装置由于包括有机材料的像素限定层的排气而具有包括发射层的发光二极管的劣化问题。与本领域其它器件相比，作为一类(或一种)发光二极管的有机发光器件的示例是具有宽视角、高对比度、短响应时间、在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性的自发射器件。例如，在作为包括有机发光器件的一类(或一种)电子装置的有机发光显示装置中，从空穴注入电极提供的空穴以及从电子注入电极提供的电子在有机发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态转变(例如，跃迁或弛豫)到基态，从而产生光。作为自发射显示装置的这样的有机发光显示装置不需要单独的光源，导致在低驱动电压下驱动，并被构造为薄且质轻的装置。由于在视角、对比度和响应时间方面的优异的特性，有机发光显示装置的应用范围已经从诸如mp3播放器或蜂窝电话的个人便携式装置扩展到电视(tv)。同时，随着诸如包括有机发光器件的电子装置的信息设备的户外使用增加，包括有机发光器件的这样的电子装置暴露于阳光的时间也逐渐增加。另外，在制造有机发光器件的工艺中，在许多情况下使用照射紫外线。如此，例如，当外部紫外光自由地到达电子装置内部的区域时，会严重地损坏包括有机材料的发射层。本公开涉及减小上述劣化，并提供了一种能够减少透射到电子装置的紫外光的量的电子装置。然而，这些问题是说明性的，因此本公开的范围不限于此。实施例的另外的方面将在随后的描述中进行部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过给出的实施例的实践来获知。根据一个或更多个实施例，电子装置包括：基底；像素限定层，限定位于基底上的多个像素区域和多个非像素区域；多个发光二极管，布置在所述多个像素区域上；以及薄膜封装部，包括有机膜，并同时(例如，基本同时)密封所述多个发光二极管和像素限定层，其中，有机膜包括用于形成有机膜的组合物的固化产品，所述组合物包括可固化材料和紫外(uv)吸收剂，其中，可固化材料是(甲基)丙烯酸酯化合物。根据一个或更多个实施例，电子装置包括：基底；有机发光器件，设置在基底上并包括发射层；以及薄膜封装部，密封有机发光器件并包括至少一个有机膜，其中，发射层包括有机金属化合物，有机膜包括用于形成有机膜的组合物的固化产品，所述组合物包括可固化材料和紫外(uv)吸收剂，其中，可固化材料是(甲基)丙烯酸酯化合物。根据一个或更多个实施例，电子装置包括：基底；像素限定层，限定位于基底上的多个像素区域和多个非像素区域；多个发光二极管，布置在所述多个像素区域上；以及薄膜封装部，包括有机膜，并密封像素限定层或者密封所述多个发光二极管和像素限定层两者；其中，有机膜包括用于形成有机膜的组合物的固化产品，所述组合物包括至少一种uv吸收剂。附图说明通过结合附图的实施例的以下描述，实施例的这些和/或其它方面将变得明显且更加容易理解，在附图中：图1是根据实施例的电子装置的结构的示意性剖视图；图2是根据实施例的电子装置的结构的示意性剖视图；图3是示出针对具有大约380nm与大约400nm之间的波长范围的光的根据示例1-1和对比示例1-1制备的薄膜封装部的初始透射率和后曝光透射率的曲线图；图4是曝光前后的根据示例1-2和对比示例1-2制备的发光的电子装置的一系列图像；图5是示出根据示例2-1以及对比示例2-1和对比示例2-2制备的电子装置的依赖于曝光的透射率的曲线图；以及图6是示出曝光之后的有机发光器件的劣化的根据示例2-1和对比示例2-2制备的电子装置的一系列图像。具体实施方式现在将更加详细地参照实施例，实施例的示例示出在附图中，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。就这点而言，给出的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为局限于在此阐述的描述。因此，以下仅通过参照附图来描述实施例，以解释本描述的实施例的各方面。当诸如“中的至少一个(种、者)”的表述在一列元件(元素、要素)之后时，修饰整列元件(元素、要素)，而不是修饰该列的个别元件(元素、要素)。由于本公开允许各种改变和许多实施例，因此示例性实施例将示出在附图中，并在书面描述中进行详细地描述。参照结合附图更加详细地描述的示例，本公开的实施例的效果和特征以及这些效果和特征的实现方法将是明显的。然而，本公开的主题可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为局限于在此阐述的示例性实施例。在下文中，将通过参照附图解释示例性实施例来更加详细地描述实施例。附图中的同样的附图标记表示同样的元件，并且在此不重复其冗余的描述。将理解的是，当层、膜、区域或板被称作“形成在”另一层、膜、区域或板“上”时，该层、膜、区域或板可以直接地或间接地形成在所述另一层、膜、区域或板上。例如，可以存在中间层、膜、区域或板。另外，为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，为了便于解释，附图中的组件的尺寸和厚度可以是任意示出的，因此下面的实施例不限于此。尽管诸如“第一”、“第二”等的术语可以用来描述各种组件，但是这样的组件不必局限于以上术语。这些术语仅用来将一个组件与另一组件区分开。在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不局限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直(例如，基本垂直)，或者可以表示彼此不垂直(基本不垂直)的不同方向。图1是根据实施例的电子装置的结构的示意性剖视图。参照图1，根据实施例的电子装置10包括基底100、发光二极管200、薄膜封装部300和像素限定层400。基底100可以是可用于有机发光显示装置的领域中的任何合适的基底，并可以是均具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整度、易处理性和防水性的无机基底或有机基底。例如，基底100可以是由包含sio2作为主要组分的透明玻璃材料制成的无机基底，但是本公开的实施例不限于此。例如，基底100可以是具有绝缘性质的有机基底。具有绝缘性质的有机材料可以选自于例如聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素(tac)和乙酸丙酸酯纤维素(cap)，但是本公开的实施例不限于此。限定像素区域(pa)和非像素区域(npa)的像素限定层400可以设置在基底100上。在一个实施例中，像素限定层400可以被设置为围绕pa，同时覆盖像素电极的边缘并使像素电极的中心部分暴露于外部。像素限定层400可以由本领域可用的任何合适的有机绝缘材料或任何合适的无机绝缘材料形成。在一个实施例中，像素限定层400可以由诸如聚酰亚胺和/或聚丙烯酸酯的聚合物形成。在一个实施例中，发光二极管200可以设置在pa上。发光二极管200可以包括第一电极、包括发射层的中间层和第二电极。在一个实施例中，发光二极管200可以是有机发光器件。在一个实施例中，多个发光二极管200可以设置在基底100上，以被像素限定层400围绕。例如，像素限定层400可以被设置为使得pa内的像素电极的中心部分(诸如第一电极)可以被暴露于外部，并且像素电极的边缘可以被像素限定层400覆盖。然后，多个发光二极管200可以位于暴露于外部的多个中心部分中。因此，多个发光二极管200可以彼此绝缘。例如，可以通过在基底100上沉积或溅射用于形成第一电极的材料来形成第一电极。当第一电极是阳极时，用于形成第一电极的材料可以选自于具有高逸出功的材料以促进空穴注入。第一电极可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极是透射电极时，用于形成第一电极的材料可以选自于氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)和它们的任意组合，但是本公开的实施例不限于此。当第一电极是半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极的材料可以选自于镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)和它们的任意组合，但是本公开的实施例不限于此。第一电极可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。例如，第一电极可以具有ito/ag/ito的三层结构，但是本公开的实施例不限于此。包括发射层的中间层可以设置在第一电极上。发射层可以参照以下提供的描述。中间层还可以包括空穴传输区域和电子传输区域，空穴传输区域位于第一电极与发射层之间，电子传输区域位于发射层与第二电极之间，但是本公开的实施例不限于此。第二电极可以设置在中间层上。第二电极可以是作为电子注入电极的阴极，就这点而言，用于形成第二电极的材料可以是金属、合金、导电化合物和它们的任意组合。第二电极包括从锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、ito和izo中选择的至少一种，但是本公开的实施例不限于此。第二电极可以是透射电极、半透射电极或反射电极。第二电极可以具有单层结构，或者包括两个或更多个层的多层结构。然后，同时(例如，基本同时)密封发光二极管200和像素限定层400并包括有机膜的薄膜封装部300可以设置在第二电极上。在一个实施例中，有机膜可以包括用于形成有机膜的组合物的固化产品，所述组合物包括至少一种紫外(uv)吸收剂。在一个实施例中，uv吸收剂可以包括从均取代有羟基的含二苯甲酮化合物、含苯醌化合物、含蒽醌化合物、含氧杂蒽酮化合物、含苯并三嗪化合物、含苯并三嗪酮化合物、含苯并三唑化合物、含苯甲酸酯化合物、含氰基丙烯酸酯化合物、含三嗪化合物、含草酰苯胺化合物、含水杨酸酯化合物、含芘化合物、含萘化合物，含蒽化合物和含邻苯二酚化合物中选择的至少一种。含二苯甲酮化合物可以是例如2-羟基二苯甲酮、2,4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羟基-4-辛基二苯甲酮、4-十二烷氧基-2-羟基二苯甲酮、4-苄氧基-2-羟基二苯甲酮、2,2',4,4'-四羟基二苯甲酮或2,2'-二羟基-4,4'-二甲氧基二苯甲酮。含苯醌化合物可以是例如2-羟基苯醌。含蒽醌化合物可以是例如1-羟基蒽醌、1,5-羟基蒽醌或1,8-羟基蒽醌。含苯并三唑化合物可以是例如2-(2-羟基苯基)苯并三唑、2-(5-甲基-2-羟基苯基)苯并三唑、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2h-苯并三唑、2-(3,5-二叔丁基-2-羟基苯基)苯并三唑、2-(3-叔丁基-5-甲基-2-羟基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(3,5-二叔丁基-2-羟基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(3,5-二叔戊基-2-羟基苯基)苯并三唑或2-(2'-羟基-5'-叔辛基苯基)苯并三唑。含苯甲酸酯化合物可以是例如苯基2-羟基苯甲酸酯或2,4-二叔丁基苯基-3',5'-二叔丁基-4-羟基苯甲酸酯。含三嗪化合物可以是例如2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯酚、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-(己基)氧基-苯酚或2-[4-[(2-羟基-3-十二烷氧基丙基)氧基]-2-羟基苯基]-4,6-双(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪。含水杨酸酯化合物可以例如苯基水杨酸酯或4-叔丁基苯基水杨酸酯。在一个实施例中，uv吸收剂可以包括uv吸收化合物，uv吸收化合物可以包括由从式1-1至式1-4中选择的一个表示的至少一个uv吸收单元：式1-1式1-2式1-3式1-4在式1-1至式1-4中，cy1至cy3可以均独立地选自于苯基、萘基、蒽基、芘基和菲基，l10可以为-o-、-s-、s(＝o)2-、-c(＝o)-、-c(＝o)o-、-c(＝o)nh-、c1-c30烃基、c5-c60碳环基或c2-c30杂环基，m10可以是0至5的整数，当m10为0时，l10可以为单键，r10a和r10b可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c60环烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)，r10a和r10b可以可选择地连接以形成-(y1)k1-连接基，y1可以为-o-、-s-或-c(＝o)-，k1可以是1至3的整数，y2和y3中的一个可以为n，y2和y3中的另一个可以为单键、双键或-c(＝o)-，r10、r20、r30、r40、r50和r51可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c60环烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)，a10可以是1至8的整数，a20和a40可以均独立地为1至4的整数，a30可以是1至5的整数，a50可以是1至10的整数，a10个数的r10中的至少一个可以为羟基，a20个数的r20中的至少一个可以为羟基，a30个数的r30中的至少一个可以为羟基。在一个实施例中，uv吸收化合物还可以由式1-5表示：式1-5a1-(x1)n1-a2。在式1-5中，a1和a2可以均独立地为由uv吸收单元得到的单价基团，x1可以为c2-c60烃基，n1可以是1至5的整数。例如，uv吸收单元可以由从式2-1至式2-11中选择的一个表示，但是本公开的实施例不限于此：在式2-1至式2-11中，r10c、r10d和r11至r18可以分别被定义为与以上结合r10描述的相同，a16可以为1或2，a17可以为1、2、3或4，b15可以为1或2，b16可以为1、2或3，b17可以为1或2，c16可以为1、2、3或4，r21至r24可以分别被定义为与以上结合r20描述的相同，r31至r35可以分别被定义为与以上结合r30描述的相同，r41至r44可以分别被定义为与以上结合r40描述的相同，r51至r53可以分别被定义为与以上结合r50描述的相同，l1可以被定义为与以上结合l10描述的相同，从r11至r18中选择的至少一个、从r21至r24中选择的至少一个以及从r31至r35中选择的至少一个可以均独立地为羟基，*指与相邻原子的结合位。在一个实施例中，uv吸收剂可以包括第一uv吸收化合物和第二uv吸收化合物，其中，第一uv吸收化合物和第二uv吸收化合物可以均独立地选自于：均取代有羟基的含二苯甲酮化合物、含苯醌化合物、含蒽醌化合物、含氧杂蒽酮化合物、含苯并三嗪化合物、含苯并三嗪酮化合物、含苯并三唑化合物、含苯甲酸酯化合物、含氰基丙烯酸酯化合物、含三嗪化合物、含草酰苯胺化合物、含水杨酸酯化合物、含芘化合物、含萘化合物、含蒽化合物和含邻苯二酚化合物，由第一uv吸收化合物吸收的光的波长范围可以与由第二uv吸收化合物吸收的光的波长范围不同。在一个实施例中，uv吸收单元可以由从式3-1至式3-9中选择的一个表示：在式3-1至式3-9中，r12至r17可以分别被定义为与以上结合r10描述的相同，r21至r23可以分别被定义为与以上结合r20描述的相同，r34可以被定义为与以上结合r30描述的相同，*指与相邻原子的结合位。在一个实施例中，由第一uv吸收化合物吸收的光的波长范围可以与由第二uv吸收化合物吸收的光的波长范围不同。在一个实施例中，uv吸收剂可以吸收波长在280nm与430nm之间的光。在一个或更多个实施例中，uv吸收剂可以吸收波长在大约340nm与大约430nm之间的光。uv吸收剂可以吸收uv光，并防止uv光穿透像素限定层400(或减少穿透像素限定层400的uv光的可能性或量)。因此，在薄膜封装部300中包括uv吸收剂的电子装置10可能能够防止或减小在uv光下由像素限定层400的排气引起的发光二极管200的劣化以及对包括有机材料的绝缘膜或发射层的损坏。在一个实施例中，基于100重量份的用于形成有机膜的组合物，uv吸收剂的量可以在大约0.1重量份至大约20重量份的范围内，例如，大约0.5重量份至大约5重量份。通过控制有机膜中的uv吸收剂的量，可以精细地调整有机膜的最大吸收波长，因此，也可以控制有机膜的uv吸收光谱。当uv吸收剂的量小于大约0.1重量份时，薄膜封装部300会无法充分地确保光稳定性。当uv吸收剂的量大于20重量份时，会抑制薄膜封装部300在可见光区中的透射率，同时会抑制有机发光器件(例如，最大发射波长在430nm与460nm之间的蓝色有机发光器件)的发光效率。当uv吸收剂的量在以上范围内时，可以实现优异的uv阻挡效果。例如，当电子装置10包括有机发光器件时，薄膜封装部300可以由于uv吸收剂而具有高的光稳定性，使得薄膜封装部300可能能够有效地保护有机发光器件(例如，发射层中的有机金属化合物)免受uv光的影响。在一个实施例中，用于形成有机膜的组合物可以包括uv吸收剂和可固化材料。可固化材料可以包括从丙烯酸类材料、甲基丙烯酸类材料、丙烯酸酯类材料、甲基丙烯酸酯类材料、乙烯基类材料、环氧类材料、聚氨酯类材料和纤维素类材料中选择的至少一种。例如，用于形成有机膜的包括可固化材料和uv吸收剂的组合物的固化产品可以包括由(甲基)丙烯酸酯化合物得到的(甲基)丙烯酸酯树脂，并且还可以包括从异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、苝类树脂、酰亚胺类树脂和硅类树脂中选择的至少一种，这些树脂由从乙烯基类化合物、环氧类化合物、聚氨酯类化合物和纤维素类化合物中选择的至少一个得到。在一个实施例中，有机膜可以具有uv吸收剂分散在可固化材料的固化产品中的结构。这里，uv吸收剂可以简单地分散在可固化材料的固化产品中，或者uv吸收剂可以与可固化材料的固化产品交联。例如，uv吸收剂可以包括可聚合的官能团，uv吸收剂可以与可固化材料的固化产品交联。在一个实施例中，可固化材料可以包括至少一种(甲基)丙烯酸酯类化合物。例如，(甲基)丙烯酸酯类化合物可以具有在大约50至大约999的范围内的重均分子量(mw)。在一个实施例中，可固化材料可以包括至少一种二(甲基)丙烯酸酯化合物和至少一种单(甲基)丙烯酸酯化合物。通过控制二(甲基)丙烯酸酯化合物与单(甲基)丙烯酸酯化合物的含量比，可以控制用于形成有机膜的组合物的粘度，因此，也可以改善薄膜的可加工性(例如，可涂覆性)。例如，当用于形成有机膜的组合物具有低粘度(例如，50cp或更低)时，uv吸收剂可以具有优异的分散性，使得可以容易地形成厚度为至少1μm的薄膜，并且可以实现针对薄膜的至少1μm的图案分辨率。另外，由于低粘度，可以通过诸如喷墨印刷和真空沉积的各种合适的减薄工艺(或各种合适的涂覆工艺)来减薄(或涂覆)用于形成有机膜的组合物。在一个实施例中，二(甲基)丙烯酸酯化合物可以选自于：由式1表示的化合物；以及乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、双酚-a二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯和二季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯：式1其中，在式1中，l1可以为-o-、-s-、s(＝o)2-、-c(＝o)-、-c(＝o)o-、-c(＝o)nh-、-n(r6)-、-c(r6)(r7)-、-si(r6)(r7)-或无支链c6-c20亚烷基，m1可以是1至10的整数，r1、r2、r6和r7可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、环氧基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c2-c20烯基、取代或未取代的c2-c20炔基和取代或未取代的c1-c20烷氧基。例如，二(甲基)丙烯酸酯中的至少一个可以是由式1表示的化合物。在一个实施例中，可固化材料可以包括由式1表示的化合物，并且还可以包括从乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、双酚-a二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯和二季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯中选择的至少一种。在一个实施例中，单(甲基)丙烯酸酯化合物可以选自于联苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、正丙基(甲基)丙烯酸酯、异丙基(甲基)丙烯酸酯、正丁基(甲基)丙烯酸酯、异戊基(甲基)丙烯酸酯、异丁基(甲基)丙烯酸酯、异辛基(甲基)丙烯酸酯、仲丁基(甲基)丙烯酸酯、叔丁基(甲基)丙烯酸酯、正戊基(甲基)丙烯酸酯、3-甲基丁基(甲基)丙烯酸酯、正己基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基正己基(甲基)丙烯酸酯、正辛基(甲基)丙烯酸酯、环己基(甲基)丙烯酸酯、异冰片基(甲基)丙烯酸酯、二环戊基(甲基)丙烯酸酯、二环戊基羟乙基(甲基)丙烯酸酯、异肉豆蔻基(甲基)丙烯酸酯、月桂醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苄酯、2-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羟基丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羟基丁基(甲基)丙烯酸酯、5-羟基戊基(甲基)丙烯酸酯、6-羟基己基(甲基)丙烯酸酯、4-羟基环己基(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇单(甲基)丙烯酸酯、3-氯-2-羟基丙基(甲基)丙烯酸酯、(1,1-二甲基-3-氧基丁基)(甲基)丙烯酸酯、2-乙酰乙酰氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、乙二醇单甲醚(甲基)丙烯酸酯、甘油单(甲基)丙烯酸酯、2-丙烯酰氧基乙基邻苯二甲酸酯、2-丙烯酰氧基乙基2-羟基乙基邻苯二甲酸酯、2-丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酸酯、2-丙烯酰氧基乙基丙基邻苯二甲酸酯、新戊二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、对异丙苯基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ech改性苯氧基丙烯酸酯、苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基六乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基四乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇苯基醚(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇-聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、硬脂酰基(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化苯酚丙烯酸酯、乙氧基化甲酚(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化苯基(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化琥珀酸(甲基)丙烯酸酯、叔丁基(甲基)丙烯酸酯、三溴苯基(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三溴苯基(甲基)丙烯酸酯、十三烷基(甲基)丙烯酸酯和四氢化糠基(甲基)丙烯酸酯，但是本公开的实施例不限于此。例如，单(甲基)丙烯酸酯化合物中的至少一种可以是联苯基氧基乙基(甲基)丙烯酸酯。在一个实施例中，可固化材料可以包括联苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯，并且还可以包括从(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、正丙基(甲基)丙烯酸酯、异丙基(甲基)丙烯酸酯、正丁基(甲基)丙烯酸酯、异戊基(甲基)丙烯酸酯、异丁基(甲基)丙烯酸酯、异辛基(甲基)丙烯酸酯、仲丁基(甲基)丙烯酸酯、叔丁基(甲基)丙烯酸酯、正戊基(甲基)丙烯酸酯、3-甲基丁基(甲基)丙烯酸酯、正己基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基正己基(甲基)丙烯酸酯、正辛基(甲基)丙烯酸酯、环己基(甲基)丙烯酸酯、异冰片基(甲基)丙烯酸酯、二环戊基(甲基)丙烯酸酯、二环戊基羟乙基(甲基)丙烯酸酯、异肉豆蔻基(甲基)丙烯酸酯、月桂醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苄酯、2-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羟基丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羟基丁基(甲基)丙烯酸酯、5-羟基戊基(甲基)丙烯酸酯、6-羟基己基(甲基)丙烯酸酯、4-羟基环己基(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇单(甲基)丙烯酸酯、3-氯-2-羟基丙基(甲基)丙烯酸酯、(1,1-二甲基-3-氧基丁基)(甲基)丙烯酸酯、2-乙酰乙酰氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、乙二醇单甲醚(甲基)丙烯酸酯、甘油单(甲基)丙烯酸酯、2-丙烯酰氧基乙基邻苯二甲酸酯、2-丙烯酰氧基乙基2-羟基乙基邻苯二甲酸酯、2-丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酸酯、2-丙烯酰氧基乙基丙基邻苯二甲酸酯、新戊二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、对异丙苯基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ech改性苯氧基丙烯酸酯、苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基六乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基四乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇苯基醚(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇-聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、硬脂酰基(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化苯酚丙烯酸酯、乙氧基化甲酚(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化苯基(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化琥珀酸(甲基)丙烯酸酯、叔丁基(甲基)丙烯酸酯、三溴苯基(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三溴苯基(甲基)丙烯酸酯、十三烷基(甲基)丙烯酸酯和四氢化糠基(甲基)丙烯酸酯中选择的至少一种化合物。在一个实施例中，可固化材料可以包括二(甲基)丙烯酸酯化合物和单(甲基)丙烯酸酯化合物，并且还可以包括具有至少3个官能团的多官能(甲基)丙烯酸酯。在一个实施例中，具有至少3个官能团的多官能(甲基)丙烯酸酯可以包括季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三甲醇丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酰氧基乙基磷酸酯、乙氧基化的三甲醇丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化的季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化的甘油三(甲基)丙烯酸酯、氧化膦(po)改性的甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化的磷酸三丙烯酸酯、三甲醇丙烷三(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性的三甲醇丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化的三甲醇丙烷三(甲基)丙烯酸酯、po改性的三甲醇丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)异三聚氰酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性的二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇羟基五(甲基)丙烯酸酯、烷基改性的二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、烷基改性的二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯或它们的任意组合。在一个或更多个实施例中，具有至少3个官能团的多官能(甲基)丙烯酸酯单体可以包括具有至少4个官能团的多官能(甲基)丙烯酸酯单体。在一个或更多个实施例中，具有至少3个官能团的多官能(甲基)丙烯酸酯单体可以包括季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化的季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性的二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇羟基五(甲基)丙烯酸酯、烷基改性的二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯或它们的任意组合。在一个或更多个实施例中，具有至少3个官能团的多官能(甲基)丙烯酸酯单体可以包括四官能(甲基)丙烯酸酯和六官能(甲基)丙烯酸酯。在一个或更多个实施例中，具有至少3个官能团的多官能(甲基)丙烯酸酯单体可以包括季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化的季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化的二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯或它们的任意组合。在一个实施例中，基于100重量份的用于形成有机膜的组合物，可固化材料的量可以在大约90重量份至大约99重量份的范围内。在一个实施例中，用于形成有机膜的组合物还可以包括光聚合引发剂。在一个实施例中，光聚合引发剂可以是本领域可用的任何合适的材料，而没有具体限制，并且可以是例如在360nm与450nm之间的波长范围处可固化的材料。在一个实施例中，用于形成有机膜的组合物还可以包括两类或更多类(两种或更多种)的光聚合引发剂。例如，在两类或更多类(两种或更多种)的光聚合引发剂之中，一类(或种)光聚合引发剂可以在uv区(例如，具有360nm与450nm之间的波长范围)中固化，另一类(或种)光聚合引发剂可以在可见光线区(例如，具有在450nm与770nm之间的波长范围)中固化。在一个或更多个实施例中，两类或更多类(两种或更多种)的光聚合引发剂可以在uv区中或可见光线区中都固化。在一个实施例中，光聚合引发剂可以包括从有机过氧化物类化合物、偶氮类化合物、二苯甲酮类化合物、肟类化合物和氧化膦类化合物中选择的至少一种。例如，光聚合引发剂可以是氧化膦类化合物。在一个实施例中，基于100重量份的用于形成有机膜的组合物，光聚合引发剂的量可以在大约0.5重量份至大约5重量份的范围内。在一个或更多个实施例中，如果需要，用于形成有机膜的组合物还可以包括粘合剂、自由基清除剂等。在一个实施例中，薄膜封装部300还可以包括金属、金属卤化物、金属氮化物、金属氧化物、金属氮氧化物、硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物。例如，薄膜封装部300可以包括从mgf2、lif、alf3、naf、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、氮化钛、氧化钽、氮化钽、氧化铪、氮化铪、氧化锆、氮化锆、氧化铈、氮化铈、氧化锡、氮化锡和氧化镁中选择的至少一种，但是本公开的实施例不限于此。在一个实施例中，包括由用于形成有机膜的组合物形成的有机膜的薄膜封装部300可以针对波长范围在大约400nm与大约420nm之间(例如，大约405nm)的光具有小于大约10％的透射率。在一个或更多个实施例中，包括由用于形成有机膜的组合物形成的有机膜的薄膜封装部300可以针对波长范围在大约400nm与大约420nm之间(例如，大约405nm)的光具有小于大约10％的透射率，并且也可以针对波长为430nm或更大的光具有大于80％的透射率。在一个实施例中，有机膜可以针对波长范围在430nm与800nm之间的光具有大于大约80％的透射率，并且也可以针对波长为大约405nm或更小的光具有10％或更小的透射率。在一个实施例中，有机膜可以针对波长范围在大约400nm与大约410nm之间(例如，大约405nm)的光具有大约10％或更小(例如，大约8％或更小)的透射率。在一个或更多个实施例中，有机膜可以针对波长为大约430nm或更大的光具有大约80％或更大(例如，大约90％或更大)的透射率，并且也可以针对波长为大约405nm或更小的光具有大约10％或更小的透射率。在一个或更多个实施例中，当以大约52,000wh/m2的曝光量暴露于uv光(具有大约380nm至大约400nm之间的波长范围)时，包括由用于形成有机膜的组合物形成的有机膜的薄膜封装部300可以在大约405nm的波长处具有小于大约1％的透射率变化。在一个实施例中，当以大约52,000wh/m2的曝光量暴露于uv光时，有机膜可以在大约400nm或更大且小于大约410nm的波长范围处具有小于大约3％的透射率变化。在一个或更多个实施例中，当以大约52,000wh/m2的曝光量暴露于uv光时，有机膜可以在大约400nm或更大且小于大约405nm的波长范围处具有小于大约1％的透射率变化。在一个实施例中，当以大约52,000wh/m2的曝光量暴露于最大发射波长为大约405nm的光或波长范围在大约380nm与大约410nm之间的光时，有机膜可以在大约400nm或更大且小于大约410nm的波长范围处具有小于大约3％的透射率变化。在一个或更多个实施例中，当以大约52,000wh/m2的曝光量暴露于最大发射波长为大约405nm的光或波长范围在大约380nm与大约410nm之间的光时，有机膜可以在大约400nm或更大且小于大约405nm的波长范围处具有小于大约1％的透射率变化。可以通过例如使有机膜暴露于发射波长范围在大约380nm与大约410nm之间且最大发射波长为大约405nm的光的led灯来测量以上波长范围内的透射率变化。在一个实施例中，有机膜的厚度可以在大约10nm与大约20μm之间的范围内，例如，在大约10nm与大约10μm之间。在一个实施例中，有机膜还可以包括基质树脂，基质树脂可以包括从丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂，苝类树脂、酰亚胺类树脂和硅类树脂中选择的至少一种。在一个或更多个实施例中，除了可固化材料和uv吸收剂之外，所述至少一个有机膜还可以包括光聚合引发剂。所述光聚合引发剂被定义为与以上描述的相同。在一个或更多个实施例中，所述至少一个有机膜还可以包括基质树脂和光聚合引发剂。所述至少一个有机膜可以通过使用从以下方法中选择的一种或更多种合适的方法形成在设定或预定区域中：真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布洛杰特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像(liti)。这里，考虑到生产率和器件特性，可以合适地或适当地选择有机膜的数量和厚度。在一个实施例中，薄膜封装部300可以包括至少一个有机膜，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜，其中，第一有机膜可以包括用于形成有机膜的组合物的固化产品，所述组合物包括可固化材料和uv吸收剂。在一个实施例中，薄膜封装部300还可以包括至少一个无机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜。在一个实施例中，薄膜封装部300还可以包括至少一个无机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜。所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜，第一有机膜可以包括用于形成有机膜的组合物的固化产品，所述组合物包括可固化材料和uv吸收剂。在一个实施例中，第一有机膜可以设置在有机发光器件200与第一无机膜之间，或者第一无机膜可以设置在有机发光器件200与第一有机膜之间。在一个实施例中，薄膜封装部300还可以包括至少一个无机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜。在一个实施例中，薄膜封装部300还可以包括至少一个无机膜，薄膜封装部300可以包括以数量n堆叠有机膜和无机膜的密封单元，其中，n为1或更大的整数。在一个实施例中，无机膜可以包括金属、金属卤化物、金属氮化物、金属氧化物、金属氧氮化物、硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物。例如，无机膜可以包括从mgf2、lif、alf3、naf、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、氮化钛、氧化钽、氮化钽、氧化铪、氮化铪、氧化锆、氮化锆、氧化铈、氮化铈、氧化锡、氮化锡和氧化镁中选择的至少一种，但是本公开的实施例不限于此。所述至少一个无机膜可以使用从以下方法中选择的一种或更多种合适的方法形成在设定或预定区域中：化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、溅射、原子层沉积(ald)和热蒸发。这里，考虑到生产率和器件特性，可以合适地或适当地选择无机膜的数量和厚度。在一个实施例中，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜，其中，第一有机膜可以设置在有机发光器件200与第一无机膜之间。例如，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜，其中，第一有机膜和第二无机膜可以从有机发光器件200以该陈述的顺序堆叠。这里，表述“以该陈述的顺序堆叠”的含义被理解为不排除层设置在有机发光器件200与第一有机膜之间的情况和/或层设置在第一有机膜与第一无机膜之间的情况。在一个或更多个实施例中，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜，其中，第一无机膜可以设置在有机发光器件200与第一有机膜之间。例如，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜，其中，第一无机膜和第一有机膜可以从有机发光器件200以该陈述的顺序堆叠。在一个或更多个实施例中，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜和第二无机膜，其中，第一无机膜、第一有机膜和第二无机膜可以从有机发光器件200以该陈述的顺序堆叠。在一个或更多个实施例中，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜和第二有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜，其中，第一有机膜、第一无机膜和第二有机膜可以从有机发光器件200以该陈述的顺序堆叠。在一个或更多个实施例中，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜和第二有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜和第二无机膜，其中，第一无机膜、第一有机膜、第二无机膜和第二有机膜可以从有机发光器件200以该陈述的顺序堆叠。在一个或更多个实施例中，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜和第二有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜和第二无机膜，其中，第一有机膜、第一无机膜、第二有机膜和第二无机膜可以从有机发光器件200以该陈述的顺序堆叠。在一个或更多个实施例中，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜和第二有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜和第二无机膜，其中，第一无机膜、第二无机膜、第一有机膜和第二有机膜可以从有机发光器件200以该陈述的顺序堆叠。在一个或更多个实施例中，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜和第二有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜和第二无机膜，其中，第一有机膜、第二有机膜、第一无机膜和第二无机膜可以从有机发光器件200以该陈述的顺序堆叠。在一个或更多个实施例中，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜和第二有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜、第二无机膜和第三无机膜，其中，第一无机膜、第一有机膜、第二无机膜、第二有机膜和第三无机膜可以从有机发光器件200以该陈述的顺序堆叠。在一个或更多个实施例中，所述至少一个有机膜可以包括第一有机膜、第二有机膜和第三有机膜，所述至少一个无机膜可以包括第一无机膜和第二无机膜，其中，第一有机膜、第一无机膜、第二有机膜、第二无机膜和第三有机膜可以从有机发光器件200以该陈述的顺序堆叠，但是本公开的实施例不限于此。不仅有机膜和无机膜的数量，而且无机膜和有机膜的堆叠顺序都可根据设计合适地或适当地修改。薄膜封装部300还可以包括位于密封单元与发光二极管200之间或者密封单元与像素限定层400之间的至少一个下无机膜或下有机膜。下有机膜或下无机膜还可以防止湿气和/或氧渗透到有机发光二极管中。在一个实施例中，薄膜单元可以包括从发光二极管200和像素限定层400以该陈述的顺序堆叠有机膜和无机膜的有机-无机复合层，或者从发光二极管200和像素限定层400以该陈述的顺序堆叠无机膜和有机膜的有机-有机复合膜。在一个实施例中，薄膜封装部300可以包括至少一个薄膜单元，并且还可以包括位于密封单元与发光二极管200之间或密封单元与像素限定层400之间的至少一个有机膜。在一个实施例中，薄膜封装部300可以包括至少一个薄膜单元，并且还可以包括位于密封单元与发光二极管200之间或密封单元与像素限定层400之间的至少一个无机膜。在一个实施例中，薄膜封装部300可以包括两类(或种)薄膜单元。在一个实施例中，薄膜封装部300可以包括两类(或种)薄膜单元，并且还可以包括位于薄膜单元与发光二极管200之间或薄膜单元与像素限定层400之间的至少一个有机膜。在一个实施例中，薄膜封装部300可以包括两类(或种)薄膜单元，并且还可以包括位于薄膜单元与发光二极管200之间或薄膜单元与像素限定层400之间的至少一个无机膜。例如，薄膜封装部300可以具有第一无机膜/第一有机膜/第二无机膜结构、第一有机膜/第一无机膜/第二有机膜/第二无机膜结构、第一无机膜/第二无机膜/第一有机膜/第三无机膜/第二有机膜结构或者第一有机膜/第二有机膜/第一无机膜/第三有机膜/第二无机膜结构，但是本公开的实施例不限于此。这里，可以合适地或适当地修改有机膜和无机膜的数量和堆叠顺序。在一个实施例中，在密封单元与发光二极管200之间或密封单元与像素限定层400之间，还可以设置盖层和保护层中的至少一个。图2是根据实施例的电子装置的结构的示意性剖视图。参照图2，首先，可以形成背板。这里，背板可以包括基底100的至少一部分、形成在基底100上的多个第一电极210r、210g和210b以及形成为暴露多个第一电极210r、210g、210b的多个中心部分的至少一部分的像素限定层180。这里，像素限定层180可以相对于基底100具有超出多个第一电极210r、210g和210b的凸起形状(在+z方向上)。多个第一电极210r、210g和210b可以被理解为多个像素电极。在多个像素电极之中，考虑到形成在第一像素电极至第三像素电极中的每个上的中间层可以彼此不同，像素电极210r可以被理解为第一像素电极，像素电极210g可以被理解为第二像素电极，像素电极210b可以被理解为第三像素电极。在下文中，为了方便，将使用术语像素电极210r、210g和210b，而不是术语第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极。像素电极可以以与第一电极的方式相同的方式来定义。图2的像素限定层180可以具有与相应的子像素对应的开口(即，像素电极210r、210g和210b中的每个的中心部分)或者暴露整个像素电极210r、210g和210b的开口，以限定像素。另外，图2的像素限定层180可以通过增大像素电极210r、210g和210b的端部与像素电极210r、210g和210b上方的第二电极230之间的距离来防止或减少在像素电极210r、210g和210b的端部处发生电弧。如果需要，这样的背板还可以包括各种合适的其它组件。例如，如图2中所示，薄膜晶体管(tft)或电容器(cap)可以形成在基底100上。另外，背板可以包括缓冲层110、栅极绝缘膜130、中间绝缘层、平坦化层170等，缓冲层110被形成为防止杂质渗透到tft的半导体层中(或者减小渗透到tft的半导体层中的杂质的可能性或量)，栅极绝缘膜130用于使tft的半导体层和栅电极绝缘，中间绝缘层用于使源电极/漏电极和tft的栅电极绝缘，平坦化层170具有平坦的顶部且覆盖tft。如此，在形成背板之后，可以形成中间层220r、220g和220b。中间层220r、220g和220b可以均具有包括发射层的多层结构。这里，与附图中示出的不同，中间层220r、220g和220b中的一些可以用作与基底100的整个表面大致对应的公共层，同时其它中间层220r、220g和220b可以用作被图案化为与像素电极210r、210g和210b对应的图案层。在形成中间层220r、220g和220b之后，可以在中间层220r、220g和220b上形成第二电极230。从空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中选择的至少一个层可以包括在发射层与第一电极之间，从缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中选择的至少一个层可以包括在发射层与第二电极之间。在一个实施例中，发射层可以根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层或蓝色发射层。在一个或更多个实施例中，发射层可以具有从红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中选择的两个或更多个层的堆叠结构，其中，所述两个或更多个层彼此接触或者彼此分离。在一个或更多个实施例中，发射层可以包括从红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中选择的两种或更多种材料，其中，所述两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。在一个实施例中，发射层可以包括有机材料、无机材料或它们的任意组合。在一个实施例中，发射层可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括从磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中选择的至少一种。在发射层中，基于100重量份的主体，掺杂剂的量可以通常在大约0.01重量份至大约30重量份的范围内，但是本公开的实施例不限于此。发射层的厚度可以在大约至大约的范围内，例如，大约至大约当发射层的厚度在该范围内时，可以获得优异的发射特性而不显著增大驱动电压。在一个实施例中，发射层可以包括有机金属化合物。发射层中的主体主体可以包括由式301表示的化合物：式301[ar301]xb11-[(l301)xb1-r301]xb21。在式301中，ar301可以为取代或未取代的c5-c60碳环基或者取代或未取代的c1-c60杂环基，xb11可以为1、2或3，l301可以选自于取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，xb1可以是0至5的整数，r301可以选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-si(q301)(q302)(q303)、-n(q301)(q302)、-b(q301)(q302)、-c(＝o)(q301)、-s(＝o)2(q301)和-p(＝o)(q301)(q302)，xb21可以是1至5的整数，q301至q303可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但是本公开的实施例不限于此。在一个实施例中，在式301中，ar301可以选自于：萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)中的至少一者的萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，q31至q33可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但是本公开的实施例不限于此。在式301中，当xb11为二或更大时，两个或更多个ar301可以经由单键连接。在一个或更多个实施例中，由式301表示的化合物可以由式301-1或式301-2表示：式301-1式301-2在式301-1和式301-2中，a301至a304可以均独立地选自于苯基、萘基、菲基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡啶基、嘧啶基、茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、萘并呋喃基、苯并萘并呋喃基、二萘并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、萘并噻吩基、苯并萘并噻吩基和二萘并噻吩基，x301可以为o、s或n-[(l304)xb4-r304]，r311至r314可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，xb22和xb23可以均独立地为0、1或2，l301、xb1、r301和q31至q33可以分别被定义为与上述相同，l302至l304可以分别被定义为与结合l301描述的相同，xb2至xb4可以分别被定义为与结合xb1描述的相同，r302至r304可以分别被定义为与结合r301描述的相同。例如，在式301、式301-1和式301-2中，l301至l304可以均独立地选自于：亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)中的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基，q31至q33可以分别被定义为与上述相同。在一个实施例中，在式301、式301-1和式301-2中，r301至r304可以均独立地选自于：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)中的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，q31至q33可以分别被定义为与上述相同。在一个实施例中，主体可以包括碱土金属配合物。例如，主体可以选自于be配合物(例如，化合物h55)、mg配合物和zn配合物。主体可以包括从9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)以及化合物h1至化合物h55中选择的至少一种，但是本公开的实施例不限于此：有机层150的发射层中的磷光掺杂剂在一个实施例中，包括在发射层中的有机金属化合物可以是磷光掺杂剂。在一个实施例中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属配合物：式401m(l401)xc1(l402)xc2式402在式401和式402中，m可以选自于铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)和铥(tm)，l401可以选自于由式402表示的配体，xc1可以为1、2或3。当xc1为二或更大时，两个或更多个l401可以彼此相同或不同，l402可以为有机配体，xc2可以是0至4的整数。当xc2为二或更大时，两个或更多个l402可以彼此相同或不同，x401至x404可以均独立地为氮或碳，x401和x403可以经由单键或双键彼此连接，x402和x404可以经由单键或双键彼此连接，a401和a402可以均独立地为c5-c60碳环基或者c1-c60杂环基，x405可以为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q411)-*'、*-c(q411)(q412)-*'、*-c(q411)＝c(q412)-*'、*-c(q411)＝*'或*＝c＝*'，其中，q411和q412可以为氢、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，x406可以为单键、o或s，r401和r402可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)和-p(＝o)(q401)(q402)，其中，q401至q403可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、c6-c20芳基和c1-c20杂芳基，xc11和xc12可以均独立地为0至10的整数，在式402中，*和*'均指与式401的m的结合位。在一个实施例中，在式402中，a401和a402可以均独立地选自于苯基、萘基、芴基、螺二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。在一个或更多个实施例中，在式402中，a401可以为苯基，a402可以为吡啶基。在一个或更多个实施例中，在式402中，i)x401可以为氮，x402可以为碳，或者ii)x401和x402可以都为氮。在一个或更多个实施例中，在式402中，r401和r402可以均独立地选自于：氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基和降冰片烯基中的至少一者的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中的至少一者的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)和-p(＝o)(q401)(q402)，q401至q403可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基和萘基，但是本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，在式401中，当xc1为二或更大时，多个l401之中的两个a401可以可选择地经由连接基x407连接，或者两个a402可以可选择地经由连接基x408连接(见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。x407和x408可以均独立地为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q413)-*'、*-c(q413)(q414)-*'或*-c(q413)＝c(q414)-*'(其中，q413和q414可以均独立地为氢、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基)，但是本公开的实施例不限于此。式401中的l402可以为单价有机配体、二价有机配体或三价有机配体。例如，l402可以选自于卤素、二酮(例如，乙酰丙酮)、羧酸(例如，吡啶甲酸)、-c(＝o)、异腈、-cn和磷(例如，膦或亚磷酸盐)，但是本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，磷光掺杂剂可以选自于例如化合物pd1至化合物pd25，但是本公开的实施例不限于此：在一个实施例中，发射层可以发射最大发射波长范围在大约590nm与大约780nm之间的红色磷光。在一个实施例中，包括在发射层中的有机金属化合物(例如，发射具有大约590nm与大约780nm之间的长波长范围的光的有机金属化合物)会由于暴露于uv光而遭受金属-配体配合物的解离。根据实施例的电子装置可以包括薄膜封装部中的用于形成有机膜的组合物的固化产品，所述组合物包括uv吸收剂和包含(甲基)丙烯酸酯化合物的可固化材料，从而防止或减少有机金属化合物在uv光的波长范围内的劣化。发射层中的荧光掺杂剂荧光掺杂剂可以包括芳基胺化合物或苯乙烯基胺化合物。荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：式501在式501中，ar501可以为取代或未取代的c5-c60碳环基或者取代或未取代的c1-c60杂环基，l501至l503可以均独立地选自于取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，xd1至xd3可以均独立地为0至3的整数，r501和r502可以均独立地选自于取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，xd4可以是1至6的整数。在一个实施例中，式501中的ar501可以选自于：萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基中的至少一者的萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基。在一个或更多个实施例中，式501中的l501至l503可以均独立地选自于：亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基中的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基。在一个或更多个实施例中，在式501中，r501和r502可以均独立地选自于：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-si(q31)(q32)(q33)中的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，q31至q33可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。在一个或更多个实施例中，式501中的xd4可以为2，但是本公开的实施例不限于此。例如，荧光掺杂剂可以选自于化合物fd1至化合物fd22：在一个或更多个实施例中，荧光掺杂剂可以选自于下面的化合物，但是本公开的实施例不限于此：在一个实施例中，多个发光二极管可以包括包含无机材料的至少一个发射层，其中，无机材料可以包括量子约束半导体纳米颗粒。多个发光二极管可以均包括在每个发射层中具有不同颗粒直径的量子约束半导体纳米颗粒。这里，量子约束半导体纳米颗粒的颗粒直径可以为几纳米至几百纳米，例如，大约20nm至大约900nm。量子约束半导体纳米颗粒可以选自于ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物和它们的任意组合以及它们的合金。所述合金可以包括上述化合物和过渡金属的合金。量子约束半导体纳米颗粒可以具有包括核和覆盖核的壳的核壳结构。例如，ii-vi族化合物可以选自于：二元化合物，选自于cdo、cds、cdse、cdte、zno、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs和它们的任意组合；三元化合物，选自于cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns和它们的任意组合；以及四元化合物，选自于hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete和hgznste和它们的任意组合，或者它们的合金。例如，iii-v族化合物可以选自于：二元化合物，选自于gan、gap、gaas、aln、alp、alas、inn、inp、inas、insb和它们的任意组合；三元化合物，选自于ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、inpas、inpsb、gaalnp和它们的任意组合；以及四元化合物，选自于gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb和它们的任意组合，或者它们的合金。例如，iv-vi族化合物可以选自于：二元化合物，选自于sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte和它们的任意组合；三元化合物，选自于snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte和它们的任意组合；以及四元化合物，选自于snpbsse、snpbsete、snpbste和它们的任意组合，或者它们的合金。例如，iv族元素可以选自于si、ge和它们的任意组合。例如，iv族化合物可以选自于二元化合物，所述二元化合物选自于sic、sige和它们的任意组合，或者它们的合金。这里，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以根据浓度分布在同一颗粒中被划分为部分不同的状态。另外，量子约束半导体纳米颗粒可以具有一个量子约束半导体纳米颗粒被其它的量子约束半导体纳米颗粒围绕的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有核中的元素的浓度朝向颗粒的中心变低的浓度梯度。核可以包括从cds、cdse、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、cdte、cdses、cdsete、cdzns、cdznse、gan、gap、gaas、gainp、gainn、inp、inas、inznp和zno或者它们的合金中选择的至少一种化合物。壳可以包括从cds、cdse、znse、znses、zns、znte、cdte、cdo、zno、inp、gan、gap、gainp、gainn、hgs和hgse或者它们的合金中选择的至少一种化合物。在一个或更多个实施例中，多个发光二极管可以包括包含无机材料的至少一个发射层，所述无机材料可以包括由式3表示的钙钛矿化合物：式3[a][b][x]3。在式3中，a可以为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或它们的任意组合，b可以为至少一种二价无机阳离子，x可以为至少一种单价阴离子。在式1中，a可以为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或它们的任意组合。例如，a可以为：i)至少一种单价有机阳离子；ii)至少一种单价无机阳离子；iii)彼此不同的至少两种单价有机阳离子；iv)彼此不同的至少两种单价无机阳离子；或者v)至少一种单价有机阳离子和至少一种单价无机阳离子的组合。在一个实施例中，a可以为(r1r2r3c)+、(r1r2r3r4n)+、(r1r2r3r4p)+、(r1r2r3r4as)+、(r1r2r3r4sb)+、(r1r2n＝c(r3)-nr4r5)+、取代或未取代的环庚三烯鎓、取代或未取代的含氮5元单价阳离子、取代或未取代的含氮6元单价阳离子、li+、na+、k+、rb+、cs+、fr+或它们的任意组合，r1至r5可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c6-c60芳基和-n(q1)(q2)，取代的环庚三烯鎓、取代的含氮5元单价阳离子和取代的含氮6元单价阳离子中的至少一个取代基均独立地可以选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c6-c60芳基和-n(q3)(q4)，q1至q4可以均独立地选自于氢、氘、羟基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基和c6-c60芳基。术语“含氮5元”和“含氮6元”均指包括作为成环原子的至少一个n和至少一个c的有机环基团。例如，“含氮5元环”可以是咪唑、吡唑、噻唑、噁唑、吡咯烷、吡咯啉、吡咯或三唑，“含氮6元环”可以是吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪或哌啶，但是本公开的实施例不限于此。例如，式1中的a可以为(r1r2r3c)+、(r1r2r3r4n)+、(r1r2r3r4p)+、(r1r2r3r4as)+、(r1r2r3r4sb)+、(r1r2n＝c(r3)-nr4r5)+、取代或未取代的环庚三烯鎓、取代或未取代的咪唑鎓、取代或未取代的吡啶鎓、取代或未取代的哒嗪鎓、取代或未取代的嘧啶鎓、取代或未取代的吡嗪鎓、取代或未取代的吡唑鎓、取代或未取代的噻唑鎓、取代或未取代的噁唑鎓、取代或未取代的哌啶鎓、取代或未取代的吡咯烷鎓、取代或未取代的吡咯啉鎓、取代或未取代的吡咯鎓、取代或未取代的三唑鎓、li+、na+、k+、rb+、cs+、fr+或者它们的任意组合，r1至r5可以均独立地选自于：氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i和羟基中的至少一者的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；苯基、萘基、联苯基和三联苯基；均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基中的至少一者的苯基、萘基、联苯基和三联苯基；以及-n(q1)(q2)，取代的环庚三烯鎓、取代的咪唑鎓、取代的吡啶鎓、取代的哒嗪鎓、取代的嘧啶鎓、取代的吡嗪鎓、取代的吡唑鎓、取代的噻唑鎓、取代的噁唑鎓、取代的哌啶鎓、取代的吡咯烷鎓、取代的吡咯鎓、取代的吡咯鎓和取代的三唑鎓中的至少一个取代基可以均独立地选自于：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i和羟基中的至少一者的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；苯基、萘基、联苯基和三联苯基；均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基中的至少一者的苯基、萘基、联苯基和三联苯基；以及-n(q3)(q4)，q1至q4可以均独立地选自于氢、氘、羟基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、联苯基和三联苯基。在一个实施例中，式1中的a可以为(r1r2r3r4n)+、(r1r2r3r4p)+、(r1r2r3r4as)+、(r1r2r3r4sb)+、li+、na+、k+、rb+、cs+、fr+或它们的任意组合，r1至r4可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基和-n(q1)(q2)，q1和q2可以均独立地选自于氢、氘、羟基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基。在一个或更多个实施例中，式1中的a可以为(r1r2r3r4n)+、k+、rb+、cs+、或它们的任意组合，r1至r4可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基和-n(q1)(q2)，q1和q2可以均独立地选自于氢、氘、羟基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基。在一个或更多个实施例中，式1中的a可以为(nh4)+、(ph4)+、(ash4)+、(sbh4)+、(nf4)+、(pf4)+、(ncl4)+、(pcl4)+、(ch3nh3)+、(ch3ph3)+、(ch3ash3)+、(ch3sbh3)+、((ch3)2nh2)+、((ch3)2ph2)+、((ch3)2ash2)+、((ch3)2sbh2)+、((ch3)3nh)+、((ch3)3ph)+、((ch3)3ash)+、((ch3)3sbh)+、((ch3ch2)nh3)+、((ch3ch2)ph3)+、((ch3ch2)ash3)+、((ch3ch2)sbh3)+、(ch2n2h4)+、(c7h7)+、(nh3oh)+、(nh3nh2)+、((ch2)3nh2)+、(ch(nh2)2)+、(c3n2h5)+、(nc4h8)+、((nh2)3c)+、k+、rb+、cs+或它们的任意组合，但是本公开的实施例不限于此。在式1中，b可以是至少一种二价无机阳离子。例如，b可以为：i)至少一种二价无机阳离子；或者ii)彼此不同的至少两种二价无机阳离子。在一个实施例中，式1中的b可以包括稀土金属的二价阳离子、碱土金属的二价阳离子、过渡金属的二价阳离子、后过渡金属的二价阳离子或它们的任意组合。例如，式1中的b可以包括la2+、ce2+、pr2+、nd2+、pm2+、eu2+、gd2+、tb2+、ho2+、er2+、tm2+、yb2+、lu2+、be2+、mg2+、ca2+、sr2+、ba2+、ra2+、pb2+、sn2+或它们的任意组合。在一个实施例中，式1中的b可以包括tm+2、la2+、ce2+、pr2+、nd2+、pm2+、eu2+、gd2+、tb2+、ho2+、er2+、yb2+、lu2+、be2+、mg2+、ca2+、sr2+、ba2+、ra2+、pb2+、sn2+或它们的任意组合，但是本公开的实施例不限于此。在式1中，x可以是至少一种单价阳离子。例如，x可以为：i)至少一种单价阴离子；或者ii)彼此不同的至少两种单价阴离子。在一个实施例中，式1中的x可以包括至少一种卤素阴离子(例如，f-、cl-、br-或i-)。例如，式1中的x可以为：i)至少一种卤化物阴离子；或者ii)彼此不同的至少两种卤化物阴离子。在一个或更多个实施例中，式1中的x可以为i-，但是本公开的实施例不限于此。例如，钙钛矿化合物可以选自于[ch3nh3][pb][i]3、[ch3nh3][pbnsr(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbnmg(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbnca(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbnba(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbneu(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbnyb(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbntm(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbnla(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbnce(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbnpr(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbnnd(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbnpm(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbngd(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbntb(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbnho(1-n)][i]3、[ch3nh3][pbner(1-n)][i]3、[cs][pb][i]3、[cs][pbnsr(1-n)][i]3、[cs][pbnmg(1-n)][i]3、[cs][pbnca(1-n)][i]3、[cs][pbnba(1-n)][i]3、[cs][pbneu(1-n)][i]3、[cs][pbnyb(1-n)][i]3、[cs][pbntm(1-n)][i]]3、[cs][pbnla(1-n)][i]3、[cs][pbnce(1-n)][i]3、[cs][pbnpr(1-n)][i]3、[cs][pbnnd(1-n)][i]3、[cs][pbnpm(1-n)][i]3、[cs][pbngd(1-n)][i]3、[cs][pbntb(1-n)][i]3、[cs][pbnho(1-n)][i]3、[cs][pbner(1-n)][i]3、[rb][pb][i]3、[rb][pbnsr(1-n)][i]3、[rb][pbnmg(1-n)][i]3、[rb][pbnca(1-n)][i]3、[rb][pbnba(1-n)][i]3、[rb][pbneu(1-n)][i]3、[rb][pbnyb(1-n)][i]3、[rb][pbntm(1-n)][i]3、[rb][pbnla(1-n)][i]3、[rb][pbnce(1-n)][i]3、[rb][pbnpr(1-n)][i]3、[rb][pbnnd(1-n)][i]3、[rb][pbnpm(1-n)][i]3、[rb][pbngd(1-n)][i]3、[rb][pbntb(1-n)][i]3、[rb][pbnho(1-n)][i]3、[rb][pbner(1-n)][i]3、[k][pb][i]3、[k][pbnsr(1-n)][i]3、[k][pbnmg(1-n)][i]3、[k][pbnca(1-n)][i]3、[k][pbnba(1-n)][i]3、[k][pbneu(1-n)][i]3、[k][pbnyb(1-n)][i]3、[k][pbntm(1-n)][i]3、[k][pbnla(1-n)][i]3、[k][pbnce(1-n)][i]3、[k][pbnpr(1-n)][i]3、[k][pbnnd(1-n)][i]3、[k][pbnpm(1-n)][i]3、[k][pbngd(1-n)][i]3、[k][pbntb(1-n)][i]3、[k][pbnho(1-n)][i]3、[k][pbner(1-n)][i]3、[ch3nh3][tm][i]3、[ch3nh3][tmnsr(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmnmg(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmnca(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmnba(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmneu(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmnyb(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmnla(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmnce(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmnpr(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmnnd(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmnpm(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmngd(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmntb(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmnho(1-n)][i]3、[ch3nh3][tmner(1-n)][i]3、[cs][tm][i]3、[cs][tmnsr(1-n)][i]3、[cs][tmnmg(1-n)][i]3、[cs][tmnca(1-n)][i]3、[cs][tmnba(1-n)][i]3、[cs][tmneu(1-n)][i]3、[cs][tmnyb(1-n)][i]3、[cs][tmnla(1-n)][i]3、[cs][tmnce(1-n)][i]3、[cs][tmnpr(1-n)][i]3、[cs][tmnnd(1-n)][i]3、[cs][tmnpm(1-n)][i]3、[cs][tmngd(1-n)][i]3、[cs][tmntb(1-n)][i]3、[cs][tmnho(1-n)][i]3、[cs][tmner(1-n)][i]3和它们的任意组合，其中，n是满足0<n<1的实数。这里，例如，n可以是满足0<n≤0.6的实数。在一个实施例中，n可以是满足0.001≤n≤0.6的实数。在一个或更多个实施例中，n可以是满足0.05≤n≤0.4的实数，但是本公开的实施例不限于此。在形成第二电极230之后，可以在均包括像素电极210r、210g和210b、中间层220r、220g和220b以及第二电极230的多个发光二极管200上形成薄膜封装部300，以保护多个发光二极管200免受诸如外部氧或湿气的杂质的影响。多个pa中的每个可以设置有至少一个发光二极管，但是本公开的实施例不限于此。例如，一个pa可以设置有彼此堆叠的至少两个发光二极管。多个发光二极管(例如，至少两个发光二极管)可以均独立地发射具有不同波长的光，或者多个发光二极管可以包括第一发光二极管和第二发光二极管，其中，第二发光二极管吸收来自第一发光二极管的入射光，从而发射波长与入射光的波长不同的光。这里，第二发光二极管可以是包括量子约束半导体纳米颗粒或钙钛矿化合物的发光二极管，但是本公开的实施例不限于此。薄膜封装部300可以扩展为不仅覆盖发光二极管200的顶表面，而且覆盖发光二极管200的侧表面，以与基底100的一部分接触。因此，可以有效地防止或减少外部氧和湿气渗透到发光二极管200中。薄膜封装部300可以包括包含用于形成有机膜的组合物的固化产品的有机膜，所述组合物包括由从式1-1至式1-4选择的一个表示的至少一个uv吸收单元。例如，根据实施例的电子装置可以是包括有机发光器件的有机发光显示装置。这样的有机发光显示装置可以包括多个有机发光器件。因此，根据实施例，有机发光显示装置包括：基底；有机发光单元，包括位于基底上的多个有机发光器件；以及薄膜封装部，位于有机发光单元上且密封有机发光单元，其中，薄膜封装部300包括可固化材料和uv吸收剂。可固化材料和uv吸收剂可以分别被定义为与上述相同。根据本公开的实施例的一方面，提供了一种制备电子装置的方法，所述方法包括：设置具有像素限定单元的基底，所述像素限定单元限定像素区域和非像素区域；设置具有发光二极管的像素区域；以及设置包括有机膜并同时(例如，基本同时)密封发光二极管和像素限定单元的薄膜封装部，其中，设置薄膜封装部包括通过提供并固化薄膜密封组合物来形成有机膜，以同时(例如，基本同时)覆盖发光二极管和像素限定单元，其中，薄膜密封组合物包括至少一种uv吸收剂。基底可以是可用于有机发光显示装置的领域中的任何合适的基底，并可以是均具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整度、易处理性和防水性的无机基底或有机基底。例如，基底可以是由包含sio2作为主要组分的透明玻璃材料制成的无机基底，但是本公开的实施例不限于此。例如，基底可以是具有绝缘性质的有机基底。具有绝缘性质的有机材料可以例如选自于pes、par、pei、pen、pet、pps、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、pc、tac和cap，但是本公开的实施例不限于此。可以通过光刻方法来执行具有像素限定单元的基底的设置，像素限定单元限定像素区域和非像素区域。例如，可以通过使用光敏材料涂覆基底、通过使用暴露像素区域的光掩模使像素区域可选择地暴露于光以及去除像素区域来形成像素限定单元。设置包括有机膜的薄膜封装部可以包括照射波长在大约360nm与大约470nm之间的光。这里，所述光可以具有大约3,000mj(例如，大约1,000mj)的曝光量。根据本公开的实施例的另一方面，提供了一种制备电子装置的方法，所述方法包括：在基底上形成有机发光器件，有机发光器件包括发射层；以及形成密封形成在基底上的有机发光器件的薄膜封装部，薄膜封装部包括有机膜，其中，形成薄膜封装部包括通过提供并固化用于形成有机膜的组合物来形成有机膜，以覆盖有机发光器件，发射层包括有机金属化合物，用于形成有机膜的组合物包括包含可固化材料和uv吸收剂的其固化产品，可固化材料包括(甲基)丙烯酸酯化合物。在一个实施例中，形成有机膜可以包括照射最大发射波长范围在大约360nm与大约470nm之间的光。薄膜封装部、有机发光器件、有机金属化合物、可固化材料、uv吸收剂和有机膜可以分别以与上述相同的方式限定。当根据上述方法制备电子装置时，从外部进入的uv光可以被阻止到达有机发光器件，因此，可以阻止包括在发射层中的有机金属化合物的劣化，从而防止或减少会通过使有机发光器件连续地暴露于uv光而造成的损坏。因此，有机发光器件和包括有机发光器件的电子装置可以具有改善的耐久性。如在此使用的，术语“c1-c60烷基”指具有1个至60个碳原子的直链或支链的脂肪饱和烃单价基团，其示例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如在此使用的，术语“c1-c60亚烷基”指与c1-c60烷基具有基本上相同的结构的二价基团。如在此使用的，术语“c2-c60烯基”指在c2-c60烷基的主链(例如，中间)或端部处具有至少一个碳-碳双键的烃基，其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在此使用的，术语“c2-c60亚烯基”指与c2-c60烯基具有基本上相同的结构的二价基团。如在此使用的，术语“c2-c60炔基”指在c2-c60烷基的主链(例如，中间)或端部处具有至少一个碳-碳三键的烃基，其示例包括乙炔基和丙炔基。如在此使用的，术语“c2-c60亚炔基”指与c2-c60炔基具有基本上相同的结构的二价基团。如在此使用的，术语“c1-c60烷氧基”指由-oa101(其中，a101为c1-c60烷基)表示的单价基团，其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。如在此使用的，术语“c3-c10环烷基”指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，其示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基和环庚基。如在此使用的，术语“c3-c10亚环烷基”指与c3-c10环烷基具有基本上相同的结构的二价基团。如在此使用的，术语“c1-c10杂环烷基”指具有作为成环原子的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子以及1个至10个碳原子的单价单环基团，其示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在此使用的，术语“c1-c10亚杂环烷基”指与c1-c10杂环烷基具有基本上相同的结构的二价基团。如在此使用的，术语“c3-c10环烯基”指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且没有芳香性(例如，所述基团和/或分子不是芳香性的)的单价单环基团，其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在此使用的，术语“c3-c10亚环烯基”指与c3-c10环烯基具有基本上相同的结构的二价基团。如在此使用的，术语“c1-c10杂环烯基”指在其环中具有作为成环原子的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子、1个至10个碳原子以及至少一个双键的单价单环基团。c1-c10杂环烯基的非限制性示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在此使用的，术语“c1-c10亚杂环烯基”指与c1-c10杂环烯基具有基本上相同的结构的二价基团。如在此使用的，术语“c6-c60芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的单价基团，在此使用的c6-c60亚芳基指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。c6-c60芳基的非限制性示例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和基。当c6-c60芳基和c6-c60亚芳基均包括两个或更多个环时，多个环可以彼此稠合(例如，结合在一起)。如在此使用的，术语“c1-c60杂芳基”指具有碳环芳香体系的单价基团，该碳环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的作为成环原子的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子。术语“c1-c60亚杂芳基”指具有碳环芳香体系的二价基团，该碳环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的作为成环原子的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子。c1-c60杂芳基的非限制性示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。当c1-c60杂芳基和c1-c60亚杂芳基均包括两个或更多个环时，多个环可以彼此缩合(例如，结合在一起)。如在此使用的，术语“c6-c60芳氧基”指-oa102(其中，a102为c6-c60芳基)，如在此使用的，术语“c6-c60芳硫基”指-sa103(其中，a103为c6-c60芳基)。如在此使用的，术语“单价非芳香缩合多环基”指具有彼此缩合(例如，结合在一起)的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子且在其整个分子结构中没有芳香性(例如，整个分子不是芳香性的)的单价基团。单价非芳香缩合多环基的示例为芴基。如在此使用的，术语“二价非芳香缩合多环基”指与单价非芳香缩合多环基具有基本上相同的结构的二价基团。如在此使用的，术语“单价非芳香缩合杂多环基”指具有彼此缩合(例如，结合在一起)的两个或更多个环、作为成环原子的除了碳原子(例如，具有1个至60个碳原子)之外的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子且在其整个分子结构中没有芳香性(例如，整个分子不是芳香性的)的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的示例为咔唑基。如在此使用的，术语“二价非芳香缩合杂多环基”指与单价非芳香缩合杂多环基具有基本上相同的结构的二价基团。如在此使用的，术语“c5-c60碳环基”指具有5个至60个碳原子的单环或多环基团，其中，成环原子仅是碳原子。c5-c60碳环基可以为芳香碳环基或非芳香碳环基。c5-c60碳环基可以是环(诸如苯)、单价基团(诸如苯基)或二价基团(诸如亚苯基)。在一个或更多个实施例中，根据连接到c5-c60碳环基的取代基的数量，c5-c60碳环基可以是三价基团或四价基团。如在此使用的，术语“c1-c60杂环基”指：除了除碳(碳原子的数量可以在1个至60个的范围内)的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子作为成环原子之外，与c1-c60碳环基具有基本上相同的结构的基团。取代的c5-c60碳环基、取代的c1-c60杂环基、取代的c3-c10亚环烷基、取代的c1-c10亚杂环烷基、取代的c3-c10亚环烯基、取代的c1-c10亚杂环烯基、取代的c6-c60亚芳基、取代的c1-c60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c60环烷氧基、取代的c3-c10环烷基、取代的c1-c10杂环烷基、取代的c3-c10环烯基、取代的c1-c10杂环烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基中的至少一个取代基可以选自于：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基和c3-c60环烷氧基；均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)和-p(＝o)(q11)(q12)中的至少一者的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基和c3-c60环烷氧基；c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；均取代有选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60环烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)和-p(＝o)(q21)(q22)中的至少一者的c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，q11至q13、q21至q23和q31至q33可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60环烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基。如在此使用的，术语“ph”指苯基，如在此使用的，术语“me”指甲基，如在此使用的，术语“et”指乙基，如在此使用的，术语“ter-bu”或“but”指叔丁基，如在此使用的，术语“ome”指甲氧基。如在此使用的，术语“联苯基”指“取代有苯基的苯基”。换言之，“联苯基”是具有c6-c60芳基作为取代基的取代的苯基。如在此使用的，术语“三联苯基”指“取代有联苯基的苯基”。换言之，“三联苯基”是具有取代有c6-c60芳基的c6-c60芳基作为取代基的苯基。除非另外定义，否则在此使用的*和*'均指与对应式中的相邻原子的结合位。在下文中，将参照合成示例和示例更加详细地描述根据实施例的化合物以及根据实施例的有机发光器件。描述合成示例时使用的表述“使用b代替a”指使用相同(例如，基本相同)的摩尔当量的b代替a。示例示例1-1通过使用表1中示出的化合物和量来制备用于形成有机膜的组合物。表1通过使用喷墨成膜装置(unijetfacility，sg1024)将用于形成有机膜的组合物施用到玻璃基底以形成具有大约10μm的厚度的有机膜，然后暴露于波长为大约390nm的光源，从而固化有机膜。示例1-2制备示例1-1中使用的用于形成有机膜的组合物，然后通过使用喷墨成膜装置和表1的化合物将组合物施用到设置有像素限定层和发光二极管的基底，以形成具有大约10μm的厚度的有机膜。然后，将基底暴露于波长为大约390nm的光源，从而制备包括包含有机膜的薄膜封装部的电子装置。对比示例1-1除了用于形成有机膜的组合物中不包括uv吸收剂之外，以与示例1-1的方式基本上相同的方式来形成有机膜。对比示例1-2除了用于形成有机膜的组合物中不包括uv吸收剂之外，以与示例1-2的方式基本上相同的方式来形成有机膜。评价示例1-1通过使用初始透射率光刻曝光装置(atlas公司，ci3000)来处理示例1-1和对比示例1-1的薄膜封装部以测量曝光透射率(“曝光之后的透射率”)，并将其结果示出图3中。光刻曝光装置配备有氙弧灯，并且在曝光时间期间腔室内部的温度维持在40℃。曝光条件包括恒定灯强度(340nm0.6w/2)总共100小时。参照图3，证明根据示例1-1的薄膜封装部在大约380nm与大约400nm之间的波长范围处的初始平均透射率(5.0％)为对比示例1-1的薄膜封装部在大约380nm与大约400nm之间的波长范围处的初始平均透射率(90.6％)的大约1/18，显示出优异的uv阻挡能力。在暴露于uv灯之后，通过波长为大约405nm处的透射率的增加量来证明耐光固化性。例如，在波长为大约405nm处，示例1-1的薄膜封装部300示出了大约11.0％的初始透射率以及大约12.5％的后曝光透射率，即，透射率变化(通过从后曝光透射率减去初始透射率获得的值)为大约1.5％。同时，在波长为大约405nm处，对比示例1-1的薄膜封装部示出了大约90.6％的初始透射率以及大约91.0％的后曝光透射率。尽管透射率变化小，但是没有可观察到的阻挡uv光的效果。评价示例1-2使对示例1-2和对比示例1-2的电子装置发光，然后测量初始色温(tc)和亮度(l)。评价示例1-1中使用的相同的光刻曝光装置用于曝光，并测量色温(tc)和亮度(l)。然后，通过与初始值进行比较来获得色温(tc)和亮度(l)的变化，并将其结果示出在表2和图4中。表2示例1-2对比示例1-2色温的变化量(δtc)30k1500k亮度的变化量(δl)2％-22％根据评价示例2的结果，根据示例1-2的其中薄膜封装部包括包含uv吸收剂的有机膜的有机发光显示装置能够防止在暴露于uv光时由像素限定层的排气引起的有机发光器件的劣化。示例2-1作为可固化材料，化合物1-1(月桂醇丙烯酸酯)和化合物1-2(1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯)以大约9:1的体积比混合。然后，包括作为uv吸收剂的2-羟基苯并三唑的用于形成有机膜的组合物通过使用喷墨印刷被用来形成厚度为大约10μm的膜，随后被固化，从而形成包括密封基底上的有机发光器件的薄膜密封单元的电子装置，薄膜密封单元包括有机膜。化合物1-1和化合物1-2的混合物在室温(25℃)下示出了大约10cp的低粘度。这里，使用二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦作为光引发剂。化合物1-1化合物1-2对比示例2-1作为可固化材料，使用在室温下具有大约1,000或更大的分子量以及大约5,000cp的高粘度的丙烯酸类聚乙烯氧化物。然后，除了使用狭缝涂覆方法来形成厚度为10μm的层之外，以与示例2-1的方式基本上相同的方式制备密封基底上的有机发光器件的薄膜封装部。对比示例2-2除了用于形成有机膜的组合物中不使用uv吸收剂之外，以与示例2-1的方式基本上相同的方式来制备密封基底上的有机发光器件的薄膜封装部。评价示例2-1：有机膜的透射率的评价在示例2-1以及对比示例2-1和对比示例2-2的电子装置的薄膜封装部中分别测试针对以大约52,000wh/m2的量曝光30分钟的光的初始透射率和后曝光透射率，其结果示出在图5中。参照图5，证明与对比示例2-1和对比示例2-2的电子装置相比，示例2-1的电子装置在大约400nm与大约430nm之间的波长范围内具有低透射率，从而有效地阻挡具有短波长的光。另外，示例2-1的电子装置在可见光线区内维持大约90％的透射率。另外，证明与对比示例2-1的电子装置相比，示例2-1的电子装置具有基于用于增大薄膜封装部的透射率的较长时间的优异的耐光固化性。示例2-1和对比示例2-1中每个的电子装置的薄膜封装部的透射率变化示出在表3中。表3评价示例2-2：发射层的劣化的评价示例2-1的用于形成有机膜的组合物和对比示例2-2的用于形成有机膜的组合物被用来制造fhdrgboled面板，形成的有机膜均用做薄膜封装部的有机膜。为了评价包括在每个oled面板中的有机发光器件的发射层的劣化，使用光刻曝光装置(ci3000，atlas)。光刻曝光装置配备有氙弧灯，并且被构造为能够改变腔室内部的温度。用于评价发射层的劣化的条件包括以大约340nm的波长的大约0.6w/m2的氙灯强度、大约40℃的腔室温度以及100小时的曝光时间。针对每个oled面板，在曝光之后执行发光，以测量色温(tc)和亮度(l)。通过与曝光之前的初始值比较，得到色温的变化(δtc)和亮度的变化(δl)，其结果示出在表4中。另外，在曝光之后，在面板发光之后，使用肉眼观察到包括在每个oled面板中的有机发光器件的劣化，并将其结果示出在图6中。表4示例2-1对比示例2-2色温的变化量(δtc)30k1500k亮度的变化量(δl)2％-22％参照图6和表4，在其中通过使用示例2-1的用于形成有机膜的组合物形成的有机膜包括在薄膜封装部中的oled面板的情况下，证明有效地防止了由于暴露于uv光而导致有机发光器件的劣化。根据本公开的一个或更多个实施例，可以实现这样的电子装置：其能够防止或减少在暴露于uv光的情况下与像素限定层的排气相关的发光二极管的劣化，或者能够防止或减少对包括有机材料的绝缘层或发射层的损坏。应理解的是，在此描述的实施例应仅以描述性的含义而不是出于限制的目的来考虑。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它相似特征或方面。在此使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，并且不意图限制本公开。如在此使用的，除非上下文另外清楚指出，否则单数形式“一”和“一个(种、者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当术语“包括”、“包含”及其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、动作、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、动作、操作、元件、组件和/或它们的组。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。如在此使用的，术语“基本上”、“大约”和相似术语用作近似术语，而不是用作程度术语，并且意图解释将被本领域普通技术人员认可的测量值或计算值的固有偏差。另外，在描述本公开的实施例时“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。如在此所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。另外，术语“示例性”意图指示例或例证。另外，在此陈述的任何数值范围意图包括在所陈述的范围内包含的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。在此陈述的任何最大数值限制意图包括其中包含的所有较低数值限制，在本说明书中陈述的任何最小数值限制意图包括其中包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求的本说明书的权利以明确地陈述在此明确陈述的范围内包含的任何子范围。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在此在形式上和细节上做出各种改变。当前第1页12