显示装置的制作方法

本公开的示例性实施例涉及一种显示装置。

背景技术：

有机发光显示装置包括有机发光元件，该有机发光元件包括空穴注入电极、电子注入电极以及形成在它们之间的有机发射层。有机发光显示装置是自发射显示装置，其中从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中复合，使得从该复合中产生激子并且当激子从激发态跃迁到基态时发光。

有机发光显示装置不需要诸如背光的单独光源，可以由低电压驱动，并且可以具有轻质且薄的结构。另外，有机发光显示装置具有诸如宽视角、高对比度和短响应时间的高品质特性。因此，有机发光显示装置的使用正在增加。然而，如果来自显示装置的外部的湿气或氧渗入显示装置中，则有机发光显示装置的性能会降低。

技术实现要素：

本公开的示例性实施例涉及一种能够防止湿气或氧从外部进入显示装置中的改善的显示装置。

根据本公开的示例性实施例，一种显示装置包括基底、第一电压线、第二电压线和岛坝。基底包括显示区域、设置在显示区域的外围的外围区域以及设置在外围区域中的垫区域。第一电压线设置在外围区域中并且位于显示区域的第一侧与垫区域之间。第二电压线设置在显示区域的其它侧处。岛坝设置在显示区域与垫区域之间。岛坝设置在比第一电压线和第二电压线低的层上。第一电压线包括第一主电压线和第一连接单元。第一连接单元从第一主电压线突出并且朝向垫区域延伸。第二电压线包括第二主电压线和第二连接单元。第二连接单元从第二主电压线的端部突出并且朝向垫区域延伸。岛坝与第一主电压线基本平行地延伸。

在示例性实施例中，岛坝设置在第一连接单元与第二连接单元之间，岛坝的第一端部与第一连接单元叠置，岛坝的与第一端部相对的第二端部与第二连接单元叠置。

在示例性实施例中，基底还包括设置在显示区域与垫区域之间的弯曲区域。堆叠在基底上的无机绝缘层包括形成在与弯曲区域对应的位置处的凹槽。有机材料层设置在凹槽中。岛坝包括与有机材料层相同的材料。

在示例性实施例中，所述显示装置还包括：薄膜晶体管，设置在显示区域中；显示元件，电连接到薄膜晶体管；平坦化绝缘层，设置在薄膜晶体管与显示元件之间；第一坝，设置在外围区域中；以及第二坝，设置在外围区中。第一坝和第二坝与平坦化绝缘层分开，并且岛坝与第一坝和第二坝中的至少一个叠置。

在示例性实施例中，岛坝设置在第一坝和第二坝下方,并且第一坝和第二坝中的至少一个的高度在第一坝和第二坝中的至少一个与岛坝叠置的位置处增大。

在示例性实施例中，显示装置还包括：薄膜晶体管，设置在显示区域中；显示元件，电连接到薄膜晶体管；封装层，密封显示元件；以及无机保护层，设置在岛坝与封装层之间。

在示例性实施例中，封装层包括连续地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。第一无机封装层在第一无机封装层与岛坝叠置的位置处直接接触无机保护层。

在示例性实施例中，显示装置还包括向薄膜晶体管提供数据信号的数据线，并且无机保护层覆盖数据线。

在示例性实施例中，显示装置还包括：平坦化绝缘层，设置在薄膜晶体管与显示元件之间；以及第一坝，与平坦化绝缘层分开并围绕显示区域。无机保护层在平坦化绝缘层与第一坝之间覆盖第一连接单元和第二连接单元。

在示例性实施例中，显示装置还包括：薄膜晶体管，设置在显示区域中；显示元件，电连接到薄膜晶体管；平坦化绝缘层，设置在薄膜晶体管与显示元件之间；第一坝，设置在外围区域中；以及第二坝，设置在外围区域中。第一坝和第二坝与平坦化绝缘层分开。岛坝设置在显示区域与第二坝之间。

根据本公开的示例性实施例，一种显示装置包括：基底，包括显示区域；外围区域，设置在显示区域的外围处；垫区域，设置在外围区域中；以及弯曲区域，设置在显示区域与垫区域之间。显示装置还包括：薄膜晶体管，设置在显示区域中；显示元件，电连接到薄膜晶体管；数据线，向薄膜晶体管提供数据信号；无机保护层，覆盖数据线；第一电压线，设置在外围区域中；以及第二电压线，设置在外围区域中。第一电压线和第二电压线向显示元件提供驱动电压。显示装置还包括：岛坝，设置在显示区域与垫区域之间；封装层，密封显示元件；无机绝缘层，设置在基底上并包括形成在与弯曲区域对应的位置处的凹槽；以及有机材料层，设置在凹槽中。岛坝包括与有机材料层相同的材料,并且无机保护层设置在岛坝与封装层之间。

在示例性实施例中，第一电压线包括设置在显示区域的第一侧与垫区域之间的第一主电压线以及从第一主电压线突出并且朝向垫区域延伸的第一连接单元。此外，第二电压线包括设置在显示区域的其它侧处的第二主电压线以及从第二主电压线的端部突出并且朝向垫区域延伸的第二连接单元。岛坝设置在比第一电压线和第二电压线低的层上，并且与第一主电压线基本平行地延伸。岛坝与第一连接单元和第二连接单元叠置。

在示例性实施例中，岛坝设置在第一连接单元与第二连接单元之间，岛坝的第一端与第一连接单元叠置，岛坝的与第一端相对的第二端与第二连接单元叠置。

在示例性实施例中，无机绝缘层覆盖第一连接单元、第二连接单元以及暴露在第一连接单元与第二连接单元之间的区域中的岛坝。

在示例性实施例中，显示装置还包括设置在薄膜晶体管与显示元件之间的平坦化绝缘层、设置在外围区域中的第一坝以及设置在外围区域中的第二坝。

在示例性实施例中，岛坝设置在显示区域与第二坝之间。

在示例性实施例中，岛坝与第一坝和第二坝中的至少一个叠置。

在示例性实施例中，岛坝设置在比第一坝和第二坝低的层上。

在示例性实施例中，封装层包括连续地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。第一无机封装层在第一无机封装层与岛坝叠置的位置处直接接触无机保护层。

在示例性实施例中，第一无机封装层和第二无机封装层在有机封装层的外侧彼此接触，并且第一无机封装层和第二无机封装层延伸到第一坝的外侧。

附图说明

通过参照附图详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其它特征将变得更加清楚，在附图中：

图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的示例的平面图；

图2是示意性地示出沿图1中所示的线i-i'截取的显示装置的剖面的示例的剖视图；

图3是示意性地示出图1中所示的显示装置的区域a的平面图；

图4是示意性地示出沿图3中所示的线ii-ii'截取的显示装置的剖面的示例的剖视图；

图5是示意性地示出图3中所示的显示装置的区域b的平面图；

图6是示意性地示出沿图5中所示的线iii-iii'截取的区域b的剖面的示例的剖视图；

图7是示意性地示出沿图5中所示的线iv-iv'截取的区域b的剖面的示例的剖视图；并且

图8至图11是分别地且示意性地示出根据本公开的示例性实施例的图3的区域b的示例的平面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更充分地描述本公开的示例性实施例。贯穿附图，同样的附图标记可以指同样的元件。

将理解的是，这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来将一个元件与另一元件区分开，并且所述元件不受这些术语限制。因此，示例性实施例中的“第一”元件在另一示例性实施例中可以被描述为“第二”元件。

除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一种(个/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。

将理解的是，当诸如膜、区域、层或元件的组件被称为“在”另一组件“上”、“连接到”另一组件、“结合到”另一组件或者“与”另一组件“相邻”时，该组件可以直接在所述另一组件上、直接连接到所述另一组件、直接结合到所述另一组件或与所述另一组件直接相邻，或者可以存在中间组件。还将理解的是，当组件被称为“在”两个组件“之间”时，该组件可以是这两个组件之间唯一的组件，或者也可以存在一个或更多中间组件。还将理解的是，当组件被称为“覆盖”另一组件时，它可以是覆盖所述另一组件的唯一组件，或者也可以存在覆盖所述另一组件的一个或更多个中间组件。

为了便于描述，这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“下”、“在……上方”、“上面的”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，除了图中绘出的方位之外，空间相对术语还意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下”的元件随后将被定位“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”和“下”可以包括上方和下方两种方位。

这里，当两个或更多个元素或值被描述为彼此基本相同或彼此大约相等时，将理解的是，所述元素或值彼此等同、彼此不可区分或者如本领域的普通技术人员将理解的彼此可区分但功能性地彼此相同。还将理解的是，当两个组件或方向被描述为彼此基本平行或垂直地延伸时，所述两个组件或方向彼此精确地平行或垂直地延伸，或者如本领域的普通技术人员将理解的在测量误差内彼此近似地平行或垂直地延伸。此外，将理解的是，虽然这里可以根据示例性实施例将参数描述为具有“大约”某个值，但如本领域的普通技术人员将理解的，所述参数可以精确地是测量误差内的某个值或近似地是测量误差内的某个值。

图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的显示装置10的示例的平面图。图2是示意性地示出沿图1中所示的线i-i'截取的显示装置10的剖面的示例的剖视图。图3是示意性地示出图1中所示的显示装置10的区域a的平面图。图4是示意性地示出沿图3中所示的线ii-ii'截取的显示装置10的剖面的示例的剖视图。

显示装置10包括设置有多个像素的显示区域da以及位于显示区域da外围处的外围区域pa。所述多个像素不设置在外围区域pa中。基底100包括显示区域da和外围区域pa。外围区域pa包括垫(pad，或称为“焊盘”)区域pada。垫区域pada是各种电子装置或印刷电路板电附接并设置有第一电压线210和第二电压线220的区域。

图1还可以被理解为示出在制造显示装置10的工艺中的例如基底100的图像的平面图。在最终将制造的显示装置10或诸如包括显示装置10的智能电话的电子装置中，为了使用户可见的外围区域pa的宽度最小化或减小，基底100或其它组件的一部分可以弯曲。

例如，如图3中所示，弯曲区域ba可以通过包括在外围区域pa中而位于垫区域pada与显示区域da之间。在这种情况下，通过在弯曲区域ba中弯曲基底100，垫区域pada的至少一部分可以与显示区域da叠置。设定弯曲方向使得垫区域pada布置在显示区域da后面而不遮蔽显示区域da。因此，用户识别到显示区域da占据显示装置10的大部分。

基底100可以包括各种柔性的或可弯曲的材料，诸如，以聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亚胺(pi)或乙酸丙酸纤维素(cap)为例的高分子树脂。可以对基底100的结构做出各种修改。例如，基底100可以具有多堆叠层结构，所述多堆叠层结构包括分别包含上述高分子树脂的两层以及设置在所述两层之间的阻挡层，该阻挡层包括无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)。

显示区域da中的像素包括显示元件。显示元件可以是例如有机发光器件300。然而，显示元件不限于此。在示例性实施例中，显示区域da包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2、有机发光器件300以及设置在第一薄膜晶体管t1和第二薄膜晶体管t2与有机发光器件300之间的第一平坦化绝缘层141和第二平坦化绝缘层142(见图2)。参照图2更详细地描述像素的结构。

在示例性实施例中，有机发光器件300电连接到第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cst。第一薄膜晶体管t1包括第一半导体层act1和第一栅电极g1，第二薄膜晶体管t2包括第二半导体层act2和第二栅电极g2。

第一半导体层act1和第二半导体层act2可以包括例如非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或有机半导体材料。在示例性实施例中，第一半导体层act1包括第一沟道区c1、第一源区s1和第一漏区d1。第一源区s1和第一漏区d1分别设置在第一沟道区c1的两个相对侧处。在示例性实施例中，第二半导体层act2包括第二沟道区c2、第二源区s2和第二漏区d2。第二源区s2和第二漏区d2分别设置在第二沟道区c2的两个相对侧处。

第一半导体层act1的第一源区s1和第一漏区d1可以分别被理解为第一薄膜晶体管t1的源电极和漏电极。第二半导体层act2的第二源区s2和第二漏区d2可以分别被理解为第二薄膜晶体管t2的源电极和漏电极。

在示例性实施例中，第一栅电极g1和第二栅电极g2设置为分别与第一半导体层act1的第一沟道区c1以及第二半导体层act2的第二沟道区c2叠置。栅极绝缘层120设置在第一栅电极g1与第一半导体层act1之间以及第二栅电极g2与第二半导体层act2之间。第一栅电极g1和第二栅电极g2中的每个可以是例如由包括例如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)中的至少一种的导电材料形成的单层或多堆叠层。

在图2的示例性实施例中，第一栅电极g1和第二栅电极g2设置在同一层上。然而，本公开的示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，第一栅电极g1和第二栅电极g2设置在两个不同的层上。此外，在图2的示例性实施例中，显示装置10被示出为第一栅电极g1和第二栅电极g2分别设置在第一半导体层act1和第二半导体层act2上方的顶栅型显示装置。然而，本公开的示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，显示装置10是第一栅电极g1和第二栅电极g2分别设置在第一半导体层act1和第二半导体层act2下方的底栅型显示装置。

在示例性实施例中，存储电容器cst包括第一存储电容器电极ce1和第二存储电容器电极ce2。第一存储电容器电极ce1和第二存储电容器电极ce2彼此叠置。第一存储电容器电极ce1和第二存储电容器电极ce2可以分别包括包含例如mo、al、cu和ti中的至少一种的低电阻导电材料。

在示例性实施例中，存储电容器cst与第一薄膜晶体管t1叠置。第一薄膜晶体管t1可以是驱动薄膜晶体管。尽管图2示出了存储电容器cst与第一薄膜晶体管t1叠置并且第一存储电容器电极ce1是第一薄膜晶体管t1的第一栅电极g1的示例性实施例，但本公开的示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，存储电容器cst不与第一薄膜晶体管t1叠置。

在示例性实施例中，缓冲层110设置在基底100与第一薄膜晶体管t1和第二薄膜晶体管t2之间。缓冲层110可以包括无机绝缘材料。例如，缓冲层110可以是包括氮氧化硅、氧化硅和氮化硅中的至少一种的单层或多堆叠层。

在示例性实施例中，栅极绝缘层120设置在第一栅极电极g1与第一半导体层act1之间以及第二栅极g2与第二半导体层act2之间。栅极绝缘层120可以包括无机绝缘材料。例如，栅极绝缘层120可以是包括氮氧化硅、氧化硅和氮化硅中的至少一种的单层或多堆叠层。

在示例性实施例中，层间绝缘层130覆盖第一薄膜晶体管t1和第二薄膜晶体管t2。在图2中，层间绝缘层130被示出为包括第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132。根据示例性实施例，第一层间绝缘层131直接设置在第一薄膜晶体管t1和第二薄膜晶体管t2上，并且/或者直接设置在第一存储电容器电极ce1上。第二层间绝缘层132设置在第二存储电容器电极ce2上。第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132中的每个可以是例如包括氮氧化硅、氧化硅和氮化硅中的至少一种的单层或多堆叠层。例如，第一层间绝缘层131可以是由氮化硅形成的单层，第二层间绝缘层132可以是由氮化硅和氧化硅形成的多堆叠层。

在示例性实施例中，数据线dl设置在层间绝缘层130上。数据线dl电连接到开关薄膜晶体管并向其提供数据信号。数据线dl可以是例如包括al、cu、ti及其合金之中的至少一种的单层或多堆叠层。在示例性实施例中，数据线dl是具有ti/al/ti的结构的三层。

在示例性实施例中，无机保护层pvx覆盖数据线dl。无机保护层pvx可以是例如由氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)中的至少一种形成的单层或多堆叠层。无机保护层pvx覆盖并保护暴露在外围区域pa中的布线(例如，图3的第一电压线210和第二电压线220)。例如，在基底100的一部分(例如，外围区域pa的一部分)中，会暴露在与形成数据线dl的工艺相同的工艺中同时形成的布线。尽管布线的暴露部分可能由于用于使下面将描述的像素电极310图案化的蚀刻剂而被损坏，但是因为无机保护层pvx覆盖数据线dl以及与数据线dl同时形成的布线的部分，所以在使像素电极310的图案化期间可以保护布线免受损坏。

在示例性实施例中，驱动电压线pl和数据线dl设置在两个不同的层上。这里，短语“a和b布置/设置在两个不同的层上”表示如下情况：在a与b之间设置至少一个绝缘层，并且在a与b中，一个布置在所述至少一个绝缘层下，而另一个布置在所述至少一个绝缘层上。在示例性实施例中，第一平坦化绝缘层141设置在驱动电压线pl与数据线dl之间。

驱动电压线pl可以是例如包括al、cu、ti及其合金中的至少一种的单层或多堆叠层。例如，驱动电压线pl可以是具有ti/al/ti的结构的三层。尽管图2示出了驱动电压线pl仅设置在第一平坦化绝缘层141上的构造，但本公开的示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，驱动电压线pl通过形成在第一平坦化绝缘层141中的通孔连接到与数据线dl一起形成的下部的附加的电压线。因此，可以减小驱动电压线pl的电阻。

在示例性实施例中，第二平坦化绝缘层142覆盖驱动电压线pl。第一平坦化绝缘层141和第二平坦化绝缘层142可以包括有机材料。有机材料可以包括例如pi、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚苯乙烯(ps)的商业聚合物、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物及其共混物。

在示例性实施例中，有机发光器件300设置在第二平坦化绝缘层142上。有机发光器件300包括像素电极310、对电极330以及设置在像素电极310与对电极330之间并包括发射层的中间层320。

在示例性实施例中，像素限定层150设置在第二平坦化绝缘层142和像素电极310上。像素限定层150通过包括与每个像素对应的开口来限定像素，其中，开口至少暴露对应的像素电极310的中心部分。在示例性实施例中，像素限定层150增大像素电极310的边缘与对电极330的边缘之间的距离，从而防止在像素电极310的边缘与对电极330的边缘之间发生电弧。像素限定层150可以例如由包括pi、六甲基二硅氧烷等的有机材料形成。

在示例性实施例中，像素电极310通过第一连接金属cm1和第二连接金属cm2连接到包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cst的像素电路。

中间层320可以包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层320包括低分子量材料时，中间层320可以具有空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)等单次地或多次地堆叠的结构。低分子量材料可以包括诸如以铜酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb)或三-8-羟基喹啉铝(alq3)为例的各种有机材料。可以通过使用真空沉积法来形成这些层。

当中间层320包括聚合物材料时，中间层320通常可以具有包括htl和eml的结构。在这种情况下，htl可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(pedot)，并且eml可以包括诸如以聚苯撑乙烯撑(ppv)和聚芴为例的聚合物材料。然而，中间层320的结构不限于上述构造，并且中间层320可以具有各种结构中的任何一种。例如，在示例性实施例中，中间层320可以包括与多个像素电极(每个像素电极与像素电极310等同)对应的一体层，或者图案化为分别与多个像素电极310对应的多个层。

一方面，在本实施例中，中间层320，例如，发光层(eml)可以包括量子点(quantumdot)物质。量子点的核可以选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物及其组合。

ii-vi族化合物可以选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，所述二元化合物选自cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mese、mgs及其混合物；所述三元化合物选自agins、cuins、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns及其混合物；所述四元化合物选自hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste及其混合物。

iii-v族化合物可以选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，所述二元化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb及其混合物；所述三元化合物选自ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp及其混合物；所述四元化合物选自gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb及其混合物。

iv-vi族化合物可以选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，所述二元化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte及其混合物；所述三元化合物选自snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte及其混合物；所述四元化合物选自snpbsse、snpbsete、snpbste及其混合物。iv族元素可以选自si、ge及其混合物。iv族化合物可以是选自sic、sige及其混合物的二元化合物。

此时，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于粒子內，或者可以以浓度分布分为部分不同的状态存在于相同的粒子內。此外，一个量子点也可以具有围绕其他量子点的核/壳的结构。核和壳的界面可以具有存在于壳中的元素浓度朝向中心降低的浓度梯度(gradient)。

在一些实施例中，量子点可以具有包括包含上述纳米结晶的核和包围所述核的壳的核-壳结构。所述量子点的壳可以用作防止所述核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或用作赋予量子点电泳特性的充电层(charginglayer)。所述壳可以是单层或多层。核和壳的界面可以具有存在于壳中的元素浓度朝向中心降低的浓度梯度。所述量子点的壳的例子包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合。

例如，所述金属或非金属氧化物可以举例为sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和nio等的二元化合物或mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和comn2o4等的三元化合物，但本发明不限于此。

所述半导体化合物可以举例为cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但本发明不限于此。

量子点可以具有约45nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)，优选为40nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽，更优选为约30nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽，并且在此范围内，可以改善色纯度或色彩再现性。而且，通过所述量子点发射的光在前方向上发射，从而可以提高宽视角。

量子点的形状为本领域常用的形式而没有特别限制，但是更具体地说，可以使用球形、金字塔形、多臂形(multi-arm)或立方形(cubic)的纳米粒子、纳米管、纳米线、纳米纤维和纳米板状粒子等的形式。

量子点可以根据粒子大小调节发射光的颜色，因此量子点可以具有如蓝色、红色和绿色等的各种发光颜色。

在示例性实施例中，对电极330覆盖显示区域da。例如，对电极330可以形成为一体型，以覆盖均与有机发光器件300等同的多个有机发光器件。

封装层400设置在对电极330上。封装层400保护有机发光器件300免受来自显示装置10的外部的湿气或氧的影响。例如，封装层400密封有机发光器件300。为了保护有机发光器件300，封装层400在设置有有机发光器件300的显示区域da上以及在显示区域da的外围处的外围区域pa上延伸。如图2中所示，封装层400可以包括多堆叠层结构。例如，在示例性实施例中，封装层400包括顺序地堆叠的第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。

第一无机封装层410形成在对电极330上，并且可以包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。第一无机封装层410可以沿设置在第一无机封装层410下方的结构保形地形成。

在示例性实施例中，有机封装层420设置在第一无机封装层410上并且足够厚，使得有机封装层420的上表面是基本平坦的。有机封装层420可以包括例如pet、pen、聚碳酸酯、pi、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、par和六甲基二硅氧烷中的至少一种。

第二无机封装层430覆盖有机封装层420。第二无机封装层430可以包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。在示例性实施例中，第一无机封装层410和第二无机封装层430具有比有机封装层420的面积大的面积，并且在有机封装层420外部彼此接触。因此，在示例性实施例中，由于第一无机封装层410和第二无机封装层430，有机封装层420不暴露于外部。

如上所述，根据本公开的示例性实施例，由于封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430，通过使用这种多层结构，即使在封装层400中出现裂纹，裂纹也不会在第一无机封装层410和有机封装层420之间连接，或者在有机封装层420与第二无机封装层430之间连接。因此，在示例性实施例中，可以防止或减少来自外部的湿气或氧经由其渗入显示区域da中的路径的形成。

在示例性实施例中，第一电压线210和第二电压线220设置在外围区域pa中。第一电压线210和第二电压线220中的每个向有机发光器件300提供驱动电压。另外，在示例性实施例中，弯曲区域ba设置在在外围区域pa中。

例如，在示例性实施例中，第一电压线210是第一电源电压(elvdd)线，第二电压线220是第二电源电压(elvss)线。在示例性实施例中，第二电压线220直接连接到对电极330或经由另外的布线连接到对电极330。

在示例性实施例中，如图1中所示，第一电压线210设置在显示区域da的一侧(例如，显示区域da的第一侧)与垫区域pada之间。在示例性实施例中，第一电压线210包括第一主电压线212和第一连接单元214。第一主电压线212和第一连接单元214设置为与显示区域da的所述一侧对应。例如，当显示区域da是矩形时，第一主电压线212可以被设置为与显示区域da的任意一侧对应。在示例性实施例中，第一主电压线212与所述任意一侧基本平行并且具有比所述任意一侧的长度大的长度。与第一主电压线212对应的任意一侧是与垫区域pada相邻的一侧。

在示例性实施例中，第一连接单元214从第一主电压线212突出并沿第一方向延伸。第一方向是从显示区域da向垫区域pada延伸的方向。第一连接单元214可以连接到垫单元。

在示例性实施例中，第二电压线220设置在显示区域da的其它侧(例如，显示区域da的其处未设置第一电压线210的侧)处。例如，在示例性实施例中，第二电压线220围绕显示区域da的其余侧(例如，显示区域da的未设置有第一电压线210的其余侧)。例如，参照图1的示例性实施例，显示装置10包括四个侧，第一电压线210设置在显示区域da的第一侧与垫区域pada之间，并且第二电压线220围绕显示区域da的其余的三个侧(例如，除了第一侧之外的侧)。在示例性实施例中，第二电压线220包括与第一主电压线212的两个相对端部以及显示区域da的剩余的侧对应的第二主电压线222，以及从第二主电压线222的端部朝向第一方向突出并沿第一方向延伸的第二连接单元224。第二连接单元224可以连接到垫单元。

如上所述，如图3中所示，本公开的示例性实施例包括弯曲区域ba。设置在显示区域da与垫区域pada之间的弯曲区域ba是去除了缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的部分的区域。在下文中，缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130统称为无机绝缘层il。无机绝缘层il可以被理解为在与弯曲区域ba对应的位置处包括凹槽的层(见图4)。通过从弯曲区域ba中去除无机绝缘层il的一部分，可以在弯曲区域ba中容易地执行弯曲操作，并且可以防止在弯曲操作期间在无机绝缘层il中出现裂纹。

在示例性实施例中，用有机材料层160填充去除了无机绝缘层il的区域。

在示例性实施例中，主要设置在弯曲区域ba中的有机材料层160延伸到与弯曲区域ba相邻的非弯曲区域。有机材料层160可以补偿无机绝缘层il被去除的弯曲区域ba的高度差，并且吸收由弯曲操作引起的应力。因此，根据本公开的示例性实施例，有效地减少了由于对设置在弯曲区域ba中并用于将电信号从设置在垫区域pada中的垫(pad，或称为“焊盘”)单元传输到显示区域da的各种类型布线的弯曲操作而造成的应力的集中。

有机材料层160可以包括例如丙烯酸、甲基丙烯酸、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、pet、pen、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、par和六甲基二硅氧烷中的至少一种。

图5是示意性地示出图3中所示的显示装置10的区域b的示例的平面图。图6是示意性地示出沿图5中所示的线iii-iii'截取的区域b的剖面的示例的剖视图。图7是示意性地示出沿图5中所示的线iv-iv'截取的区域b的剖面的示例的剖视图。

首先，参照图5，在外围区域pa(见图1)中，去除第二平坦化绝缘层142的一部分。当去除了第二平坦化绝缘层142的一部分时，也去除了设置在第二平坦化绝缘层142下的第一平坦化绝缘层141(见图2)。因此，当在下文中描述第二平坦化绝缘层142时，第二平坦化绝缘层142的描述也可以应用于第一平坦化绝缘层141(见图2)。

去除了第二平坦化绝缘层142的区域围绕显示区域da。因此，防止来自外部的湿气通过由有机材料形成的第二平坦化绝缘层142和第一平坦化绝缘层141渗入显示区域da中。

根据示例性实施例，尽管至少第一连接单元214和第二连接单元224会暴露在去除了第二平坦化绝缘层142的区域中，但是由于无机保护层pvx形成在第一连接单元214和第二连接单元224上方，因此在使像素电极310(见图2)图案化的工艺期间，可以保护第一连接单元214和第二连接单元224免受损坏。

根据示例性实施例，当形成封装层400(见图2)时，更具体地，当形成有机封装层420时，限定的是使用于形成有机封装层420的材料涂覆在先前设定的区域中。为了限定所述材料，如图5中所示，第一坝610可以布置在外围区域pa(见图1)中。第一坝610位于外围区域pa(见图1)中以与第二平坦化绝缘层142分开。

第一坝610可以具有多堆叠层结构。例如，如图7中所示，在示例性实施例中，第一坝610具有第一层611、第二层613和第三层615连续地堆叠的结构。在示例性实施例中，第一层611与第二平坦化绝缘层142同时形成并由与第二平坦化绝缘层142相同的材料形成，第二层613与像素限定层150同时形成并由与像素限定层150相同的材料形成。可以通过使用与第二层613的材料相同的材料在第二层613上附加地形成第三层615。

第一坝610支撑用于形成有机发光器件300(见图2)的中间层320(见图2)或对电极330(见图2)的掩模，并且可以保护先前形成的组件免于接触掩模并被损坏。此外，在于第一无机封装层410上形成有机封装层420期间，第一坝610可以防止用于形成有机封装层420的材料在基底100的边缘方向上移动。

如图7中所示，在示例性实施例中，第一无机封装层410和第二无机封装层430覆盖第一坝610并延伸到第一坝610外侧的区域。因此，可以更有效地防止湿气和氧从外部渗入显示装置10。

在示例性实施例中，第二坝620形成在比第一坝610更内侧的位置处。在示例性实施例中，由于第二坝620包括可以与第一坝610的第二层613同时形成并由与第一坝610的第二层613相同的材料形成的下层623以及可以与第一坝610的第三层615同时形成并由与第一坝610的第三层615相同的材料形成的上层625，因此第二坝620的高度比第一坝610的高度小。在示例性实施例中，第一坝610和第二坝620与第二平坦化绝缘层142分开。例如，在示例性实施例中，第一坝610和第二坝620分别是由与第二平坦化绝缘层142的材料不同的材料制成的不同组件。

如上所述，根据本公开的示例性实施例，通过覆盖显示区域da(见图1)，第一坝610和第二坝620可以防止用于形成有机封装层420的材料朝向基底100的边缘扩散。因此，可以防止在有机封装层420处形成边缘尾部。

然而，由于在第二平坦化绝缘层142被去除的区域中的台阶差的快速变化，当涂覆用于形成有机封装层420的有机封装材料(例如，液体有机材料)时，用于形成有机封装层420的材料的回流在第二平坦化绝缘层142被去除的区域中会更剧烈。此外，随着外围区域pa的宽度减小/最小化，第一坝610与第二坝620之间的距离逐渐减小。因此，会难以限制用于形成有机封装层420的材料的流动。由于用于形成有机封装层420的材料沿第一连接单元214和第二连接单元224的侧在朝向垫区域pada(见图1)的方向上比在形成第一坝610和第二坝620所沿的方向上扩散得快，为了防止在有机封装层420处形成边缘尾部，应该中断用于形成有机封装层420的材料向垫区域pada(见图1)的扩散。

为此，在示例性实施例中，附加地形成与第一主电压线212基本平行地延伸的岛坝162。例如，岛坝162的长度方向与第一主电压线212基本平行地延伸。岛坝162可以部分地形成在用于形成有机封装层420的材料具有强流动的区域中。例如，在示例性实施例中，岛坝162位于显示区域da(见图1)与垫区域pada(见图1)之间。更具体地，在示例性实施例中，岛坝162位于使得其同时与第一连接单元214和第二连接单元224叠置的位置中。在示例性实施例中，岛坝162在与第一连接单元214和第二连接单元224延伸的方向基本垂直的方向上延伸。在示例性实施例中，岛坝162的两个相对端部分别与第一连接单元214和第二连接单元224叠置。例如，在示例性实施例中，岛坝162的第一端部与第一连接单元214叠置，岛坝162的与岛坝162的第一端部相对的第二端部与第二连接单元224叠置。

在示例性实施例中，岛坝162包括与前述有机材料层160(见图4)的材料相同的材料。例如，在示例性实施例中，岛坝162与有机材料层160(见图4)同时形成并由与有机材料层160的材料相同的材料形成。因此，在示例性实施例中，岛坝162设置在比第一连接单元214和第二连接单元224低的层上，并且无机保护层pvx覆盖第一连接单元214与第二连接单元224之间的区域的上表面。

如上所述，当岛坝162形成在用于形成有机封装层420的材料具有强流动的区域中时，在用于形成有机封装层420的材料的流动中引起阻力。因此，根据示例性实施例，当涂覆用于形成有机封装层420的材料时，可以有效地防止用于形成有机封装层420的材料越过第一坝610并且扩散到基底100的边缘。

在示例性实施例中，无机保护层pvx形成在岛坝162上，并且岛坝162不直接接触第一无机封装层410。例如，由于第一无机封装层410在第一无机封装层410与岛坝162叠置的位置处直接接触无机保护层pvx，因此第一无机封装层410的结合强度不由于接触由有机材料形成的岛坝162而减弱。因此，岛坝162可以形成在各种位置处。例如，尽管图5示出了岛坝162设置在第二坝620内侧的示例性实施例，但本公开的示例性实施例不限于此。例如，根据示例性实施例，可以在各种位置处形成多个岛坝。

图8至图11是示意性地示出图3中所示的显示装置10的区域b的示例性实施例的平面图。在下文中，为了便于解释，可以省略先前参照图5至图7描述的元件和工艺的进一步描述。

图8示出了岛坝162b位于第一坝610与第二坝620之间的示例性实施例。由于岛坝162b用于对用于形成有机封装层420(见图2)的材料的流动提供阻力，所以即使当岛坝162b设置在第一坝610与第二坝620之间时，岛坝162b仍然控制用于形成有机封装层420(见图2)的材料的回流。岛坝162b可以与参照图7描述的岛坝162同时形成。

如图9中所示，在示例性实施例中，岛坝162c设置在第一坝610外侧的位置处。与以上所描述的类似，在示例性实施例中，即使当岛坝162c设置在第一坝610外侧，岛坝162c仍然控制用于形成有机封装层420(见图2)的材料的回流，并且由于岛坝162c不直接接触第一无机封装层410(见图2)，第一无机封装层410的粘合性质不减弱。岛坝162c可以与图8的岛坝162b或参照图7描述的岛坝162同时形成。

图10示出了岛坝162d形成在与第二坝620叠置的位置处的示例性实施例。在示例性实施例中，当岛坝162d与第二坝620叠置时，第二坝620的高度在与岛坝162d叠置的部分处局部地增大。因此，可以更有效地防止用于形成有机封装层420(见图2)的材料的回流。然而，本公开的示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，岛坝162d也与第一坝610叠置。作为另一示例，如图11中所示，在示例性实施例中，形成岛坝162e，使得其同时与第一坝610和第二坝620两者叠置。在这种情况下，在示例性实施例中，第一坝610和第二坝620中的至少一个的高度在叠置区域中增大。例如，第一坝610和第二坝620中的至少一个在叠置区域(与岛坝162e相关)中的高度可以比在非叠置区域(与岛坝162e相关)中的高度大。在这些示例性实施例中，岛坝(例如，162d、162e)可以设置在第一坝610和第二坝620下方。

根据本公开的示例性实施例，通过防止在有机封装层处形成边缘尾部，可以防止来自外部湿气或氧渗入显示装置中。

尽管已经参照本公开的示例性实施例具体地示出并描述了本公开，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离本公开的由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式上和细节上的各种改变。