技术特征：
技术总结
一种电子束检测样品及检测方法，检测方法包括提供晶圆，所述晶圆表面形成有半导体器件；在所述半导体器件表面覆盖氧化层；电子束照射所述半导体器件，利用逸出的二次电子来反应被检测的所述半导体器件表面的形貌特征，在所述半导体器件表面形成所述氧化层，电子束照射时要通过所述氧化层之后再进入所述半导体结构表面，所述氧化层避免电子束能量直接照射到所述半导体器件内部，防止所述半导体器件内电流变大产生电弧击穿，提高检测效率。
技术研发人员：李丰阳;黄仁德;方桂芹
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2019.04.10
技术公布日：2019.06.07