半导体锯切方法和系统与流程

本发明总体涉及半导体器件和制造，更具体地涉及用于锯切半导体晶圆的方法和系统。

背景技术：

半导体器件用于许多应用中。在半导体器件的制造过程中，一个步骤涉及晶圆切块。晶圆切块是将半导体晶圆切割成组装在晶圆上的分离的单个芯片或块的过程。通常将晶圆放置并固定或水平安装在切割台的顶上。晶圆框架用于支撑晶圆，晶圆通常放置在胶带上，胶带的一侧具有粘性表面，该表面在锯切期间保持晶圆。包括用于操纵转动圆形刀片的主轴组件的锯切设备被定位于所固定的晶圆的顶上。为此目的，通过沿着在晶圆上预先定义的锯切道来切割，将晶圆锯切成单个的芯片。

技术实现要素：

根据一个方面，一种制造集成电路的方法包括锯切半导体晶圆，将多个管芯附接到多个引线框架，将多个管芯中的每个管芯互连到多个引线框架中的对应引线框架，以及在引线框架上的任何管芯的至少一部分上和引线框架的至少一部分上对每个引线框架施加模塑化合物。锯切半导体晶圆包括提供切割台，将半导体晶圆固定在锯切位置中，以及将旋转锯切刀片施加到被固定在锯切位置中的晶圆，以将晶圆切割成分离的多个管芯。半导体晶圆的锯切还包括在靠近旋转锯切刀片接触半导体晶圆的位置处将用于冷却的第一流体施加到半导体晶圆，以及将第二流体施加到半导体晶圆的基本上全部的暴露侧。施加第二流体包括使用靠近切割台并耦合(couple)到切割台的流体喷射器元件。当半导体晶圆安装在锯切位置中时，流体喷射器元件定位在半导体晶圆的边缘附近，以将第二流体喷射通过半导体晶圆的基本上全部的暴露侧并且基本上平行于暴露侧。

根据一个方面，一种制造集成电路的方法包括沿着形成在半导体晶圆上的一个或更多个道将半导体晶圆锯切成分离的管芯，将多个管芯附接到多个引线框架，将多个管芯中的每个管芯互连到多个引线框架的对应引线框架，并在引线框架上的任何管芯的至少一部分上和引线框架的至少一部分上对每个引线框架施加模塑化合物。将半导体晶圆锯切成分离的管芯的方面包括沿着一个或更多个道切割半导体晶圆以形成多个管芯，其中半导体晶圆具有第一侧和第二侧，并且其中第一侧被暴露。将半导体晶圆锯切成分离的管芯的方面还包括在靠近半导体晶圆被切割的位置处施加第一流体用于冷却，并且以流体层的形式喷射(至少在锯切期间)第二流体或清洁流体通过半导体晶圆的基本上全部的第一侧，以去除否则将驻留于半导体晶圆的第一侧上的任何第一流体。

根据一个方面，一种用于将半导体晶圆切块成分离的管芯的方法包括：将半导体晶圆安装在可移动切割台上，切割半导体晶圆，以及至少在切割期间，喷射清洁流体通过半导体晶圆的暴露侧，其中清洁流体完全覆盖半导体晶圆。完全覆盖意为至少90％的暴露侧有清洁流体移动通过暴露侧。喷射清洁流体是去除驻留在半导体晶圆的暴露侧上的液体的任何其他液体的流体。喷射清洁流体包括基本上形成清洁流体层，该清洁流体层基本上平行于半导体晶圆的暴露侧的平面越过半导体晶圆，以去除半导体晶圆的暴露侧上的任何流体，例如冷却流体。

根据一个方面，一种用于锯切半导体晶圆的系统包括用于接收半导体晶圆并具有锯切配置的可移动切割台，与用于切割半导体晶圆的切割台相关联的切块锯，以及耦合到可移动台的流体喷射器元件。流体喷射器元件包括多个喷嘴，该多个喷嘴被配置成产生通过半导体晶圆并提供完全覆盖的流体层。本文公开了其他方面。

附图说明

图1是用于锯切半导体晶圆的包括流体喷射器元件的说明性系统的示意性透视图；

图2是用于锯切半导体晶圆的包括流体喷射器元件的说明性系统的一部分的示意性透视图；

图3是用于锯切半导体晶圆的包括流体喷射器元件的说明性系统的一部分的正视示意图；

图4是用于锯切半导体晶圆的包括流体喷射器元件的说明性系统的一部分的示意性透视图；

图5是说明性切割台和流体喷射器元件的示意性透视图；

图6是说明性切割台上的半导体晶圆的示意性平面图，其中流体喷射器元件将流体喷射通过半导体晶圆；

图7是说明性流体喷射器元件的一部分的示意性透视图；和

图8是用于将半导体晶圆切块成分离的管芯的说明性方法的流程图。

具体实施方式

晶圆切块是将半导体晶圆切割成组装在晶圆上的分离的单个微电子芯片或块的过程。通常将晶圆放置并固定或水平安装在切割台的顶上。晶圆框架用于支撑晶圆，晶圆通常放置在胶带上，胶带的一侧具有粘性表面，该表面在锯切期间保持晶圆。包括用于操纵转动或旋转圆形刀片的主轴组件的锯切设备被定位于所固定的晶圆的顶上。通过沿着在晶圆上预先定义的锯切道来切割，将晶圆锯切成单独的芯片。

水喷嘴可用于在切割位置处的锯切过程期间对晶片喷雾。这种湿的环境会引起问题。有时，铝可以与薄膜金属化一起使用，用于接触硅并在集成电路上形成互连线。为了解决电迁移问题，可以将铜添加到铝中以形成合金。铜含量可以变化，例如在一次应用中，重量0.5％至4.5％。随着铝铜(al-cu)合金的使用，在晶圆制造和后晶圆制造组装期间，膜对腐蚀的敏感性增加。在湿的切割环境中，已知三种类型的腐蚀：伽凡尼电池或异种金属电池、浓差电池和电解电池。腐蚀需要两个电极，互连溶液和驱动力。

湿的切割环境促进腐蚀，并且当半导体晶圆包含铜时是一个问题。例如，在制造具有有源电路上的键合(boac)的集成电路(ic)中，在没有解决驻留水的情况下，高于期望的故障率可能导致焊盘上的不粘键合(nsop)的形式。这是由于boac的电偶键合焊盘腐蚀。腐蚀是由pmoat键合焊盘上的氧化铜颗粒的电镀引起的，导致导线键合处的nsop错误。

不受理论的限制，在锯切过程中，铜离子进入锯切水中并沉积到阴极键合焊盘上，这是由相邻p-深沟(p-moat)焊盘和n-深沟(n-moat)焊盘之间的电化学电位差引起的。一旦铜沉积在钯上，它就会被氧化而引起腐蚀。锯切水提供互连离子溶液，其允许发生氧化还原反应。

对于在芯片上具有pd、ni、cu到boac连接的晶圆，反应如下。在p-moat侧，它将是：

cu⁺+1e^-→cu⁰

2h⁺+2e^-→h2

o2+4h⁺+4e^-→h2o

在n-moat侧，它将是:

cu⁰→cu⁺+1e^-

cu2o→2cu⁺+2e^-+1/2o2

cu2o→2cu⁺+o^2-

本文的方法和系统中呈现的减少驻留水的方法适用于没有铜的晶圆，但铜是一个突出的考虑。

观察到导致腐蚀的一个因素是晶圆暴露于晶圆上的驻留或静止水的时间。为了解决这个问题，形成了通过晶圆的连续水流，以防止在晶圆的顶部或暴露侧上形成汇集或驻留水收集。因此，在一个方面，提供了一种用于将半导体晶圆切块成分离的管芯的方法，其包括将半导体晶圆安装在可移动切割台上，切割半导体晶圆，以及至少在切割半导体晶圆期间，喷射清洁流体通过半导体晶圆的暴露侧，其中清洁流体完全覆盖半导体晶圆。清洁流体的喷射是在其他流体(冷却和润滑)正在被喷射的任何时间或至少在切割期间。清洁流体喷射在切割期间发生，并且可以在切割停止或暂停时停止或暂停该清洁流体喷射。切割后，停止清洁流体喷射。

现在参照附图并且首先参考图1，用于锯切半导体晶圆102的系统100包括用于接收半导体晶圆102的可移动切割台104。可以通过使用胶带103将晶圆102保持在晶圆框架105上，并且然后例如通过真空将半导体晶圆安装或固定在可移动切割台104上，来将半导体晶圆102置于切割位置中。半导体晶圆102可以采用许多形式。在一个示例中，半导体晶圆102包含铜。在一个示例中，半导体晶圆102包括多个集成电路，其中该多个集成电路具有在有源电路上的键合层，该半导体晶圆102还包含铜。

可移动切割台104具有锯切配置。切块锯或切割锯106与切割台104相关联，用于切割半导体晶圆。可移动切割台104在由x轴108和z轴110定义的平面中移动。切块锯106在垂直或y轴112和z轴110中移动。

流体喷射器元件114耦合到可移动切割台104。流体喷射器元件114可通过附接臂116或安装块(参见例如图5中的安装块512)或其他紧固件装置耦合到可移动切割台104。流体喷射器元件114将清洁流体从可移动切割台104的第一边缘120到可移动切割台104的第二边缘122喷射通过半导体晶圆102的第一暴露表面118或暴露侧。如本文所用，“暴露侧”是指半导体晶圆102的向上面朝图1所示定向的一侧，并且该侧位于晶圆的由可移动切割台104支撑并靠着可移动切割台104的一侧的相对侧。由流体喷射器元件114喷射的清洁流体在参考箭头124所示的方向上。喷射清洁流体形成流体膜或流体层，其从第一暴露侧118去除任何驻留液体的流体，例如，驻留液体的流体126。图1中示出了系统100，其中流体喷射器元件114不喷射流体，以便示出在没有运行流体喷射器元件114的情况下将会存在的驻留液体的流体的一个示例。

驻留液体的流体126来自在切割过程中使用的其他流体。切块锯或切割锯106包括在主轴130上的切割刀片128，例如镀金刚石砂轮，其可以每分钟高转速转动或旋转。切割锯106可包括本领域技术人员将理解的各种部件，例如检测器件、对准器件和转移器件，其未进行进一步描述。第一喷嘴132可喷射流体134用于冷却或润滑。第二喷嘴136或第三喷嘴138可以喷射流体140，用于从切割或冷却流体或润滑中去除硅尘或碎屑。由耦合到切割锯106的各种喷嘴132、136、138输送的流体可以在晶圆的第一侧118上形成驻留液体的流体126。此外，驻留液体的流体126促进腐蚀并且在本文中由流体喷射器元件114解决。

流体膜或层由流体喷射器元件114产生，流体喷射器元件114可以耦合到外部晶圆切割台。它随着台104一起移动并喷射清洁流体以推动驻留流体126移动，从而避免在晶圆102上的驻留液体的流体。流体喷射器元件114以产生流体膜或完全覆盖流体层或流体壁的模式来喷射流体通过(例如，基本上平行于)半导体晶圆102的暴露表面118，以去除否则会汇集或聚集在半导体晶圆102的暴露表面118上的任何驻留水126。来自流体喷射器元件114的清洁流体接触从其他喷嘴喷雾的任何冷却/润滑流体，并从半导体晶圆102的暴露侧118去除冷却/润滑流体。此外，这消除或减少了任何驻留液体的流体，例如从其他喷嘴输送的可以促进腐蚀的水。

流体喷射器元件114可包括多个喷嘴(参见例如图2中的216、图3中的322、图4中的417、图5中的520、图7中的702)，其被配置为产生流体层，该流体层通过半导体晶圆102并提供完全覆盖。完全覆盖有助于避免驻留液体的流体126残留。通过在切割期间从流体喷射器元件114喷射流体，来自喷嘴132、136、138的液体的流体从晶圆102的第一表面118被去除，从而减少或消除驻留液体的流体126。当切割过程完成或者如果切割过程暂停时，可以停止从流体喷射器元件114的喷射。

流体喷射器元件114可以与切割台104的一部分上的锁耦合，如将在其他实施例中描述的那样。流体喷射器元件114距切割台104的外边缘(距第一边缘120)一段距离被耦合。该距离可以在5到100mm之间或一些其他尺寸。在一个示例性布置中，流体喷射器元件114距离切割台边缘大于35mm(参见例如图4中的距离416)。在一个示例性布置中，流体喷射器元件114距离切割台边缘大约46mm(参见例如图4中的距离416)。在一个示例性布置中，流体喷射器元件114在x-z平面中的覆盖范围为约400mm，用于说明性应用于全部的300mm晶圆。流体喷射器元件114的集体喷射形成的流体层或膜通过晶圆102并且可以撞击系统100的流体收集部分的一部分。这在图2中清楚地呈现。

参考图2，呈现了用于锯切半导体晶圆202的说明性系统200(类似于图1的系统100)的一部分的说明性示意性透视图。系统200包括在主轴206上的旋转锯切刀片204。半导体晶圆202由可移动台支撑和移动(未明确示出以更清楚地示出其他方面，但类似于图1的台104)。喷嘴208喷射冷却或润滑流体210。流体喷射器元件212从台偏移并因此从半导体晶圆202偏移并喷射清洁流体214。流体喷射器元件212包括多个喷嘴216。在该说明性布置中由流体喷射器元件212的多个喷嘴216喷射的清洁流体214一起形成越过整个晶圆202的层或膜218。清洁流体压力和多个喷嘴216允许层状或膜状的流射出以接触或恰好在晶圆上方的方式通过晶圆的暴露表面，以从操作的其他方面冲击任何驻留水并且由于清洁流体的力而去除驻留水。以这种方式，没有或减少量的驻留流体残留在晶圆202的暴露表面或第一表面220上。在图3的说明性示例中可以清楚地看到喷射的清洁流体的层或膜性质。虽然示出为近乎理想的直线时，应该理解的是，在流中会发生一些变化，但是清洁流体层将被输送，其将去除否则会作为驻留液体的流体残留在暴露表面220上的任何流体。

现在参考图3，呈现了用于锯切半导体晶圆302的包括流体喷射器元件304的说明性系统300的一部分的正视示意图。系统300包括切割锯303，切割锯303在主轴308上具有切割刀片306，主轴308以高转速/分钟(rpm)转动或旋转以切割晶圆302。晶圆302利用胶带311被安装到框架310并且被安装在可移动台312上。多个冷却或润滑喷嘴314耦合到切割锯303，并将第一流体316喷射到晶圆302的第一侧318上，以在切割期间冷却或润滑晶圆。此外，流体316可以不受抑制地在第一侧318上汇集或聚集，但是对于从流体喷射器元件304喷射的清洁流体320，将第一流体316从第一侧318去除或推动其离开第一侧318。

清洁流体320可采用多种形式。在一个示例中，清洁流体320是去离子水(diw)。可以使用其他流体，例如空气。diw通常通过co2鼓泡器以将co2混入其中以控制水的电阻率。清洁流体320以一定速率喷射，以从晶圆302的一端324到另一端326或从台的一端到另一端。该速率随喷嘴规格、晶圆302的尺寸以及从台边缘到晶圆302所在的位置的距离而变化。在一个示例中，流速在4到8升/分钟之间，并且在一个示例中是大约6l/min。如果使用较弱的流速，则覆盖距离可能较小。需要足够的压力以将清洁流体320喷射通过晶圆302并提供完全覆盖。每当切割过程发生时喷射就会发生。

流体喷射器元件304包括多个喷嘴322，但是在该视图中仅可见一个，因为流体喷射器元件304在该示例中是直的并且不像前面的示例那样是弧形的。弧形(参见流体喷射器元件114、212)有助于保持从流体喷射器元件到可移动台的类似距离以确保良好的覆盖，但是可以使用其他形状，例如如图3所示的直的形状。

现在主要参考图4，其是用于锯切半导体晶圆(为了清楚本示例中的其他部分而未示出，但类似于晶圆102、202、302)的包括流体喷射器元件402的说明性系统400的一部分的示意性透视图。系统400包括切割锯404，该切割锯404在转动或旋转的主轴408上具有切割刀片406。切割锯404使切割刀片406朝向切割台410移动。切割台410在安装部分的一端414上具有外边缘412。

流体喷射器元件402耦合到切割台并且在x-z平面中距离安装部分的外边缘412一定距离416放置。该实施例中的流体喷射器元件402是弧形的并且具有多个喷嘴417。

切割锯404还包括多个喷嘴，该多个喷嘴耦合到切割锯404或形成切割锯404的一部分并与切割锯404一起移动。切割锯404包括第一刀片冷却喷嘴418、第二刀片冷却喷嘴420、第一清洁喷嘴422和第二清洁喷嘴424。各种喷嘴418、420、422、424可能会留下驻留的液体或更多的驻留液体，但是对于流体喷射器元件402喷射清洁流体的层或膜(未示出但是类似于图3中的320)则不会。

现在主要参考图5，示出了示例性可移动切割台500和流体喷射器元件502的示意性透视图。切割台500具有安装部分504，安装部分504可包括用于将半导体晶圆(参见，例如302)保持到切割台500的真空孔。切割台500包括用于支撑胶带框架(参见，例如105)的支撑构件506。可移动切割台500根据由切割锯进行切割的需要来移动安装部分504(未示出，但参见例如404)。安装部分504位于平台508上。

流体喷射器元件502通过一个或更多个安装锁510安装到切割台，安装锁510耦合到安装块512，安装块512耦合到流体喷射器元件502。一个或更多个紧固件514可以将安装锁510耦合到平台508或台500的另一部分。同样，一个或更多个紧固件516可以将流体喷射器元件502耦合到安装锁510或直接耦合到平台508。流体线518向流体喷射器元件502提供清洁流体。多个喷嘴或通道喷嘴520被包括作为流体喷射器元件502的一个方面，并且朝向台500的安装部分504瞄准。在此示例中，流体喷射器元件502是弧形的并且具有与台500相同的曲率中心。

现在主要参考图6，其示出了在说明性切割台上的半导体晶圆600的示意性平面图，其中流体喷射器元件602喷射清洁流体604通过半导体晶圆600。晶圆600具有半径606。流体喷射器元件602是弧形的并且具有608。重叠的角度使得提供通过晶圆600的清洁流体604的完全覆盖。

现在主要参考图7，其示出了说明性流体喷射器元件700的一部分的示意性透视图。在该示例中，流体喷射器元件700是塑料构件或弧形壳体701，其具有形成为孔704的多个喷嘴702。孔704之间的间隔706的间隔距离可根据需要变化以在工作压力下喷射和流动时提供完全的流体层或膜。在一个说明性示例中，喷嘴间隔706在2到8mm之间。在另一个例子中，喷嘴间隔是4mm。在另一个示例中，提供了喷射流体层的小轨道或通道。

现在主要参考图8，其呈现了用于将半导体晶圆切块成分离的管芯或块的说明性方法的流程800。该过程开始802于将半导体晶圆安装在可移动切割台上。使用切割锯来切割804晶圆，同时以层或膜的方式喷射806清洁流体通过晶圆的暴露表面，以去除或减少否则将更大量汇集或聚集的驻留液体的流体。这有助于减少腐蚀和可能伴随腐蚀的故障。

在一个说明性过程中，将半导体晶圆放置在切割台上，并且使用晶圆模式对准来定位预定义的锯切道。锯切刀片主轴转动，同时施加水用于冷却或润滑。刀片在y轴方向上切割，同时台在预定义的锯切道上移动晶圆，然后在另一个预定义的锯切道上沿z轴移动。切割台在平面上来回移动以使晶圆沿所需路径被切割。喷嘴沿着预定义的锯切道湿润晶圆。在切割期间，施加清洁水膜或水层，其平行于晶圆的暴露表面的平面并且靠近表面喷射，使得来自其上的其他喷嘴的任何流体被迫离开晶圆。切割完成后，将晶圆转移到清洁台进行整体清洁和干燥。

如本文所用，“半导体晶圆的基本上全部的暴露侧”是指晶圆的暴露侧的至少90％。这里使用的“基本上平行”意味着在10度内。

半导体锯切过程或晶圆切块是集成电路(“ic”)制造过程的一个方面。在切块之前可以减薄晶圆。安装晶圆时其有源表面被暴露。该安装使用被固定到框架上的释放胶带。然后如本文所讨论的那样晶圆被锯切或切块。切块机或切割站使用程序，用于以定义的主轴速度、深度和锯切速率沿锯切道向下驱动锯切刀片，以将晶圆分离成单个的管芯。

每个分离的管芯经历键合或互连过程。分离的管芯通常被拉离可释放的胶带并安装到载体框架或引线框架上。管芯被定向并且管芯附接机器将管芯粘附到框架上。管芯可以被固化在框架上，然后完成导线键合。键合将管芯电耦合到引线框架。

在导线键合或互连之后，施加模塑化合物以覆盖集成电路的一些或全部部件。然后可以使用引线完成过程来准备或增强引线。根据该过程，引线框架上的零件可以被标记，并且可以从条带中将这些封装切单(singulate)出来。形成直的、鸥形或j形弯曲引线或引脚。然后可以检查集成电路并准备装运。

在所呈现的各种布置中，一旦切割半导体晶圆，就从切割站去除半导体晶圆并且将在晶圆上进行精细的清洁过程。半导体晶圆从切割台移动到清洁台。清洁台处的清洁不同于在切割台上的切割过程期间保持驻留液体的流体离开半导体晶圆的暴露侧。清洁流体有助于避免驻留液体，还有助于在切割时排出或去除硅屑或粉末。

喷嘴(参见例如图2中的216、图3中的322、图4中的417、图5中的520、图7中的702)喷射或喷雾清洁流体形成液体的流体层或膜或幕帘，其通过半导体晶圆的暴露侧，具有足够的力以行进通过半导体晶圆的直径而不接触暴露侧，或者在其他布置中可以接触暴露侧，但是由于给予清洁流体的能量，清洁流体仍然从晶圆的远端被带离。此外，清洁流体遇到的任何液体的流体都被冲击并被驱离半导体晶圆的暴露侧。在较长的切割时间期间防止冷却/润滑液体在晶圆的暴露侧汇集尤其可以减少腐蚀。清洁流体层由通过半导体晶圆的宽度的喷嘴提供，从而提供完全覆盖——尽管完全覆盖率可定义为半导体晶圆的表面的90％或更大。在一些布置中，输送清洁流体的喷射器喷嘴通过安装块耦合到可移动台，并随着台移动，保持相对于半导体晶圆的相对位置。

根据一个方面，一种制造集成电路的方法包括锯切半导体晶圆，将多个管芯附接到多个引线框架，将多个管芯中的每个管芯互连到多个引线框架中的对应引线框架，以及在引线框架上的任何管芯的至少一部分上和引线框架的至少一部分上对每个引线框架施加模塑化合物。锯切半导体晶圆包括提供切割台，将半导体晶圆固定在锯切位置中，以及将旋转锯切刀片施加到被固定在锯切位置中的晶圆上，以将晶圆切割成分离的多个管芯。半导体晶圆的锯切还包括在靠近旋转锯切刀片接触半导体晶圆的位置处将用于冷却的第一流体施加到半导体晶圆，以及将第二流体或清洁流体施加到半导体晶圆的基本上全部的暴露侧(对于本文图中的定向为顶部)。施加第二流体包括使用靠近切割台并耦合到切割台的流体喷射器元件(参见例如图2中的216、图3中的322、图4中的417、图5中的520、图7中的702)。当半导体晶圆安装在锯切位置中时，流体喷射器元件被定位在半导体晶圆的边缘附近，以将第二流体喷射通过半导体晶圆的基本上全部的暴露侧并且基本上平行于暴露侧。

根据一个方面，一种制造集成电路的方法包括沿着形成在半导体晶圆上的一个或更多个道将半导体晶圆锯切成分离的管芯，将多个管芯附接到多个引线框架，将多个管芯中的每个管芯互连到多个引线框架的对应引线框架，以及在引线框架上的任何管芯的至少一部分上和引线框架的至少一部分上对每个引线框架施加模塑化合物。将半导体晶圆锯切成分离的管芯的方面包括沿着一个或更多个道切割半导体晶圆以形成多个管芯。半导体晶圆具有第一侧和第二侧，并且第一侧在(对于图中的定向)顶部被暴露或开口。将半导体晶圆锯切成分离的管芯的方面还包括在靠近半导体晶圆被切割的位置处施加第一流体用于冷却，并且以流体层的方式喷射(至少在锯切期间)第二流体或清洁流体通过半导体晶圆的基本上全部的第一侧，以去除否则将驻留于半导体晶圆的第一侧上的任何第一流体。

根据一个方面，一种用于将半导体晶圆切块成分离的管芯的方法包括：将半导体晶圆安装在可移动切割台上，切割半导体晶圆，以及至少在切割期间，喷射清洁流体通过半导体晶圆的暴露侧(对于图中的定向为顶部)，其中清洁流体完全覆盖半导体晶圆。完全覆盖意为至少90％的暴露侧有清洁流体移动通过暴露侧。喷射清洁流体是去除驻留在位于半导体晶圆的暴露侧上的任何其他液体的流体。喷射清洁流体包括基本上形成清洁流体层，该清洁流体层以基本上平行于半导体晶圆的暴露侧的平面越过半导体晶圆，以去除半导体晶圆的暴露侧上的任何流体，例如冷却流体。

根据一个方面，一种用于锯切半导体晶圆的系统包括用于接收半导体晶圆并具有锯切配置的可移动切割台，与用于切割半导体晶圆的切割台相关联的切块锯，以及耦合到可移动台的流体喷射器元件。流体喷射器元件包括多个喷嘴(参见例如图2中的216、图3中的322、图4中的417、图5中的520、图7中的702)，该多个喷嘴被配置成产生通过半导体晶圆并提供完全覆盖的流体层。

在所描述的实施例中，修改是可能的，并且在权利要求的范围内，其他实施例也是可能的。