1.一种用于三维存储器的叠层结构，其特征在于，包括上下交替叠置的牺牲层及栅间介质层；所述叠层结构内形成有沿所述叠层结构的厚度方向贯穿所述叠层结构的沟道通孔，沿所述叠层结构的厚度方向，所述沟道通孔各部分的宽度不尽相同；所述牺牲层的厚度与所述沟道通孔的宽度成正比且所述栅间介质层的厚度与所述沟道通孔的宽度成反比。
2.根据权利要求1所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述沟道通孔下部的宽度小于所述沟道通孔上部的宽度。
3.根据权利要求2所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构下部的各所述牺牲层的厚度相同，位于所述叠层结构上部的各层所述牺牲层的厚度相同；位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构下部的各所述栅间介质层的厚度相同，位于所述叠层结构上部的各层所述栅间介质层的厚度相同。
4.根据权利要求2所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度由下至上依次逐层递增；位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度由下至上依次逐层递减。
5.根据权利要求2所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述牺牲层及所述栅间介质层构成若干个叠层单元，各所述叠层单元均包括若干层所述牺牲层及若干层所述栅间介质层；同一所述叠层单元内各所述牺牲层的的厚度相同，不同所述叠层单元内所述牺牲层的厚度由下至上依次递增；同一所述叠层单元内各所述栅间介质层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅间介质层的厚度由下至上依次逐层递减。
6.根据权利要求2所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度由上至下依次逐层递减；位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递增。
7.根据权利要求2所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述牺牲层及所述栅间介质层构成若干个叠层单元，各所述叠层单元均包括若干层所述牺牲层及若干层所述栅间介质层；同一所述叠层单元内各所述牺牲层的的厚度相同，不同所述叠层单元内所述牺牲层的厚度由上至下依次递减；同一所述叠层单元内各所述栅间介质层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递增。
8.根据权利要求1所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述沟道通孔上部的宽度小于所述沟道通孔下部的宽度。
9.根据权利要求8所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构下部的各所述牺牲层的厚度相同，位于所述叠层结构上部的各层所述牺牲层的厚度相同；位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构下部的各所述栅间介质层的厚度相同，位于所述叠层结构上部的各层所述栅间介质层的厚度相同。
10.根据权利要求8所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度由上至下依次逐层递增；位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递减。
11.根据权利要求8所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述牺牲层及所述栅间介质层构成若干个叠层单元，各所述叠层单元均包括若干层所述牺牲层及若干层所述栅间介质层；同一所述叠层单元内各所述牺牲层的的厚度相同，不同所述叠层单元内所述牺牲层的厚度由上至下依次递增；同一所述叠层单元内各所述栅间介质层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递减。
12.根据权利要求8所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度由下至上依次逐层递减；位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度由下至上依次逐层递增。
13.根据权利要求8所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述牺牲层及所述栅间介质层构成若干个叠层单元，各所述叠层单元均包括若干层所述牺牲层及若干层所述栅间介质层；同一所述叠层单元内各所述牺牲层的的厚度相同，不同所述叠层单元内所述牺牲层的厚度由下至上依次递减；同一所述叠层单元内各所述栅间介质层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅间介质层的厚度由下至上依次逐层递增。
14.根据权利要求1所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：沿所述叠层结构的厚度方向，所述沟道通孔的宽度由上至下依次递减。
15.根据权利要求14所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述牺牲层的厚度由上至下依次逐层递减；所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递增。
16.根据权利要求1所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：沿所述叠层结构的厚度方向，所述沟道通孔的宽度由上至下依次递增。
17.根据权利要求16所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述牺牲层的厚度由上至下依次逐层递增；所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递减。
18.根据权利要求1所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述沟道通孔包括收窄部，所述收窄部距离所述叠层结构的上表面及所述叠层结构的下表面均具有间距；所述收窄部的宽度小于所述沟道通孔其他部分的宽度。
19.根据权利要求18所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：与所述收窄部对应设置的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构中的其他所述牺牲层的厚度；与所述收窄部对应设置的所述栅间介质层的厚度大于所述叠层结构中的其他所述栅间介质层的厚度。
20.根据权利要求1所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述沟道通孔包括扩宽部，所述扩宽部距离所述叠层结构的上表面及所述叠层结构的下表面均具有间距；所述扩宽部的宽度大于所述沟道通孔其他部分的宽度。
21.根据权利要求20所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：与所述扩宽部对应设置的所述牺牲层的厚度大于位于所述叠层结构中的其他所述牺牲层的厚度；与所述扩宽部对应设置的所述栅间介质层的厚度小于所述叠层结构中其他所述栅间介质层的厚度。
22.一种用于三维存储器的叠层结构，其特征在于，包括上下交替叠置的栅极层及栅间介质层；所述叠层结构内形成有沿所述叠层结构的厚度方向贯穿所述叠层结构的沟道通孔，沿所述叠层结构的厚度方向，所述沟道通孔各部分的宽度不尽相同；所述栅极层的厚度与所述沟道通孔的宽度成正比且所述栅间介质层的厚度与所述沟道通孔的宽度成反比。
23.根据权利要求22所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述沟道通孔下部的宽度小于所述沟道通孔上部的宽度。
24.根据权利要求23所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度，且位于所述叠层结构下部的各所述栅极层的厚度相同，位于所述叠层结构上部的各层所述栅极层的厚度相同；位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构下部的各所述栅间介质层的厚度相同，位于所述叠层结构上部的各层所述栅间介质层的厚度相同。
25.根据权利要求23所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度由下至上依次逐层递增；位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度由下至上依次逐层递减。
26.根据权利要求23所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述栅极层及所述栅间介质层构成若干个叠层单元，各所述叠层单元均包括若干层所述栅极层及若干层所述栅间介质层；同一所述叠层单元内各所述栅极层的的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅极层的厚度由下至上依次递增；同一所述叠层单元内各所述栅间介质层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅间介质层的厚度由下至上依次逐层递减。
27.根据权利要求23所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度由上至下依次逐层递减；位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递增。
28.根据权利要求23所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述栅极层及所述栅间介质层构成若干个叠层单元，各所述叠层单元均包括若干层所述栅极层及若干层所述栅间介质层；同一所述叠层单元内各所述栅极层的的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅极层的厚度由上至下依次递减；一所述叠层单元内各所述栅间介质层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递增。
29.根据权利要求23所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述沟道通孔上部的宽度小于所述沟道通孔下部的宽度。
30.根据权利要求29所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度，且位于所述叠层结构下部的各所述栅极层的厚度相同，位于所述叠层结构上部的各层所述栅极层的厚度相同；位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构下部的各所述栅间介质层的厚度相同，位于所述叠层结构上部的各层所述栅间介质层的厚度相同。
31.根据权利要求29所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度由上至下依次逐层递增；位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递减。
32.根据权利要求29所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述栅极层及所述栅间介质层构成若干个叠层单元，各所述叠层单元均包括若干层所述栅极层及若干层所述栅间介质层；同一所述叠层单元内各所述栅极层的的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅极层的厚度由上至下依次递增；同一所述叠层单元内各所述栅间介质层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递减。
33.根据权利要求29所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度由下至上依次逐层递减；位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度由下至上依次逐层递增。
34.根据权利要求29所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：位于所述叠层结构上部的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构下部的所述栅极层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述栅极层及所述栅间介质层构成若干个叠层单元，各所述叠层单元均包括若干层所述栅极层及若干层所述栅间介质层；同一所述叠层单元内各所述栅极层的的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅极层的厚度由下至上依次递减；同一所述叠层单元内各所述栅间介质层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅间介质层的厚度由下至上依次逐层递增。
35.根据权利要求22所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：沿所述叠层结构的厚度方向，所述沟道通孔的宽度由上至下依次递减。
36.根据权利要求35所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述栅极层的厚度由上至下依次逐层递减；所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递增。
37.根据权利要求22所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：沿所述叠层结构的厚度方向，所述沟道通孔的宽度由上至下依次递增。
38.根据权利要求39所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述栅极层的厚度由上至下依次逐层递增；所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递减。
39.根据权利要求22所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述沟道通孔包括收窄部，所述收窄部距离所述叠层结构的上表面及所述叠层结构的下表面均具有间距；所述收窄部的宽度小于所述沟道通孔其他部分的宽度。
40.根据权利要求39所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：与所述收窄部对应设置的所述栅极层的厚度小于位于所述叠层结构中的其他所述栅极层的厚度；与所述收窄部对应设置的所述栅间介质层的厚度大于所述叠层结构中的其他所述栅间介质层的厚度。
41.根据权利要求22所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：所述沟道通孔包括扩宽部，所述扩宽部距离所述叠层结构的上表面及所述叠层结构的下表面均具有间距；所述扩宽部的宽度大于所述沟道通孔其他部分的宽度。
42.根据权利要求41所述的用于三维存储器的叠层结构，其特征在于：与所述扩宽部对应设置的所述栅极层的厚度大于位于所述叠层结构中的其他所述栅极层的厚度；与所述扩宽部对应设置的所述栅间介质层的厚度小于所述叠层结构中其他所述栅间介质层的厚度。
43.一种三维存储器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
如权利要求22至42中任一项所述的叠层结构，位于所述半导体衬底上；
外延层，位于所述沟道通孔的底部；
功能侧壁，位于所述沟道通孔的侧壁表面；及
沟道层，位于所述沟道通孔内，且位于所述功能侧壁的表面及所述外延层的上表面。
44.根据权利要求43所述的三维存储器，其特征在于：所述功能侧壁包括：
阻挡层，位于所述沟道通孔的侧壁表面；
电荷捕获层，位于所述阻挡层的表面；及
隧穿层，位于所述电荷捕获层的表面。
45.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体衬底；
于所述半导体衬底上形成如权利要求1至21中任一项所述的叠层结构；
于所述沟道通孔的底部形成外延层；
于所述沟道通孔的侧壁形成功能侧壁，并于所述功能侧壁的表面及所述外延层的上表面形成沟道层；
于所述叠层结构内形成栅极间隙；
基于所述栅极间隙去除所述牺牲层，以形成牺牲间隙；及
于所述牺牲间隙内形成栅极层。
46.根据权利要求45所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，于所述沟道通孔的侧壁表面形成所述功能侧壁包括如下步骤：
于所述沟道通孔的侧壁表面形成阻挡层；
于所述阻挡层的表面形成电荷捕获层；及
于所述电荷捕获层的表面形成隧穿层。