技术特征：
技术总结
本发明属于半导体芯片钝化技术领域，具体涉及一种含氧多晶硅钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的芯片。本发明提供的一种含氧多晶硅钝化膜的沉积方法，原料硅醚和氧气在常压、低温条件下于反应室内发生化学气相沉积反应，氮气作为携带气体和稀释气体，通过调节氧气与硅醚的摩尔比例，在一定反应条件下将反应产物硅、一氧化硅、二氧化硅的混合物以薄膜的形态沉积于放置在反应室中的晶圆上。该沉积方法可在常压、低温条件下将硅、一氧化硅、二氧化硅多晶钝化膜沉积于晶圆上，无需特气设备及真空设备，方法简单、成本低。
技术研发人员：王永恒;顾在意;王卿璞;任丕尧
受保护的技术使用者：山东宝乘电子有限公司
技术研发日：2019.07.09
技术公布日：2019.10.15