1.一种静电吸盘，所述静电吸盘包括：
吸盘基座；
上板，设置在所述吸盘基座上；以及
内板，设置在所述吸盘基座和所述上板之间，所述内板的第一直径小于所述上板的第二直径。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述内板的第一介电常数小于所述上板的第二介电常数。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其中，所述内板包括聚四氟乙烯。
4.根据权利要求2所述的静电吸盘，所述静电吸盘还包括外部介电环，所述外部介电环围绕所述内板，所述外部介电环的外径等于所述上板的所述第二直径。
5.根据权利要求4所述的静电吸盘，其中，所述外部介电环具有第三介电常数，所述第三介电常数大于所述内板的所述第一介电常数。
6.根据权利要求4所述的静电吸盘，其中，所述外部介电环包括石英。
7.根据权利要求5所述的静电吸盘，所述静电吸盘还包括内部介电环，所述内部介电环设置在所述外部介电环和所述内板之间。
8.根据权利要求7所述的静电吸盘，其中，所述内部介电环具有第四介电常数，所述第四介电常数小于所述外部介电环的所述第三介电常数并且大于所述内板的所述第一介电常数。
9.根据权利要求7所述的静电吸盘，其中，所述内部介电环包括聚醚醚酮、聚苯并咪唑或双轴取向的聚对苯二甲酸乙二醇酯。
10.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述内板的第一厚度是所述上板的第二厚度的一倍至三倍。
11.根据权利要求10所述的静电吸盘，其中，所述内板的所述第一厚度等于或小于20mm。
12.根据权利要求11所述的静电吸盘，其中，所述内板的所述第一厚度的范围在1.7mm和5mm之间。
13.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述内板的所述第一直径的范围在40mm和80mm之间。
14.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述吸盘基座包括：
第一下板；以及
第二下板，设置在所述第一下板上，所述第二下板包括设置在所述第二下板中的凹槽，
其中，所述内板设置在所述第二下板的所述凹槽中。
15.根据权利要求14所述的静电吸盘，其中，所述凹槽设置在所述第二下板的中心部分中。
16.一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：
壳体；
静电吸盘，设置在所述壳体中，并且被构造为容纳基底；以及
边缘环，围绕所述静电吸盘，
其中，所述静电吸盘包括：吸盘基座；上板，设置在所述吸盘基座上；以及内板，设置在所述吸盘基座和所述上板之间，所述内板的第一直径小于所述上板的第二直径。
17.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其中，所述边缘环设置在所述吸盘基座的边缘上并且围绕所述上板的外周，以及
其中，所述内板设置在所述边缘环内，所述内板比所述边缘环薄。
18.根据权利要求17所述的等离子体处理装置，其中，所述静电吸盘还包括外部介电环，所述外部介电环设置在所述边缘环内并且围绕所述内板。
19.根据权利要求18所述的等离子体处理装置，其中，所述静电吸盘还包括内部介电环，所述内部介电环设置在所述边缘环内，并且所述内部介电环设置在所述内板和所述外部介电环之间。
20.根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其中，所述内部介电环与所述内板分隔开10mm或更小。