技术总结
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、凸出于衬底的半导体柱、包围半导体柱部分侧壁的第一半导体掺杂层、位于第一半导体掺杂层上且包围半导体柱部分侧壁的第一栅极结构、以及位于半导体柱顶部的第二半导体掺杂层，第一半导体掺杂层上还形成有露出第一栅极结构和第二半导体掺杂层的顶部的层间介质层；在层间介质层中形成位于第一栅极结构和第二半导体掺杂层顶部的保护层，在与衬底平行的投影面上保护层凸出于第一栅极结构的侧壁；在层间介质层中形成与第一半导体掺杂层相接触的第一插塞。通过保护层，有利于防止第一插塞与第一栅极结构之间容易发生短接的问题。短接的问题。短接的问题。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2019.07.30
技术公布日：2021/2/1