半导体装置封装及其制造方法与流程

本发明涉及一种半导体装置封装及其制造方法，且更特定地涉及一种包含具有非润湿部分的导电结构的半导体装置封装以及其制造方法。

背景技术：

例如封装上封装(pop)或封装内封装(pip)的堆叠式半导体装置封装可包含彼此堆叠的两个或多于两个封装。封装各自可包含其上安置有一或多个电子组件的衬底，且堆叠式封装的衬底通过例如焊料球的焊料材料电连接。采用堆叠式半导体装置封装来减小大小并增加封装的集成密度。然而，焊料球对衬底之间的间隙变化具有低容差，且因此堆叠式半导体装置封装遭受短路或开路电路，低良率及颈缩问题，特别是当发生堆叠式半导体装置封装的翘曲时。

技术实现要素：

在一些实施例中，半导体装置封装包含第一衬底、第二衬底、导电结构、第一焊料及第二焊料。所述第二衬底安置在所述第一衬底上方。所述导电结构安置在所述第一衬底与所述第二衬底之间。所述导电结构包含第一润湿部分、第二润湿部分及安置在所述第一润湿部分与所述第二润湿部分之间的非润湿部分。所述第一焊料覆盖所述第一润湿部分并将所述导电结构连接到所述第一衬底。所述第二焊料覆盖所述第二润湿部分并将所述导电结构连接到所述第二衬底。所述第一焊料通过所述非润湿部分与所述第二焊料间隔开。

在一些实施例中，半导体装置封装包含第一衬底、第二衬底及导电结构。所述第一衬底包含第一表面。所述第二衬底安置在所述第一衬底的所述第一表面上。所述第二衬底包含面向所述第一衬底的所述第一表面的第二表面。所述导电结构安置在所述第一衬底与所述第二衬底之间且电连接到所述第一衬底及所述第二衬底。所述导电结构包含电连接所述第一衬底的第一区段，电连接所述第二衬底的第二区段，及将所述第一区段与所述第二区段分开的台阶区段。

在一些实施例中，一种用于制造半导体装置封装的方法包含以下操作。接纳导电结构。用第一焊料将所述导电结构接合到衬底上。对从所述第一焊料暴露的所述导电结构执行表面处理以形成润湿部分以及介于所述第一焊料与所述润湿部分之间的非润湿部分。用第二焊料将所述导电结构接合到另一衬底，所述第二焊料覆盖所述润湿部分并通过所述非润湿部分与所述第一焊料间隔开。

附图说明

当与附图一起阅读时，自以下详细说明容易地理解本发明的一些实施例的各方面。各种结构可能并未按比例绘制，且为论述的清晰性可任意增加或减小各种结构的尺寸。

图1为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的侧视图。

图1a为图1的半导体装置封装的放大侧视图。

图1b为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的侧视图。

图2a、图2b、图2c、图2d、图2e、图2f及图2g说明根据本发明的一些实施例的用于制造半导体装置封装的操作。

图3为根据本发明的一些实施例的导电结构的示意图。

图4为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的侧视图。

图4a为图4的半导体装置封装的放大侧视图。

图5a、图5b、图5c、图5d及图5e说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的操作。

图6为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的侧视图。

图6a及图6b为图6的半导体装置封装3从不同方向的放大侧视图。

图7a、图7b、图7c、图7d、图7e及图7f说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的操作。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以解释本发明的某些方面。当然，这些仅为实例且并不意欲为限制性。举例来说，在随后描述中将第一特征形成于第二特征上方或其上可包含其中第一特征与第二特征以直接接触方式形成或安置的实施例，且还可包含其中可在第一特征与第二特征之间形成或安置额外特征使得第一特征与第二特征不直接接触的实施例。另外，本发明可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复是出于简约及清楚的目的且自身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

如本文中所使用，空间相对术语，例如“下方”、“下面”、“下部”、“上面”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”等为了便于描述可在本文中用于描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系，如图中所说明。除各图中所绘示的定向外，空间相对术语还意欲涵盖装置在使用或操作中的不同定向。装置可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当元件被称作“连接”或“耦合”到另一元件时，其可直接连接或耦合到另一元件，或可存在介入元件。

本发明提供半导体装置封装及其制造方法。半导体装置封装包含两个或多于两个堆叠式衬底，以及安置在衬底之间且电连接到衬底的导电结构。导电结构包含被焊料材料覆盖的润湿部分，以及润湿部分之间的非润湿部分。非润湿部分的非润湿性质可有助于排斥覆盖润湿部分的焊料材料彼此接触并约束润湿部分中的焊料材料，使得可减轻或避免开路及/或短路，或者可以减轻开路及/或短路。覆盖不同润湿部分的焊料材料可具有不同的熔点，使得先前形成的焊料材料中的一者在形成稍后形成的焊料材料中的另一者期间不会熔化，且可减轻或避免开路及/或短路。

图1为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装1的侧视图，且图1a为图1的半导体装置封装1的放大侧视图。如图1及图1a中所展示，半导体装置封装1包含第一衬底10、第二衬底20及导电结构30。第二衬底安置在第一衬底10上。第一衬底10包含第一表面101，且第二衬底20包含面向第一衬底10的第一表面101并与所述第一表面间隔开的第二表面201。第一衬底10可包含例如电路板的封装衬底。通过实例的方式，第一衬底10可包含一或多个介电层、一或多个电路层，及安置在介电层上的一或多个第一导电衬垫12。介电层的材料可包含但不限于树脂(例如环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪(bt)等)、玻璃纤维(例如fr-4等)、半导体、陶瓷、玻璃、塑料或其它合适的材料。电路层可包含重新分布层(rdl)，通孔、导电迹线、导电线等。电路层可安置在介电层中，在介电层11上或邻近介电层之间。电路层的材料可包含但不限于例如铜(cu)等金属。第一导电衬垫12经安置接近于介电层，邻近于介电层或嵌入于介电层中并由介电层暴露，且经配置以接纳导电结构30。第一导电衬垫12可电连接到第一衬底10的电路层。第一导电衬垫12的材料可包含但不限于例如铜(cu)等金属。在一些实施例中，第一导电衬垫12可包含ubm(凸点下金属)。在一些实施例中，钝化层可安置在第一衬底10上，且钝化层可至少部分地暴露第一导电衬垫12。

第二衬底20可包含封装衬底，例如电路板。通过实例的方式，第二衬底20可包含一或多个介电层、一或多个电路层，及安置在介电层上的一或多个第二导电衬垫22。第二衬底20的介电层、电路层及第二导电衬垫22的材料可类似于第一衬底10的介电层、电路层及第一导电衬垫12的材料。在一些实施方案中，第二导电衬垫22可包含ubm(凸块下冶金)。在一些实施方案中，钝化层可安置在第二衬底20上，且钝化层可至少部分暴露第二导电衬垫22。

半导体装置封装1可进一步包含安置在第一衬底10上的一或多个第一电子组件16，及安置在第二衬底20上的一或多个第二电子组件26。第一电子组件16可安置在第一表面101及/或与第一衬底10的第一表面101相对的第三表面102上。第二电子组件26可安置在第二表面201及/或与第二衬底20的第二表面201相对的第四表面202上。在一些实施例中，第一电子组件16可包含例如单片系统(soc)、存储器组件等有源电子组件16a，及/或例如电阻器、电容器或电感器的无源电子组件16b。第一电子组件16可通过第一衬底10彼此电连通。在一些实施例中，第二电子组件26可包含例如片上系统(soc)、存储器组件等有源电子组件26a，及/或例如电阻器、电容器或电感器的无源电子组件26b。第二电子组件26可通过第二衬底20彼此电连通。第一电子组件16及第二电子组件26可通过第一衬底10、导电结构30及第二衬底20彼此电连通。半导体装置封装1可进一步包含安置在第一表面101与第二表面201之间且包封导电结构30的包封层40、安置在第一衬底10的第一表面101上的第一电子组件16、及安置在第二衬底20的第二表面201上的第二电子组件26。

在一些实施例中，半导体装置封装1可进一步包含安置在第三表面102上且包封安置在第一衬底10的第三表面102上的第一电子组件16的另一包封层42，及/或安置在第四表面202上且包封安置在第二衬底20的第四表面202上的第二电子组件26的另一包封层44。第一包封层40、第二包封层42及第三包封层44的材料可包含例如环氧树脂等有机模制原料等。第一包封层40、第二包封层42及第三包封层44的材料可为相同或不同的。在一些实施例中，例如氧化硅填料的填料可单独添加在第一包封层40、第二包封层42及第三包封层44中。

在一些实施例中，半导体装置封装1可进一步包含电导体18，例如焊料球，其安置在第一衬底10的第三表面102上且经配置以将第一衬底10电连接到例如印刷电路板(pcb)的另一电子装置。

如图1a中所展示，导电结构30可包含沿着第一方向d1延伸的i形结构，所述第一方向基本上垂直于第一衬底10的第一表面101或第二衬底20的第二表面201。导电结构30安置在第一衬底10与第二衬底20之间，且电连接到第一衬底10及第二衬底20。导电结构30可包含接近于第一衬底10的第一润湿部分31、接近于第二衬底20的第二润湿部分32，以及安置在第一润湿部31与第二润湿部分32之间的非湿润部分33。导电结构30可为预形成的结构，其是在接合到第一衬底10及第二衬底20之前形成。例如，第一润湿部分31、第二润湿部分32及非润湿部分33可在导电结构30接合到第一衬底10及第二衬底20两者之前形成。

半导体装置封装1可进一步包含第一焊料14及第二焊料24。第一焊料14覆盖第一润湿部分31并将导电结构30连接到第一衬底10。第二焊料24覆盖第二润湿部分32并将导电结构30连接到第二衬底20。

第一润湿部分31、第二润湿部分32及非润湿部分33的表面性质或材料以及第一焊料14及第二焊料24的材料经选择使得第一焊料14往往润湿第一润湿部分31而不是非润湿部分33，且第二焊料24往往润湿第二润湿部分32而不是非润湿部分33。具体地说，第一焊料14往往附着或粘合到第一润湿部分31的表面，且往往从第一润湿部分31的表面脱落。类似地，第二焊料24往往附着或粘合到第二润湿表面32的表面，且往往从非润湿部33的表面脱落。因此，第一焊料14及第二焊料24可分别保持邻近于第一导电衬垫12及第二导电衬垫22，且彼此分离。由于重力、衬垫大小偏差或对准变化的影响，第一焊料14可从第一导电衬垫12流动朝向第二导电衬垫22，这致使第一焊料14的量增加且第二焊料24的量减少。在此状况下，第一焊料14的量不足可能导致第一焊料14、导电结构30与第一导电衬垫12之间的接合不良，造成开路风险。过量的第二焊料24可能溢流到邻近接头，造成短路风险。当第二焊料24从第二导电衬垫22流向第一导电衬垫12时将发生类似的问题。非润湿部分33可有助于保持第一焊料14邻近于第一导电衬垫12，且保持第二焊料24邻近于第二导电衬垫22。因此，可准确地控制第一焊料14的量及第二焊料24的量，且可减少开路及短路风险。

第一焊料14及第二焊料24的材料可包含例如但不限于锡(sn)、铅(pb)、银(ag)、铜(cu)或其合金。在一些实施例中，第一焊料14及第二焊料24的材料可包含相同的材料。在一些其它实施例中，第一焊料14及第二焊料24可包含不同的材料，且第一焊料14的熔点可与第二焊料24的熔点不同。

如图1a中所展示，导电结构30可包含润湿材料30a及非润湿材料30b。润湿材料30a可为导电结构30的块状材料，且非润湿部分303可包含部分地形成在块状材料上的非润湿材料30b的衬层。例如，非润湿材料30b可为覆盖润湿材料30a的中间部分并暴露润湿材料30a的底部部分及上部部分的衬层。润湿材料的经暴露底部部分及经暴露上部部分分别经配置为第一润湿部分31及第二润湿部分32。用非润湿材料30b覆盖的润湿材料30a的中间部分经配置为非润湿部分33。润湿材料30a及非润湿材料30b经如此选择使得第一焊料14及第二焊料24往往附着或粘合到润湿材料30a的表面，但往往从非润湿材料30b的表面脱落。润湿材料30a可包含但不限于例如金属或合金的导电材料，且非润湿材料30b可包含例如金属或合金的复合氧化物的非导电材料。举例来说，润湿材料30a可包含铜(cu)、铁(fe)、镍(ni)、金(au)、银(ag)等，且非润湿材料30b可包含铜(cu)、铁(fe)、镍(ni)、金(au)或银(ag)的复合氧化物。非润湿部分33的长度可经配置以增强分离第一焊料14及第二焊料24的效应。例如，非润湿部分33的长度范围可为(但不限于)导电结构30的长度的约10％到约30％。第一润湿部分31的长度与第二润湿部分32的长度可为相同或不同的。

图1b为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装1'的侧视图。如图1b中展示，非润湿部分33的材料可包含非润湿材料30c，且第一润湿部分31的材料及第二润湿部分32的材料可包含润湿材料30a。在一些实施例中，非润湿材料30c的两端连接到润湿材料30a。润湿材料30a及非润湿材料30c经如此选择使得第一焊料14及第二焊料24往往附着或粘合到润湿材料30a的表面，但往往从非润湿材料30c的表面脱落。通过实例的方式，润湿材料30a可包含例如铜(cu)、铁(fe)或其合金的金属，且非润湿材料30c可包含不锈钢(ss)、铬(cr)等。

图2a、图2b、图2c、图2d、图2e、图2f及图2g说明根据本发明的一些实施例的用于制造半导体装置封装的操作。参考图2a，接纳第一衬底10，所述第一衬底具有形成在其上的第一导电衬垫12及第一焊料14。在一些实施例中，第一焊料14呈膏形式。接纳导电结构30。例如，预先形成导电结构30。在一些实施例中，导电结构30的材料包含例如铜(cu)的润湿材料。可预先清洁导电结构30以移除导电结构30的表面上的焊剂。在清洁操作期间，移除例如氧化铜的金属氧化物以暴露例如铜的金属。

参考图2b，用第一焊料14将预形成的导电结构30接合到第一衬底10。例如，拾取导电结构30，将其部分地插入到第一焊料14中并放置在第一导电衬垫12上。可预期，当导电结构30插入到第一焊料14中时，例如铜的润湿材料从导电结构30的表面暴露，使得第一焊料14与所述润湿材料接触。

参考图2c，通过例如将第一焊料14加热到比其熔点高的温度，对第一焊料14执行回流操作，使得第一焊料14爬上到较高位置，并覆盖导电结构30的部分。在回流之后用第一焊料14覆盖的导电结构30的部分形成第一润湿部分31。在一些实施例中，润湿材料的复合氧化物可形成在从第一焊料14暴露的导电结构30的表面上。在一些实施例中，可通过在例如大气环境的含氧环境中暴露导电结构30来形成润湿材料的复合氧化物。

可对从第一焊料14暴露的导电结构30执行表面处理以形成第二润湿部分以及介于第一焊料14与第一润湿部分31之间的非润湿部分，如在图2d至2g中所说明。参考图2d，表面处理可包含将导电结构30的部分浸入清洁溶液50中以将焊剂及润湿材料的复合氧化物从所述部分移除以形成润湿部分33，且未浸入到清洁溶液中的另一部分上的润湿材料的复合氧化物被保留以形成非润湿部分。

参考图2e，接纳第二衬底20，所述第二衬底具有形成在其上的第二导电衬垫22及第二焊料24。在一些实施例中，第二焊料24呈膏形式。参考图2f，用第二焊料24将导电结构30接合到第二衬底20。例如，拾取导电结构30，且将第二润湿部分32插入到第二焊料24中。预期，在将第二润湿部分32插入到第二焊料24中时从第二润湿部分32的表面暴露例如铜的润湿材料，使得第二焊料24与润湿材料接触。

参考图2g，通过例如将第二焊料24加热到高于其熔点的温度，对第二焊料24执行回流操作，使得第二焊料24爬上第二润湿部分32。在一些实施例中，选择第一焊料14及第二焊料24的材料，使得第一焊料14的熔点高于第二焊料24的熔点。在此状况下，第一焊料14在对第二焊料24的回流操作期间不会熔化，且在回流操作期间可固定导电结构30的位置。可在第一衬底10与第二衬底20之间形成包封层40，以形成半导体装置封装1，如图1及图1a中所说明。在一些其它实施例中，第一润湿部分31、第二润湿部分32及非润湿部分33可通过连接润湿材料及非润湿材料形成，例如，以形成如图1b中所说明的导电结构30。

图3为根据本发明的一些实施例的导电结构的示意图。参考图3，在半导体装置封装发生翘曲的状况下，第一衬底10及第二衬底20可在不同位置中具有不同间隙z。例如，邻近于周边区域的间隙z可与邻近于中心区域的间隙z不同。第一焊料14在导电结构30与第一衬底10之间形成接头，且第二焊料24在导电结构30与第二衬底20之间形成接头。当间隙z较小时，导电结构30可通过第一焊料14及第二焊料24固定，并与第一衬底10及/或第二衬底20接触并电连接。当间隙z较大时，导电结构30可以由第一焊料14及/或第二焊料24固定，且通过第一焊料14及第二焊料24电连接到第一衬底10及第二衬底20。第一焊料14及第二焊料24允许导电结构30沿着第一方向d1滑动。非润湿部分32可保持第一焊料14及第二焊料24分开，使得可确保第一衬底10与第二衬底20之间的电连接。与单独的焊料相比，与第一焊料14及第二焊料24相关联的导电结构30对半导体装置封装的翘曲及间隙偏差具有较高容差。在一些实施例中，导电结构30可与第一导电衬垫12及/或第二导电衬垫22接触，例如当间隙z较小时。在一些实施例中，导电结构30可与第一导电衬垫12及/或第二导电衬垫22分开，例如当间隙z较大时。

本发明的半导体装置封装及制造方法不限于上文所描述实施例，且可根据其它实施例来实施。为了简化描述且为了便于在本发明的各种实施例之间进行比较，以下实施例的类似组件用相同的标号标记，且可不再重复描述。

图4为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装2的侧视图，且图4a为图4的半导体装置封装2的放大侧视图。与图1及图1a的半导体装置封装1相反，半导体装置封装2的导电结构30包含l形结构。导电结构30包含第一区段301及第二区段302，所述第一区段沿着基本上垂直于第一表面101的第一方向d1延伸，且所述第二区段沿着基本上平行于第一表面101的第二方向d2延伸。第二区段302的端连接到第一区段301的端。在一些实施例中，第二区段302可经配置为第一润湿部分31，邻近于第二衬底20的第一区段301的部分可经配置为第二润湿区段32，且连接到第二区段302的第一区段301的另一部分可经配置为非润湿部分33。第一焊料14及第二焊料24分别覆盖第一润湿部分31及第二润湿部分32，且暴露非润湿部分33。在一些实施例中，l形结构可更稳健地紧固在第一衬底10上。在一些实施例中，第二区段302的另一端从包封层40的边缘暴露。第二区段302的末端可与包封层40的边缘共面。

图5a、图5b、图5c、图5d及图5e说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的操作。参考图5a，接纳第一衬底10，所述第一衬底具有形成在其上的第一导电衬垫12(在图5c中所展示)及第一焊料14(在图5c中所展示)。多个导电框架300形成在第一衬底10上。导电框架300可具有鱼骨形图案，所述鱼骨形图案包含脊部分300a及从脊部分300a延伸的骨部分300b。脊部分300a安置在邻近单元310之间，邻近单元经配置以形成半导体装置封装，且骨部分300b朝向单元310延伸。在一些实施例中，导电框架300可包含引线框架等。导电框架300的骨部分300b绕轴线x向上弯曲，如图5b及5c中所说明。弯曲导电框架300包含彼此连接的多对导电结构30。可对导电结构30执行清洁操作及表面处理从而以类似于图2a到2g中所描述的方法的方式形成第一润湿部分、第二润湿部分及非润湿部分。对第一焊料14执行回流操作，使得第一焊料14分别覆盖第一润湿部分31。在一些实施例中，导电框架30可形成在单元310的两个相对侧上。在一些其它实施例中，导电框架300可形成在单元310的一侧、两侧、三侧或全部四侧上。

参考图5d，接纳第二衬底20，所述第二衬底具有形成在其上的第二导电衬垫22及第二焊料24。导电框架300接合到第二衬底20，其中导电框架300的端面向第二衬底20且插入到在第二焊料24中。对第二焊料24执行回流操作，使得第二焊料24分别覆盖第二润湿部分32。由于第一润湿部分31及第二润湿部分32与非润湿部分33之间的独特性质，第一焊料14及第二焊料24可保持彼此分开。可在第一衬底10与第二衬底20之间形成包封层40，以包封导电结构30。

参考图5e，沿着脊部分300a执行单个操作，以将导电框架300分成多个导电结构30，如图4及图4a中所说明。导电框架300包含多个导电结构30，且因此可降低制造成本。

图6为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装3的侧视图，且图6a及图6b为从不同方向的图6的半导体装置封装3的放大侧视图。与图1及图1a的半导体装置封装1相反，半导体装置封装3的导电结构30包含n形结构。导电结构30包含电连接到第一衬底10的第一区段301，电连接到第二衬底20的第二区段302，以及将第一区段301与第二区段302分离的第三区段303。第三区段303包含台阶结构，且可被称为台阶区段303。通过实例的方式，台阶区段303可包含从如图6a中所展示的一个视角的侧面t形状，及从如图6b中所展示的另一视角的n形状。在一些实施例中，第一区段301可包含沿着第一方向d1延伸的条形结构，杆形结构或i形结构，所述第一方向基本上垂直于第一衬底10的第一表面101，且第二区段302可包含沿着第一方向d1延伸的条形结构、杆形结构或i形结构。台阶区段303的两端分别连接到第一区段301的端及第二区段302的端。在一些实施例中，第一区段301可经配置为第一润湿部分31，且第二区段302可经配置为第二润湿部分32。台阶区段303可经配置为将第一区段301与第二区段302分开的非润湿部分33。第一焊料14及第二焊料24分别覆盖第一区段301(第一润湿部分31)及第二区段302(第二润湿部分32)，且暴露台阶区段303(非润湿部分33)。在一些实施例中，台阶区段303的边缘从包封层40的边缘暴露。台阶区段303的边缘可为(但不限于)与包封层40的边缘共面。

图7a、图7b、图7c、图7d、图7e及图7f说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的操作。参考图7a、图7b及图7c，接纳第一衬底10，所述第一衬底具有形成在其上的第一导电衬垫12(在图7b及图7c中所展示)及第一焊料14(在图7b及图7c中所展示)。多个导电框架300形成在第一衬底10上。导电框架300可具有鱼骨形图案，所述鱼骨形图案包含脊部分300a、第一骨部分300d及第二骨部分300e。脊部分300a安置在邻近单元310之间，所述邻近单元经配置以形成半导体装置封装。脊部分300a可具有宽度不同且交替连接的第一部分300a1及第二部分300a2。例如，第一部分300a1比第二部分300a2宽。第一骨部分300d从脊部分300a延伸且向上弯曲。第二骨部分300e从脊部分300a延伸且向下弯曲。第一骨部分300d及第二骨部分300e沿着第二方向d2交替布置。在一些实施例中，导电框架300可包含引线框架等。弯曲导电框架300包含彼此连接的多对导电结构30。可对导电结构30执行清洁操作及表面处理从而以类似于图2a到2g中所描述的方法的方式形成第一润湿部分、第二润湿部分及非润湿部分。对第一焊料14执行回流操作，使得第一焊料14分别覆盖第一润湿部分31。在一些实施例中，导电框架30可形成在单元310的两个相对侧上。在一些其它实施例中，导电框架300可形成在单元310的一侧、两侧、三侧或全部四侧上。

参考图7d及图7e，接纳第二衬底20，所述第二衬底具有形成在其上的第二导电衬垫22及第二焊料24。导电框架300接合到第二衬底20，其中导电框架300的端面向第二衬底20且插入到在第二焊料24中。对第二焊料24执行回流操作，使得第二焊料24分别覆盖第二润湿部分32。由于第一润湿部分31及第二润湿部分32与非润湿部分33之间的独特性质，第一焊料14及第二焊料24可保持彼此分开。可在第一衬底10与第二衬底20之间形成包封层40，以包封导电结构30。

参考图7f，沿着脊部分300a执行单个操作，以将导电框架300分成多个导电结构30，如图6、图6a及图6b中所说明。导电框架300包含多个导电结构30，且因此可降低制造成本。

在本发明的一些实施例中，半导体装置封装包含导电结构，所述导电结构包含润湿部分及非润湿部分。焊料往往在润湿部分的表面上润湿，但往往被非润湿部分排斥。因此，导电结构的润湿部分上的焊料不会合并，且因此可精确地控制安置在导电结构的两端上的焊料的量，此最小化开路及短路的风险，增加对翘曲的容差，并改进产量及可靠性。导电结构为预形成的结构，其在接合到所述第一衬底及所述第二衬底之前形成，且润湿及/或非润湿性质可通过部分地处理所述导电结构来实施。因此，可降低制造成本，且可改进产量。

如本文中所使用，除非上下文另有明确指示，否则单数术语“一(a)”、“一(an)”和“所述”可包含复数个对象。

如本文中所使用，术语“大约”、“基本上”、“基本”及“约”被用于描述及考虑小变化。在结合事件或情形使用时，所述术语可是指其中确切地发生事件或情形的例子以及其中近似地发生事件或情形的例子。举例来说，当结合数值使用时，所述术语可是指小于或等于所述数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％，小于或等于±4％，小于或等于±3％，小于或等于±2％，小于或等于±1％，小于或等于±0.5％，小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％(例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％)，那么所述值可被认为基本上相同或相等。举例来说，“基本上”平行可能是指小于或等于±10°的相对于0°的角度变化范围，例如小于或等于±5°，小于或等于±4°，小于或等于±3°，小于或等于±2°，小于或等于±1°，小于或等于±0.5°，小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。举例来说，“基本上”垂直可是指小于或等于±10°的相对于90°的角度变化范围，例如小于或等于±5°，小于或等于±4°，小于或等于±3°，小于或等于±2°，小于或等于±1°，小于或等于±0.5°，小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。

另外，数量、比率及其它数值有时在本文中以范围格式呈现。应理解，此范围格式是出于便利及简洁起见而使用且应灵活地理解为包含明确规定为范围的限制的数值，而且还包含所述范围内囊括的所有个别数值或子范围，犹如每一及数值子范围的英文明确规定的。

虽然已参考本发明的特定实施例描述并说明本发明，但这些描述及说明并不限制本发明。所属领域的技术人员应理解，在不背离如随附权利要求书所界定的本发明的真实精神及范围的情况下，可做出各种改变且可替代等效物。说明可不必按比例绘制。由于制造过程及容限，因此本发明中的精巧呈现与实际装置之间可存在差异。可存在本发明的未具体说明的其它实施例。说明书及图式应视为说明性而非限制性。可进行修改以使特定情况、材料、物质组合物、方法或过程适应本发明的目的、精神及范围。所有此些修改意欲属于随附的权利要求书的范围内。虽然已参考以特定次序执行的特定操作来描述本文中所揭示的方法，但应理解，可在不背离本发明的教示的情况下将这些操作组合、细分或重新排序以形成等效方法。因此，除非本文中特别指明，否则操作的次序及分组并非本发明的限制。