1.一种tft阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成半导体图案和有源层；
对所述半导体图案进行导体化处理，以形成相互绝缘的栅极、源极和漏极，且所述源极和所述漏极分别与所述有源层电性连接；
在所述衬底基板、所述栅极、所述源极、所述漏极和所述有源层上覆盖绝缘层；
在所述绝缘层中开设通孔，以裸露出部分漏极；
在所述绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极电性连接。
2.如权利要求1所述的tft阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体图案包括第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案；
所述在所述衬底基板上形成半导体图案和有源层，包括以下步骤：
在所述衬底基板上覆盖一层半导体层；
对所述半导体层进行图案化处理，形成间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案，以及与所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案连接的有源层。
3.如权利要求2所述的tft阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体层的材料包括铟镓锌氧化物。
4.如权利要求2所述的tft阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述半导体层进行图案化处理，形成间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案，以及与所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案连接的有源层，包括以下步骤：
在所述半导体层上涂布光阻材料；
采用第一道光罩对所述光阻材料进行曝光后显影，形成第一光阻层；
以所述第一光阻层为遮蔽层对所述半导体层进行蚀刻，去除所述半导体层上未被所述第一光阻层覆盖的部分，以形成间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案，以及与所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案连接的有源层；其中，覆盖在所述第一半导体子图案、所述第二半导体子图案以及所述第三半导体子图案上的光阻的厚度相同，且覆盖在所述有源层上的光阻的厚度大于覆盖在所述第一半导体子图案上的光阻的厚度；
对所述第一光阻层进行灰化处理，去除覆盖在所述第一半导体子图案、所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案上的光阻，并薄化覆盖在所述有源层上的光阻，以裸露出所述第一半导体子图案、所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案。
5.如权利要求4所述的tft阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一道光罩包括半色调光罩或灰阶光罩。
6.如权利要求2所述的tft阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述半导体图案进行导体化处理，以形成相互绝缘的栅极、源极和漏极，包括以下步骤：
采用等离子体对所述间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案进行掺杂处理，以使所述间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案导体化，对应形成相互绝缘的栅极、源极和漏极。
7.如权利要求6所述的tft阵列基板的制作方法，其特征在于，所述等离子体包括氢等离子体或者氦等离子体。
8.如权利要求4所述的tft阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述半导体图案进行导体化处理后，所述制作方法还包括以下步骤：
对覆盖在所述有源层上的剩余光阻进行剥离，以裸露出所述有源层。
9.如权利要求1所述的tft阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘层中开设通孔，包括以下步骤：
在所述绝缘层上涂布光阻材料；
采用第二道光罩对所述光阻材料进行曝光后显影，以形成第二光阻层；
以所述第二光阻层为遮蔽层对所述绝缘层进行蚀刻，去除所述绝缘层上未被所述第二光阻层覆盖的部分，以形成通孔。
10.如权利要求1所述的tft阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上形成像素电极，包括以下步骤：
在形成有所述通孔的绝缘层上覆盖一层像素电极层；
在所述像素电极层上涂布光阻材料；
通过第三道光罩对所述光阻材料进行曝光后显影，以形成第三光阻层；
以所述第三光阻层为遮蔽层对所述像素电极层进行蚀刻，去除所述像素电极层上未被所述第三光阻层覆盖的部分，以形成像素电极。