技术总结
本申请公开了一种TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成半导体图案和有源层；对所述半导体图案进行导体化处理，以形成相互绝缘的栅极、源极和漏极，且所述源极和所述漏极分别与所述有源层电性连接；在所述衬底基板、所述栅极、所述源极、所述漏极和所述有源层上覆盖绝缘层；在所述绝缘层中开设通孔，以裸露出部分漏极；在所述绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极电性连接。本申请提供了一种新的三道光罩制程来制备TFT阵列基板，缩减了光罩数量，降低了三道光罩制程的工艺难度。
技术研发人员：赵文群
受保护的技术使用者：深圳市华星光电技术有限公司
技术研发日：2019.09.24
技术公布日：2020.01.21