一种改善卷边残铜的封装基板制造方法与流程

本发明涉及封装基板技术领域，具体为一种改善卷边残铜的封装基板制造方法。

背景技术：

cof，一种覆晶薄膜，通过在由绝缘薄膜和金属层构成的基材上形成线路图案，在线路图案的规定区域进行电镀、设置阻焊剂等表面加工，生成保护层，然后在器件搭载区域搭载ic等电子元器件，形成cof产品，组装在其他电路板上使用。

cof的生产中，线路形成的基本工序流程为：冲孔、光刻胶涂布、曝光、显影、蚀刻、退膜。其中，冲孔会在基材的两侧边缘冲出等间距、相同大小的孔，用于后续工序的生产时搬送，实现精准搬送；冲孔完成后，在基材的铜面上涂布一层均匀的光刻胶；然后对光刻胶进行曝光、显影等加工，最终在基材的铜面上形成所需的线路。

其中，在进行光刻胶涂布时，因为此时已经冲出两侧边缘链轮孔，为了防止光刻胶从链轮孔中渗透到绝缘薄膜面，造成污染，所以光刻胶涂布领域在两侧链轮孔之间，这种涂布方式，光刻胶会聚集在基材卷带两侧，两侧部的光刻胶较厚，曝光时不能做到全面曝光，因此显影后出现边缘光刻胶残留，经过蚀刻、剥离形成线路后，会留下卷边残铜，残铜在搬送加工过程中与搬送装置接触摩擦，会产生金属碎屑异物，金属碎屑如果附着到线路上，会造成功能性短路不良，降低产品良率

在现有的技术中，为了改善上述卷边残铜的问题，通常是在曝光完成后，进行显影之前，对边缘光刻胶较厚的区域进行第二次曝光，具体的，在显影设备中，在进入显影槽之前的部位，增加一个spotuv装置，此装置有两个紫外光镜头，设置在搬送装置的两侧，产品通过搬送装置搬送生产时，spotuv装置主体发生紫外光，通过镜头射出，照射在位于搬送装置两侧的卷边光刻胶较厚的区域，实现二次曝光，二次曝光后，卷边处的光刻胶尽管较厚，也能被显影掉，因此可以避免后续出现卷边残铜的情况，提高生产良率，降低成本

但是，在现有的技术中，因为要在已成型的显影装置中增加spotuv装置，会产生改造费用，并且，spotuv装置本身价格高昂，所以，现有的技术虽然可以有效的改善卷边残铜的情况，但会造成成本大大上升。

技术实现要素：

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，解决了现有技术中存在的缺陷与不足。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，包括以下步骤：

s1、准备宽幅为153±0.1mm，且由金属层和绝缘薄膜层构成的基材；

s2、准备宽幅为158±0.1mm的pi层，将pi层粘附在基材的绝缘薄膜层上；

s3、使用专用冲孔设备，对金属层、绝缘薄膜层和pi层组成的基材进行冲孔加工，在pi层的两侧边缘2.5mm区域内冲出相等间距排列的相同大小的链轮孔；

s4、金属层、绝缘薄膜层和pi层组成的材料进行加工，在基材的金属层上进行光刻胶涂布，在金属层和pi层上形成一层光刻胶薄层；

s5、使用专用曝光设备，通过pi层上的链轮孔精准搬送，对基材金属层上的光刻胶进行曝光；

s6、曝光完成后，将pi层剥离，仅留下曝光后基材；

s7、对曝光后的基材进行显影、蚀刻、剥离等加工，最终在金属层上形成所需的线路图案。

(三)有益效果

本发明提供了一种改善卷边残铜的封装基板制造方法。具备以下有益效果：

1、该改善卷边残铜的封装基板制造方法，通过使用的基材比以往使用的基材宽幅更窄，所以降低了原材料的采购成本；在涂布加工时，因为是对整个金属层面进行光刻胶涂布，所以光刻胶在整个金属层上均匀分布，因此不需要在显影设备上设置spotuv装置，曝光结束后直接进行显影，也不会出现光刻胶残留的问题，可以有效的避免卷边残铜的出现。

2、该改善卷边残铜的封装基板制造方法，可以降低生产的原材料成本，并且不需要对显影设备进行改进，也不需要额外增加购买spotuv装置，因此可以节省设备改装费用和设备采购费用，有效的节省了制造成本。

附图说明

图1为本发明步骤1的示意图；

图2为本发明步骤2的示意图；

图3为本发明步骤3的示意图；

图4为本发明步骤4的示意图；

图5为本发明步骤5的示意图；

图6为本发明步骤6的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一：

如图1-6所示，本发明实施例提供一种改善卷边残铜的封装基板制造方法，包括以下步骤：

s1、准备宽幅为153±0.1mm，且由金属层1和绝缘薄膜层2构成的基材；

s2、准备宽幅为158±0.1mm的pi层3，将pi层3粘附在基材的绝缘薄膜层2上；

s3、使用专用冲孔设备，对金属层1、绝缘薄膜层2和pi层3组成的基材进行冲孔加工，在pi层3的两侧边缘2.5mm区域内冲出相等间距排列的相同大小的链轮孔5，此孔用于曝光时的套孔搬送，保证搬送精度；

s4、金属层1、绝缘薄膜层2和pi层3组成的材料进行加工，在基材的金属层1上进行光刻胶涂布，在金属层1和pi层3上形成一层光刻胶薄层4；

s5、使用专用曝光设备，通过pi层3上的链轮孔5精准搬送，对基材金属层1上的光刻胶进行曝光；

s6、曝光完成后，将pi层3剥离，仅留下曝光后基材；

s7、对曝光后的基材进行显影、蚀刻、剥离等加工，最终在金属层1上形成所需的线路图案。

实施例二：

本实施例与实施例一的不同之处在于：pi层3也可以在曝光后保留，到后面工序中根据需求决定是否剥离pi层，在pi层3上冲孔也可在光刻胶涂布之后进行，pi层3可重复使用，pi层3上的链轮孔5可以通过模具冲出，也可直接采用带孔的pi层3。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。