1.一种表面等离子体激元结构共享大频率比双频段天线，其特征在于，包括毫米波渐变槽端射天线、微波平面套筒单极子全向天线；所述毫米波渐变槽端射天线、微波平面套筒单极子全向天线的共享结构包括基板、第一金属贴片(1)、第二金属贴片(2)、表面等离子体激元结构(31)、金属化通孔阵列(52)；所述基板包括介质基片构成的上层(41)和下层(43)，以及由半固化片构成的中间层(42)；所述第一金属贴片(1)贴附在基板上层(41)上表面；所述第二金属贴片(2)贴附在基板下层(43)下表面；所述表面等离子体激元结构(31)采用金属贴片贴附在基板中间层(42)与基板下层(43)之间；所述第一金属贴片(1)包括第一辐射臂(6)；所述第二金属贴片(2)包括第二辐射臂(7)；所述第一辐射臂(6)与第二辐射臂(7)关于基板中心线相对称并构成辐射双臂结构；所述第一辐射臂(6)与第二辐射臂(7)远离基板中心线的一侧均设置槽状阵列(8)；所述辐射双臂结构从基板中心线张开形成指数型的渐变槽；所述金属化通孔阵列(52)贯通连接第一金属贴片(1)、基板以及第二金属贴片(2)；所述毫米波渐变槽端射天线还包括第一馈电结构、金属栅格阵列(32)、金属化固定通孔(51)；所述第一馈电结构包括依次连接的第一端口(21)、第一接地共面波导(11)、过渡结构(10)、基片集成波导(13)；所述第一端口(21)、第一接地共面波导(11)、过渡结构(10)、基片集成波导(13)均贯通连接第一金属贴片(1)、基板以及第二金属贴片(2)；所述基片集成波导(13)与辐射双臂结构形成的渐变槽连接；所述第一端口(21)的馈电信号依次通过第一接地共面波导(11)、过渡结构(10)、基片集成波导(13)馈至辐射双臂结构形成的渐变槽；所述金属栅格阵列(32)采用金属贴片贴附在基板中间层(42)与基板下层(43)之间；所述金属栅格阵列(32)关于表面等离子体激元结构(31)为中心相对称设置；所述金属化固定通孔(51)贯通连接第一金属贴片(1)、基板以及第二金属贴片(2)；所述微波平面套筒单极子全向天线还包括第二馈电结构；所述第二馈电结构包括依次连接的第二端口(22)、第二接地共面波导(12)、集成同轴线芯(9)；所述第二端口(22)、第二接地共面波导(12)均贯通连接第一金属贴片(1)、基板以及第二金属贴片(2)；所述集成同轴线芯(9)采用金属贴片贴附在基板中间层(42)与基板下层(43)之间；所述集成同轴线芯(9)与表面等离子体激元结构(31)连接；所述第二端口(22)的馈电信号依次通过第二接地共面波导(12)、集成同轴线芯(9)馈至表面等离子体激元结构(31)；所述毫米波渐变槽端射天线中的表面等离子体激元结构(31)、辐射双臂结构分别共享为微波平面套筒单极子全向天线中的单极子、寄生单元。
2.根据权利要求1所述的表面等离子体激元结构共享大频率比双频段天线，其特征在于，所述基片集成波导(13)的波导壁上开口引出集成同轴线区与第二接地共面波导(12)连接；所述集成同轴线芯(9)设置于集成同轴线区的中心线上；所述集成同轴线芯(9)从第二端口(22)延伸至基片集成波导(13)中心并弯折90度，使得集成同轴线区与表面等离子体激元结构(31)连接。
3.根据权利要求2所述的表面等离子体激元结构共享大频率比双频段天线，其特征在于，所述第二接地共面波导(12)以及集成同轴线芯(9)末端的拓宽是为了添加焊盘，便于与外部sma接口的连接。
4.根据权利要求1所述的表面等离子体激元结构共享大频率比双频段天线，其特征在于，所述基板上层(41)与下层(43)的介质基片采用均为厚度为0.2mm的rogers4003c印刷电路板材制成；所述基板中间层(42)的半固化片采用厚度为0.1mm的rogersro4450f半固化片。
5.根据权利要求1所述的表面等离子体激元结构共享大频率比双频段天线，其特征在于，所述金属栅格阵列(32)为两个，均包括三排金属栅格阵；三排金属栅格阵的间距相等；三排金属栅格阵的金属栅格长度不相等。
6.根据权利要求1所述的表面等离子体激元结构共享大频率比双频段天线，其特征在于，所述槽状阵列(8)为周期型槽状结构。
7.根据权利要求1所述的表面等离子体激元结构共享大频率比双频段天线，其特征在于，所述金属化固定通孔(51)为两个，关于第一端口(21)相对称设置，用于外部sma接口的固定。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的表面等离子体激元结构共享大频率比双频段天线，其特征在于，所述天线的金属材质采用铜。