技术总结
本实用新型公开了一种射频放电系统及其法拉第屏蔽结构，所述射频放电系统的金属腔室壳体通过内介质桶和外介质桶与金属盖板密封连接，所述金属盖板上设有进气口，所述外介质桶套设在所述内介质桶外侧，所述外介质桶外侧绕设有放电线圈，所述内介质桶和所述外介质桶之间设有法拉第屏蔽桶，所述法拉第屏蔽桶与所述金属腔室壳体和所述金属盖板连接。本实用新型解决了内置法拉第屏蔽桶的等离子体刻蚀轰击溅射难题；避免了内置法拉第屏蔽桶因为刻蚀、溅射，金属离子再次在功率耦合窗口沉积而导致的降低射频功率耦合效率的问题；还解决了外置法拉第屏蔽桶的放电线圈与法拉第屏蔽桶之间因距离过近而易出现的高压打火击穿的问题。
技术研发人员：高飞;王友年
受保护的技术使用者：大连理工大学
技术研发日：2019.02.13
技术公布日：2019.08.20