1.一种逻辑器件，其特征在于，包括：
衬底，用于承载所述逻辑器件，所述衬底为柔性衬底；
非磁缓冲层，位于所述衬底上；
耦合层，位于所述非磁缓冲层上；
磁性缓冲层，位于所述耦合层上；
多铁层，位于所述磁性缓冲层上；
电极层，位于所述多铁层上；
其中，所述耦合层为厚度为1-5u.c.的超薄膜，以实现反常霍尔效应和拓扑霍尔效，所述电极层包括至少一个十字结构，通过改变施加在所述非磁缓冲层与所述电极层之间电压的方向，改变所述十字结构的其中一组相对端之间的霍尔电阻。
2.根据权利要求1所述的逻辑器件，其特征在于，所述非磁缓冲层、所述耦合层、所述磁性缓冲层和所述多铁层的材料均为氧化物。
3.根据权利要求1所述的逻辑器件，其特征在于，所述十字结构的其中一组相对端为输出端，通过从该输出端检测所述电极层的霍尔电阻作为输出信号，所述十字结构中与所述输出端相垂直的方向上的另两端，其一端与非磁缓冲层之间施加输入电压作为输入端，另一端接入输入电流。
4.根据权利要求3所述的逻辑器件，其特征在于，所述逻辑器件通过改变电场使反常霍尔电阻翻转并使拓扑霍尔电阻的大小和有限影响区域改变，从而在所述输出端获取对应的输出信号。
5.根据权利要求3所述的逻辑器件，其特征在于，将所述逻辑器件放置于预设磁场中，所述非磁缓冲层与所述电极层之间的输入电压作为输入，该逻辑器件可实现非逻辑并可通过调节预设磁场的正负及输入电压对所述逻辑器件进行初始化。
6.根据权利要求5所述的逻辑器件，其特征在于，所述预设磁场的方向垂直于所述输出端，所述逻辑器件为非易失性逻辑器件。
7.根据权利要求5所述的逻辑器件，其特征在于，所述霍尔电阻具有高阻态和低阻态，所述霍尔电阻为低阻态时，所述逻辑器件的输出为0，所述霍尔电阻为高阻态时，所述逻辑器件的输出为1。
8.根据权利要求1所述的逻辑器件，其特征在于，
所述衬底由单晶云母片、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯对苯二酸脂、聚二甲基硅氧、聚丙烯己二酯中的至少一种材料制成；
所述非磁缓冲层由srtio3、laalo3、alo中的至少一种材料制成；
所述耦合层由sriro3、sr2iro4、zrbi2、irte2、sr2ruo4中的至少一种材料制成；
所述磁性缓冲层由yig、nife2o4、zncoo、fe3o4、coo、nio中的至少一种材料制成；
所述多铁层由bifeo3、ymno3、ymn2o5、bimno3、tbmno3、ybmn2o5、gdmno、homno3、dymno3中的至少一种材料制成；
所述电极层由pt、au、ag中的至少一种材料制成。
9.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的逻辑器件。