一种IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构的制作方法

本实用新型涉及陶瓷管壳技术领域，具体为一种igbt陶瓷外壳用信号引线的结构。

背景技术：

igbt是能源变换、传输与控制的核心器件，俗称电力电子装置的“cpu”，属国家战略性新兴产业，在智能电网、轨道交通、电动汽车、航空航天与新能源装备等领域应用广泛，市场容量大；

传统igbt陶瓷外壳，辅助极引出管与发射极铜块之间是用辅助极接线铜片连接的，该连接需要采用焊接来固定辅助极接线片，长时间使用会有辅助极接线片断裂，焊点脱落风险，造成其性能不稳定。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种igbt陶瓷外壳用信号引线的结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种igbt陶瓷外壳用信号引线的结构，包括陶瓷底座、所述陶瓷底座包括发射极铜块、发射极小法兰、瓷件、集电极焊接法兰和辅助极引出管，所述发射极铜块的外壁四周设置有发射极小法兰，所述发射极小法兰的顶端外边缘设置有瓷件，所述瓷件的顶端一侧面焊接有集电极焊接法兰，所述瓷件的内壁设置有辅助极引出管，所述瓷件、辅助极引出管与发射极小法兰之间均通过金属化层连接导通。

优选的，所述陶瓷底座的截面呈圆形。

优选的，所述发射极小法兰的厚度为0.3-0.5mm。

优选的，所述金属化层为氧化铝陶瓷金属化层、碳化硅陶瓷金属化层或二氧化钛金属化层的任意一种。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该igbt陶瓷外壳用信号引线的结构，将瓷件内壁辅助极引出管与发射极小法兰之间直接用金属化层连接导通，最终实现辅助极引出管与发射极铜块之间导通，该结构简单、连接稳定性高，且省却了焊接接线片的工序，并使内部空间扩大，装载芯片更加简单方便。

附图说明

图1为本实用新型的剖视图；

图2为本实用新型的俯视图；

图3为本实用新型图1的b处放大结构示意图；

图4为本实用新型图2的a-a结构示意图。

图中：1、陶瓷底座；1-1、发射极铜块；1-2、发射极小法兰；1-3、瓷件；1-4、集电极焊接法兰；1-5、辅助极引出管。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1、请参阅图1-4，本实用新型提供一种技术方案：一种igbt陶瓷外壳用信号引线的结构，包括陶瓷底座1、陶瓷底座1的截面呈圆形，陶瓷底座1包括发射极铜块1-1、发射极小法兰1-2、瓷件1-3、集电极焊接法兰1-4和辅助极引出管1-5，发射极铜块1-1的外壁四周设置有发射极小法兰1-2，发射极小法兰1-2的厚度为0.3mm，发射极小法兰1-2的顶端外边缘设置有瓷件1-3，瓷件1-3的顶端一侧面焊接有集电极焊接法兰1-4，瓷件1-3的内壁设置有辅助极引出管1-5，瓷件1-3、辅助极引出管1-5与发射极小法兰1-2之间均通过金属化层连接导通，金属化层为氧化铝陶瓷金属化层，实现辅助极引出管1-5与发射极铜块1-1之间导通。

实施例2、所述瓷件1-3、辅助极引出管1-5与发射极小法兰1-2之间均可以采用不同材料的金属化层作为过渡进行连接导通，满足辅助极引出管1-5与发射极铜块1-1之间进行导通的金属化层即可，可以省却焊接接线片的工序，并使内部空间扩大更加方便简单的装载芯片，其他结构不变，也可起到相同效果。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

1.一种igbt陶瓷外壳用信号引线的结构，其特征在于：包括陶瓷底座(1)、所述陶瓷底座(1)包括发射极铜块(1-1)、发射极小法兰(1-2)、瓷件(1-3)、集电极焊接法兰(1-4)和辅助极引出管(1-5)，所述发射极铜块(1-1)的外壁四周设置有发射极小法兰(1-2)，所述发射极小法兰(1-2)的顶端外边缘设置有瓷件(1-3)，所述瓷件(1-3)的顶端一侧面焊接有集电极焊接法兰(1-4)，所述瓷件(1-3)的内壁设置有辅助极引出管(1-5)，所述瓷件(1-3)、辅助极引出管(1-5)与发射极小法兰(1-2)之间均通过金属化层连接导通。

2.根据权利要求1所述的一种igbt陶瓷外壳用信号引线的结构，其特征在于：所述陶瓷底座(1)的截面呈圆形。

3.根据权利要求1所述的一种igbt陶瓷外壳用信号引线的结构，其特征在于：所述发射极小法兰(1-2)的厚度为0.3-0.5mm。

4.根据权利要求1所述的一种igbt陶瓷外壳用信号引线的结构，其特征在于：所述金属化层为氧化铝陶瓷金属化层、碳化硅陶瓷金属化层或二氧化钛金属化层的任意一种。

技术总结
本实用新型公开了一种IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构，包括陶瓷底座、陶瓷底座包括发射极铜块、发射极小法兰、瓷件、集电极焊接法兰和辅助极引出管，发射极铜压块的外壁四周设置有发射极小法兰，发射极小法兰的顶端外边缘设置有瓷环，瓷环的顶端一侧面焊接有发射极法兰，瓷环的内壁设置有辅助极引出管，瓷环、辅助极引出管与发射极小法兰之间均通过金属化层连接导通。该IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构，将瓷件内壁辅助极引出管与发射极小法兰之间直接用金属化层连接导通，最终实现辅助极引出管与发射极铜块之间导通，该结构简单、连接稳定性高，且省却了焊接接线片的工序，并使内部空间扩大，装载芯片更加简单方便。

技术研发人员：李啸琳;朱萍;孙小伟
受保护的技术使用者：无锡天杨电子有限公司
技术研发日：2019.07.10
技术公布日：2020.04.07