晶圆承台的制作方法

技术领域：

本实用新型属于晶圆加工技术领域，具体涉及一种晶圆承台。

背景技术：
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在集成电路制造过程中，需要在晶圆上进行数百道工艺，因此，必须采用具有一定厚度的晶圆。而在完成集成电路制作之后，需要对集成电路进行封装。在集成电路封装前，需要对晶圆的进行减薄，一方面改善芯片的散热效果，另一方面有利于减小封装尺寸。

在对晶圆进行减薄的过程中，需要将晶圆置于一个平面度极高的承台上进行加工，并且需要对晶圆进行固定，而承台的平面度以及对晶圆的固定方式会直接影响晶圆在加工过程中的形态，进而影响晶圆减薄后被加工面的平面度，比如承台的平面度差，则将晶圆紧压在承台上时，晶圆会发生弯曲，导致晶圆被加工面发送弹性变形，在这种状态下，晶圆被加工面被切平或磨平后，当从承台上取下晶圆的时候，晶圆的弯曲得到恢复，导致晶圆被加工面反而变形翘曲，从而降低晶圆被加工面的平面度。

技术实现要素：
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本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种晶圆承台，该晶圆承台能够有效降低对晶圆被加工面的平面度的影响。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：晶圆承台，包括底板，所述底板上设置有一个负压槽，负压槽内底面上均布有大量顶柱，顶柱的顶面齐平且所有顶柱的顶面处于同一平面，进而组成支撑晶圆的支撑面，负压槽内底面上还开设有多个向下贯穿底板的负压孔。

作为一种优选方案，所述负压槽的中心区设置有一个内环，内环的上端面与顶柱的顶面齐平，与所有顶柱的顶面共同组成支撑面，内环将部分顶柱和部分负压孔围绕其中，所述内环的大小满足能够被晶圆完全覆盖。

作为一种优选方案，所述负压槽一侧的底板上固定连接有一条基准线，该基准线为直线。

作为一种优选方案，所述底板上设置有一个向上凸起的“d”形外环，外环的中心区即负压槽，外环的外侧竖直面的纵向投影即为基准线。

本实用新型的有益效果是：本实用新型利用大量顶柱来支撑晶圆，减小了晶圆的受支撑面积，同时采用负压吸附方式固定晶圆，使晶圆受力均衡，从而弱化支撑面平面度对晶圆加工时被加工面平面度的影响，以此提高晶圆加工面的加工精度。

附图说明：

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细说明，其中：

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是图1中的a-a剖视图；

图3是本实用新型所示承台支撑晶圆时的结构示意图。

图1～图3中：1、底板，2、负压槽，3、顶柱，4、晶圆，5、负压孔，6、内环，7、基准线，8、外环。

具体实施方式：

下面结合附图，详细描述本实用新型的具体实施方案。

如图1～图3所示，晶圆承台包括底板1，所述底板1上设置有一个负压槽2，负压槽2内底面上均布有大量顶柱3，顶柱3的顶面齐平且所有顶柱3的顶面处于同一平面，进而组成支撑晶圆4的支撑面，负压槽2内底面上开设有多个向下贯穿底板1的负压孔5。

利用大量顶柱3来支撑晶圆4，减小了晶圆4的受支撑面积，同时采用负压吸附方式固定晶圆4，使晶圆4受力均衡，从而弱化支撑面平面度对晶圆4加工时被加工面平面度的影响，以此提高晶圆4加工面的加工精度。

所述负压槽2的中心区设置有一个内环6，内环6的上端面与顶柱3的顶面齐平，与所有顶柱的顶面共同组成支撑面，内环6将部分顶柱3和部分负压孔5围绕其中，所述内环6的大小满足能够被晶圆4完全覆盖。

内环6与晶圆4底面贴接，然后通过内环6内的负压孔对内环6内部空间抽真空，使内环6内部形成负压，致使内环6与晶圆底面紧贴，从而牢牢固定住晶圆4，位于内环6以外的负压孔同时对内环6以外的负压槽2抽真空，使内环6以外的负压槽2内形成负压，对内环6以外的晶圆底面提供一定的吸力，从而使晶圆各处所受的吸力均衡，使晶圆不发生变形。

所述负压槽2一侧的底板1上固定连接有一条基准线7，该基准线7为直线，在加工晶圆的时候，可利用该基准线对负压槽的位置进行定位。本实施例中，底板1上设置有一个向上凸起的“d”形外环8，外环8的中心区即负压槽2，外环8的外侧竖直面的纵向投影即为基准线7。

本实用新型工作过程是：如图3所示，将晶圆4置于负压槽2内的多个顶柱3上端，并覆盖住内环6，然后通过负压装置(图中未示出)从底板1下端面对所有负压孔进行抽真空，由于内环6与晶圆4下表面贴接，因此内环6内的气压快速降低形成较强的负压，在负压作用下，晶圆4紧贴内环6致使内环6内部空间密封性提高，负压效果可进一步得到强化以牢牢地将晶圆4吸住，由于内环6内部具有大量顶柱3，因此，即使在较大负压下，晶圆4也不会发生变形。

另外，在内环6以外的负压孔在抽真空的过程中，也会对晶圆4位于内环6以外的部分施加一个吸引力，促使晶圆各部位受力均匀，在大量顶柱3的多点支撑作用下，有效地避免了晶圆4的变形，相对于正面支撑，采用顶柱3支撑晶圆4，大大缩减了晶圆4与支撑面的接触面积，因此弱化了支撑面平面度对晶圆4加工时被加工面平面度的影响，以此提高晶圆4加工面的加工精度。

通过负压将晶圆4吸住以后，就可以对晶圆4的上表面进行减薄加工了。

上述实施例仅例示性说明本发明创造的原理及其功效，以及部分运用的实施例，而非用于限制本发明；应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。