1.一种半导体对位结构，其特征在于，包括：
衬底结构；
位于所述衬底结构的生长面上的至少一个对准标记，及围绕所述对准标记的围绕结构；其中，所述对准标记在平行所述生长面的截面图案的至少一边，与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角。
2.根据权利要求1所述的半导体对位结构，其特征在于，在沿相邻两个定义为第一对准标记和第二对准标记的对准标记的排列方向上，所述第一对准标记和所述第二对准标记的宽度，与所述第一对准标记和所述第二对准标记之间对应所述围绕结构处的宽度不同。
3.根据权利要求1所述的半导体对位结构，其特征在于，所述围绕结构为导电材料。
4.根据权利要求1所述的半导体对位结构，其特征在于，所述围绕结构为围绕所有所述对准标记的一体化结构。
5.根据权利要求1所述的半导体对位结构，其特征在于，所述围绕结构包括相互独立的至少一个围绕子结构，所述围绕子结构围绕所述对准标记，且所述围绕子结构与所述对准标记一一对应。
6.根据权利要求1所述的半导体对位结构，其特征在于，至少一对相邻所述对准标记之间的间距，与其余任意相邻所述对准标记之间的间距不同。
7.根据权利要求1所述的半导体对位结构，其特征在于，所有所述对准标记的在平行所述生长面的截面图案相同。
8.根据权利要求7所述的半导体对位结构，其特征在于，所有所述对准标记的尺寸相同。
9.根据权利要求7所述的半导体对位结构，其特征在于，至少一个所述对准标记的尺寸与其余所述对准标记的尺寸不同。
10.根据权利要求9所述的半导体对位结构，其特征在于，不同尺寸的对准标记的相同边的边长均不相同。
11.根据权利要求9所述的半导体对位结构，其特征在于，位于边缘区域处的所述对准标记的尺寸与位于中间区域处的所述对准标记的尺寸不同。
12.根据权利要求1所述的半导体对位结构，其特征在于，至少一个所述对准标记在平行所述生长面的截面图案，与其余所述对准标记在平行所述生长面的截面图案不同。
13.一种半导体基板，其特征在于，所述半导体基板包括权利要求1-12任意一项所述的半导体对位结构。