利用基于TCR元件的加热器渐进式加热衬底的部件的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月8日申请的美国专利申请no.16/058,216的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。

本公开内容涉及衬底处理系统，并且更具体而言涉及利用热电耦与电阻温度系数(tcr)加热器两者渐进式加热衬底处理系统的部件

背景技术：

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可以用于对诸如半导体晶片之类的衬底执行蚀刻、沉积和/或其他处理。可以在衬底上执行的示例性工艺包括但不限于化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、原子层沉积(ald)、原子层蚀刻(ale)、等离子体增强原子层沉积(peald)和/或其他蚀刻、沉积和清洁工艺。在处理期间，将衬底布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上，例如基座、静电卡盘(esc)等上。将工艺气体混合物供应到处理室中以处理衬底。在一些示例中，可以激励等离子体，以增强处理室内的化学反应。

气体供给线将气体混合物供给至处理室。如果没有仔细控制气体供给线中的气体混合物的温度，则在气体供给线的壁上可能会发生气体混合物的凝结。气体混合物的凝结可能会造成缺陷且通常难以去除。

技术实现要素：

一种用于衬底处理系统的加热部件的加热器控制系统包含n个加热器区域，其中n为大于零的整数。所述n个加热器区域中的每一个加热所述衬底处理系统的部件，并且包含电阻式加热器以及温度传感器，该温度传感器用于感测所述n个加热器区域中的对应的加热器区域的局部温度。控制器被配置成：基于所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的电阻，确定所述n个加热器区域中的每一个的平均温度。所述控制器基于所述n个加热器区域中的每一个的所述平均温度与所述局部温度控制所述电阻式加热器。

在其他特征中，所述控制器被配置成基于所述局部温度选择性控制供给至所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的功率，并且基于所述平均温度选择性超控(override)供给至所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的功率。

在其他特征中，所述控制器被配置成基于所述平均温度选择性控制供给至所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的功率，并且基于所述局部温度选择性超控供给至所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的功率。

在其他特征中，电流传感器感测供给至所述n个加热器区域中的每一个的电流。所述控制器基于所述电流确定所述n个加热器区域中的每一个的所述电阻。

在其他特征中，电压传感器感测供给至所述n个加热器区域中的每一个的电压。所述控制器基于所述电压确定所述n个加热器区域中的每一个的所述电阻。

在其他特征中，加热器驱动器基于占空比驱动所述n个加热器区域中的一者。电阻估算装置基于所述占空比估算所述n个加热器区域的所述一者的所述电阻。所述控制器基于所述电阻确定所述n个加热器区域的所述一者的所述局部温度。

在其他特征中，所述控制器被配置成：基于所述局部温度选择性控制供给至所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的功率；以及在所述平均温度处于预定温度范围之外时，选择性超控供给至所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的功率。

在其他特征中，所述控制器被配置成在所述平均温度处于所述预定温度范围之外时，基于默认占空比与默认功率电平中的至少一者而控制供给至所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的所述功率。

在其他特征中，所述控制器被配置成：基于所述平均温度选择性控制供给至所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的功率；以及基于所述局部温度，选择性超控供给至所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的功率。

在其他特征中，所述控制器被配置成在所述局部温度低于预定温度时，增加供给至所述n个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的功率。

在其他特征中，所述n个加热器区域围绕从源至处理室的多个气体管线设置。所述n个加热器区域提供从所述源至所述处理室的渐进式加热轮廓。

一种用于衬底处理系统的气体输送系统的加热器控制系统包含烘箱，其用于包围所述衬底处理系统的一或多个部件并且维持所述烘箱中的预定温度。n个电阻式加热器设置在所述烘箱内，其中n为大于1的整数。所述n个电阻式加热器中的每一个选择性加热所述烘箱中的所述部件中的一个的至少一部分。所述n个电阻式加热器为未隔热的。控制器被配置成通过以下方式在所述烘箱中的局部区域中维持所述预定温度：确定所述n个电阻式加热器中的每一个中的电阻并且基于所述n个电阻式加热器中的n-1个电阻式加热器相比于所述n个电阻式加热器中的一个电阻式加热器的n-1个电阻比值而调整所述n个电阻式加热器中的每一个的功率。

在其他特征中，第一温度传感器远离所述n个电阻式加热器定位以感测所述烘箱中的温度。所述烘箱包含加热元件。所述控制器基于所述第一温度传感器确定所述烘箱中的平均温度，并且基于所述平均温度控制所述烘箱中的所述加热元件以维持所述预定温度。

在其他特征中，所述n-1个电阻比值在所述预定温度下确定。所述预定温度为环境温度。所述控制器还被配置成调整所述n-1个电阻比值以提供渐进式加热。所述部件包含气体流动路径中的气体管线和阀中的至少一者。

根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。

附图说明

根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：

图1为根据本公开内容的一种衬底处理系统的示例的功能性框图；

图2a至2c为根据本公开内容的加热系统的示例的功能框图；

图3是说明温度与沿着气体流动路径至处理室的长度的函数关系的图；

图4说明了包含热电耦的加热器区域的示例；

图5与6是说明温度与沿着区域中的气体流动路径的长度的函数关系的图；

图7与8为根据本公开内容的说明方法的示例的流程图，所述方法利用多个加热器区域中的每一加热器区域中的热电耦与tcr加热器控制气体流动路径中的温度；

图9为包含烘箱的加热系统的功能框图，烘箱围绕设置在一或多个位置中的气体流动路径和未隔热的tcr加热器；

图10为用于操作图9的加热系统的方法的流程图。

在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。

具体实施方式

可使用渐进式加热克服气体管线中的冷凝风险。然而，利用热电耦在沿着气体管线的位置处所测量的温度无法捕获跨越整个加热器区域的基于负载的变化。由于膨胀、阀等因素所导致的压力转换和/或负载变化会引发局部温度变化。此外，被设计用于一种应用的管线/加热器通常被用于另一种应用且温度分布可能会变化。如果热电耦(tc)位于压力降低/膨胀的位置处，热电耦将会感测到低温，并且气体管线可能会被加热得比预期更热。如果热电耦定位成远离压降，则可能会发生局部冷却。一个可能的解决方案是增加加热器区域的数目。然而该方案会增加(因更多连接而导致的)成本以及对服务能力的挑战。

根据本公开内容的用于气体输送系统的加热系统使用包含tcr加热器元件的加热器。在一些示例中，tcr加热器元件具有高于0.001ppm/℃的高tcr。仅举例而言，可使用钼或钨(w)加热器元件。在其他示例中，tcr加热器元件具有低于0.001ppm/℃的较低tcr。仅举例而言，可使用铜或镍。

可测量基于tcr的加热器的电阻以在加热器区域中提供平均温度。可使用控制器并利用查找表或公式来关联电阻与温度。还利用tc监测每一区域中的温度以提供局部温度(代表加热器区域中的点位置)。在一些示例中，tc位于加热器区域的起始点或结束点以测量在该位置处的感测温度。如下文所更将说明的，利用来自每一加热器区域的tcr加热器与tc的反馈能进行主要控制及次要超控(override)/监测的组合。

在第一方案中，使用由tc感测到的温度作为加热器区域的控制设定点并且使用由tcr加热器感测到的平均温度作为监控/超控。如果加热器区域的平均温度落至特定值之下或超出特定值，则控制器使用默认占空比。可基于每一区域指定可接受的平均值范围以沿着气体流动路径以逐级渐进式的方式或单调方式增加。在一些示例中，tcr加热器使用高tcr元件。在其他示例中，由于使用平均值作为安全检查/超控，tcr加热器使用低tcr元件。

在第二方案中，使用通过tcr加热器所感测到的平均温度作为控制变量。如果在加热器区域的一区段中存在因与膨胀相关的冷却而造成的局部温度降低，则可将整个加热器区域加热得更热。在一些示例中，如果有需要，则可将局部tc设置在膨胀点附近以进行监测及超控。如果在由tc监测的位置处有冷却，则触发有限制的停止并且预先增加热。

在两种方法中，平均温度确保渐进式加热。来自于tc的局部温度测量值使得加热系统能对局部变化做出反应。上述的控制系统能避免因加热系统所造成的过度反应，其可能会造成加热器区域中的过度加热。

在一些示例中，使用更少的加热器区域来覆盖更大的面积。在其他示例中，仅将tc设置在预期的膨胀区域处以解决特定的凝结风险，但剩余的加热区域为单一大区域的一部分。

现在参考图1，显示了示例性衬底处理系统120。尽管为了说明的目的，显示了使用电容耦合等离子体(ccp)用于化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)的处理室，然而可以使用任何其他类型的衬底处理系统。

衬底处理系统120包含处理室122，处理室122包围衬底处理系统120的其他部件并且包含rf等离子体(如果使用的话)。衬底处理系统120包含上电极124和衬底支撑件126，例如静电卡盘(esc)、基座等等。在操作期间，将衬底128布置在衬底支撑件126上。

仅举例而言，上电极124可包括气体分配设备129，例如喷头，其引入和分配处理气体。气体分配设备129可包括杆部，杆部包括连接到处理室的顶部表面的一端。基部部分通常为圆柱形，并且在与处理室的顶部表面间隔开的位置处从杆部的相对端径向向外延伸。喷头的基部部分的面向衬底的表面或面板包括让前体、反应物、蚀刻气体、惰性气体、载气、其他处理气体或清扫气体流过的多个孔。替代地，上电极124可包括导电板，并且可以以另一种方式引入处理气体。

衬底支撑件126包含用作下电极的基板130。基板130支撑加热板132，加热板132可以对应于陶瓷多区域加热板。可以在加热板132和基板130之间布置热阻层134。基板130可以包含一个或多个通道136，其用于使冷却剂流过基板130。

如果使用等离子体，则rf产生系统140产生rf电压并将rf电压输出到上电极124和下电极中的一个(例如，衬底支撑件126的基板130)。上电极124和基板130中的另一个可以是dc接地、ac接地或浮置的。仅举例而言，rf产生系统140可以包含rf产生器142，该rf产生器142产生由匹配和分配网络144馈送到上电极124或基板130的rf功率。在其他示例中，等离子体可以感应地产生或远程地产生。

气体输送系统150包含一个或多个气体源152-1、152-2、…和152-n(统称为气体源152)，其中n是大于零的整数。气体源152通过主要阀154-1、154-2、…和154-n(统称为主要阀154)和mfc156-1、156-2、…和156-n(统称为mfc156)和/或二级阀(未示出)连接至歧管160。尽管示出了单个气体输送系统150，但是可以使用两个或多个气体输送系统。

温度控制器163被连接至设置在加热板132中的多个电阻式加热器164。温度控制器163也可连接至设置在加热板132中的一或多个热电耦165。温度控制器163可用于控制多个电阻式加热器164以调整及控制衬底支撑件126和衬底128的温度。在一些示例中，蒸气输送系统167将蒸气供给至处理室。

在一些示例中，温度控制器163和/或其他控制器也可以与冷却剂组件166通信以控制流经通道136的冷却剂。例如，冷却剂组件166可包含冷却剂泵、贮存器和/或一或多个热电耦。在一些示例中，温度控制器163操作冷却剂组件166以使冷却剂选择性地流过通道136以冷却衬底支撑件126。

阀170与泵172可用于从处理室122排空反应物。系统控制器180可用于控制衬底处理系统120的部件。

现在参考图2a，其显示了根据本公开内容的用于蒸气输送系统167的加热系统。虽然图2中的加热系统被显示为包含用于供给经汽化的前体的安瓶200，但加热系统可加热衬底处理系统的其他部件。温度传感器214监测前体的温度。使用加热器218以基于感测到的温度与期望温度加热液态前体。可使用控制器180或其他控制器监测温度传感器214并基于测量到的温度与期望温度控制加热器218。

阀v214、v205和v213选择性地将载气或载气与经汽化的前体的混合物供给至气体流动路径。提供额外的阀v220、v206a、v206b、v71、v55、v79、v65、v164和v207以控制沿着各种气体流动路径的气体流动。使用多个加热器区域250-1、250-2、250-n(统称加热器区域250)(其中n为大于1的整数)以加热气体管线、阀和/或沿着气体流动路径的其他部件。

现在参考图2b，可使用控制器280控制加热器区域250的操作。可使用加热器驱动器282将功率供给至tcr加热器283。可使用一或多个温度传感器或热电耦284感测多个加热器区域250中的温度。可使用电流传感器288感测加热器驱动器282供给至tcr加热器的电流。可使用电压传感器290感测加热器驱动器282供给至tcr加热器的电压。

现在参考图2c，可使用控制器280控制加热器区域250的操作。在此示例中，省略电流传感器288与电压传感器290并使用电阻估算装置294以监测加热器区域250的占空比并基于对应的占空比估算加热器区域250的电阻。在该示例中，假设电压或电流为常数值并且电流或电压的占空比变化。换言之，控制器280基于已知的电压或电流以及电流或电压的占空比估算电阻。

现在参考图3，图说明了理想温度与沿着气体流动路径到达处理室的长度的函数关系。在一些应用中，当气体通过多个加热器区域250时，期望气体流动路径的温度单调增加。如果温度降低，则可能会发生凝结。在图3中，显示了理想温度特性为具有正斜率的直线。然而实际上，流经气体流动路径的气体的温度会因局部加热或冷却而较不理想。例如，当气体流经压力下降/膨胀位置时冷却。

现在参考图4，其说明了加热器区域400的一示例。加热器区域400包含第一气体管线410，第一气体管线410在转折/配件434附近的节点430处连接至第二气体管线420。经隔热的加热器440包含隔热材料442与加热器元件444。可使用热电耦监测多个加热器区域的每一加热器区域的温度。例如，可将热电耦tc设置于第一位置tcp1或第二位置tcp2中。然而会出现不同的温度控制特性，具体取决于热电耦tc的选定位置。

现在参考图5与6，图说明了温度与沿着区域中的气体流动路径的长度的函数关系。在图5中，目标温度轮廓从区域的一端至另一端单调增加。然而在图6中，温度会因压力下降/膨胀位置而下将。温度会如何控制将根据热电耦所处的位置而变化。当热电耦位于压力下降/膨胀位置之后(如tcp2)时控制热会造成较高的整体温度且可导致其后的其他区域中的温度下降。当热电耦位于压力下降/膨胀位置之前(如tcp1)时控制热会造成较低的整体温度且可导致加热器区域中的温度下降。

现在参考图7与8的流程图，其说明了利用多个加热器区域的每一加热器区域中的热电耦与tcr加热器控制气体流动路径中的温度的方法的示例。在图7中，方法700使用来自热电耦的温度测量值作为主要控制并使用tcr加热器所感测到的平均温度作为停止限制或超控。在720处，方法利用热电耦监测加热器区域的温度t1。在724处，方法利用tcr加热器监测加热器区域的温度t2。在一些示例中，基于tcr加热器的电阻确定温度t2。电阻通过测量电流与电压和/或基于占空比估算电阻来确定。

在732处，方法确定th1a<＝t2<＝th1b是否成立，其可对应至上限值与下限值。在其他示例中，可进行额外的检查。例如，方法也可确定第一温度与第二温度之间的差值是否低于或等于预定温度阈值。在一些示例中，将t1与t2之间的差异的绝对值与预定温度阈值比较。

如果732为真，则方法继续734。在734处，方法确定温度t1是否低于或等于温度阈值th2。如果734为真，则方法在738处继续并增大送至tcr加热器的功率或占空比。如果734为假，则方法在744处继续并确定温度t1是否高于或等于温度阈值th3。如果744为真，则方法在748处减小送至tcr加热器的功率或占空比。方法从738与748进行至720。如果732为假，则方法利用热电耦进行超控并在750处使用默认功率或占空比。方法也可产生超控通知。

在图8中，方法800使用来自tcr加热器的平均温度测量值作为主要控制，并且使用热电耦所感测到的温度作为超控。在808处，方法确定局部温度t1是否低于或等于温度阈值th4。在其他示例中，可进行额外的检查。如果808为假，则方法在809处继续并增大送至tcr加热器的功率或占空比。

在810处，方法确定温度t2是否低于或等于温度阈值th5。如果810为真，则方法在811处继续，并且增大送至tcr加热器的功率或占空比。如果810为假，则方法在820处继续，并且确定温度t2是否高于或等于温度阈值th6。如果820为真，则方法在748处减小送至tcr加热器的功率或占空比。

现在参考图9，用于气体输送系统的加热系统900包含围绕衬底处理系统的一或多个部件的烘箱910。在一些示例中，所述部件包含气体输送系统和/或气体流动路径的部件。热电耦920和一或多个烘箱加热元件922可设置在烘箱910中并用于维持烘箱910内的平均温度。

如上所述，可能会发生衬底处理系统内的部件的局部冷却和/或加热。例如，气体管线可经历因各种因素如气体通过配件、阀等膨胀而造成的局部冷却。虽然烘箱维持烘箱中的平均温度，但tcr加热器940-1、940-2、和940-r(统称为tcr加热器940)(其中r为大于1的整数)被设置在如所示较易发生温度变化(如冷却)的位置处(如部件的部分上)。当局部冷却发生时，tcr加热器940提供热，以试图在即使有局部冷却的情况下将温度维持在预定温度。位置的示例可包含压力下降/膨胀的位置或可发生局部加热变化的其他位置。

在一些示例中，tcr加热器940是未隔热的。换言之，当tcr加热器940未操作时，将通过烘箱加热tcr加热器940。

在一些示例中，多个tcr加热器940中的一个tcr加热器被指定为参考tcr加热器，并且多个tcr加热器940中的其他tcr加热器基于tcr加热器的电阻比参考tcr加热器的电阻的对应比值来控制。可维持参考tcr加热器940与多个tcr加热器940中的其他tcr加热器之间的电阻比值。可在所有的tcr加热器940都处于相同参考温度(例如环境温度或其他温度)时确定电阻比值。在一些示例中，利用tcr加热器940的电阻式元件的相同材料来制作多个tcr加热器940。因此，由于所有tcr加热器应具有近乎相同的斜率(温度为电阻的函数)，所以电阻比值在其他温度下应维持相对恒定。

换言之，在所有tcr加热器940都处于相同温度的预定温度下确定电阻比值r2/r1、r3/r1、r4/r1、…、和rr/r1。在一些示例中，用于确定比值的预定温度为环境温度。在操作期间，测量多个tcr加热器940中的每一者的电阻，并通过控制器改变提供至每一tcr加热器940的功率输出来维持预定比值。替代地，可沿着从气体源至烘箱出口和/或至处理室的气体流动路径按顺序设置多个tcr加热器区域(例如，类似于图2a中所示的多个加热器区域)。在2018年7月5日申请的共同转让的美国临时专利申请序列no.62/694,171中可找到控制tcr加热器的电阻比值的额外细节，通过引用将其所有内容包含于此。

可利用控制系统进行的控制类似于图2b与2c中所示的控制。在此示例中，tc920监测烘箱910中的平均温度。控制器280存储多个tcr的电阻比值并基于电阻比值控制多个tcr加热器的功率输出。在一些示例中，通过控制器280维持多个tcr的电阻比值以在多个加热器区域中的每一加热器区域中维持均匀温度。在其他示例中，控制器280还根据位置调整多个tcr的电阻比值。例如，控制器280将增加值添加至多个tcr的电阻比值，以便以递增方式调整多个tcr的电阻比值。可使用该方案沿从源朝向处理室的方向实现气体管线的温度的渐进式增加。

现在参考图10，示出了用于操作图9的加热系统900的方法1000。在1010处，利用热电耦监测烘箱的温度。在1020处，基于测得的温度与期望温度在烘箱中维持预定温度。在1030处，测量多个tcr加热器的电阻。在1040处，通过改变供给至加热器区域的功率而在参考tcr加热器与多个加热器中的其他加热器之间维持预定的电阻比值。

前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。

使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“a、b和c中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(or)的逻辑(a或b或c)，并且不应被解释为表示“a中的至少一个、b中的至少一个和c中的至少一个”。

在一些实现方式中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片衬底支撑件、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。

概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。

在一些实现方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。

示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。

如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。