技术特征：
1.一种电子发射器，其包括：光电阴极结构，其包含cs2te、cskte、csi、csbr、gaas、gan、insb、csksb或金属中的一或多者；及保护膜，其安置于所述光电阴极结构的外表面上，其中所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。2.根据权利要求1所述的电子发射器，其进一步包括：衬底；第二保护膜，其在所述衬底与所述光电阴极结构之间，其中所述第二保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。3.根据权利要求2所述的电子发射器，其中所述衬底是石英、蓝宝石、uv熔融硅石、caf2或mgf2中的一或多者。4.根据权利要求1所述的电子发射器，其进一步包括安置于所述光电阴极结构的与所述外表面相对的侧上的衬底，其中所述保护膜囊封所述光电阴极结构且安置于所述光电阴极结构与所述衬底之间，且其中所述衬底是石英、蓝宝石、uv熔融硅石、caf2或mgf2中的一或多者。5.根据权利要求4所述的电子发射器，其进一步包括将电压施加到所述保护膜的电压源。6.根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述光电阴极结构包含cs2te或cskte且所述保护膜包含钌、镍或铂中的一或多者。7.根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述保护膜包含镍。8.根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述光电阴极结构经配置以在透射或反射模式中操作。9.根据权利要求1所述的电子发射器，其进一步包括将电压施加到所述保护膜的电压源。10.根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述保护膜对uv波长透明。11.根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述保护膜具有从1nm到10nm的厚度。12.根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述保护膜具有小于或等于25％的多孔性。13.根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述保护膜具有大于或等于0.92的填充密度。14.一种电子束工具，其包含根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述电子束工具包含检测器，所述检测器接收由所述电子发射器产生且从晶片的表面反射的电子。15.一种方法，其包括：提供包含cs2te、cskte、csi、csbr、gaas、gan、insb、csksb或金属的中一或多者的光电阴极结构；在所述光电阴极结构的外表面上沉积保护膜，其中所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述沉积包含离子溅镀、磁控溅镀或原子层沉积。
17.一种方法，其包括：提供光电阴极结构，其中所述光电阴极包含cs2te、cskte、csi、csbr、gaas、gan、insb、csksb或金属中的一或多者及安置于所述光电阴极结构的外表面上的保护膜，其中所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金；及在光子被引导于所述光电阴极结构处时从所述光电阴极结构产生电子束。18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括执行所述光电阴极结构的等离子体清洗。19.根据权利要求17所述的方法，其中所述光电阴极结构在透射模式中产生所述电子束。20.根据权利要求17所述的方法，其中所述光电阴极结构在反射模式中产生所述电子束。