技术总结
本发明揭示一种光电阴极结构，其可包含Cs2Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者，所述光电阴极结构在外表面上具有保护膜。所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。所述保护膜可具有从1nm到10nm的厚度。所述光电阴极结构可用于如扫描电子显微镜的电子束工具中。构可用于如扫描电子显微镜的电子束工具中。构可用于如扫描电子显微镜的电子束工具中。
技术研发人员：G
受保护的技术使用者：科磊股份有限公司
技术研发日：2019.09.17
技术公布日：2021/4/17