1.一种紧凑型边发射tof封装结构，其特征在于，其包括：
tof板；
边缘发射激光器芯片，其固定连接所述tof板，所述边缘发射激光器芯片的前端光路在其腔长方向上；
反射棱镜，其设在所述tof板上，所述反射棱镜的反射面朝向所述前端光路以反射来自所述边缘发射激光器前端光路的光线。
2.根据权利要求1所述的紧凑型边发射tof封装结构，其特征在于：边缘发射激光器芯片经由基板贴装于所述tof板，所述基板双面镀金锡铜钨、双面镀金锡铜金刚石或双面镀金锡铝硅复合材料。
3.根据权利要求1所述的紧凑型边发射tof封装结构，其特征在于：边缘发射激光器芯片经由第一焊料层焊接基板的上表面，基板的下表面经由第二焊料层焊接于tof板，所述第一焊料层和/或第二焊料层包括金锡焊料层。
4.根据权利要求1所述的紧凑型边发射tof封装结构，其特征在于：所述反射棱镜将来自所述前端光路的光线反射成垂直于tof板向上的光线。
5.根据权利要求1所述的紧凑型边发射tof封装结构，其特征在于：所述腔长方向为平行于tof板的水平方向，所述反射棱镜具有45°反射面，其将来自所述前端光路的光线反射成垂直于tof板方向的光线。
6.根据权利要求1所述的紧凑型边发射tof封装结构，其特征在于：所述tof封装结构还包括：
光探测芯片，其设置于所述tof板上；
支撑保持件，其设置于所述tof板上，所述支撑保持件在所述边缘发射激光器芯片上方形成容纳区域；
光斑匀化片，其固定在所述容纳区域并处于所述边缘发射激光器芯片上方。
7.根据权利要求1所述的紧凑型边发射tof封装结构，其特征在于：将一个或多个具有n面与p面的边缘发射激光器芯片的n面经由金线连接所述tof板。
8.根据权利要求2所述的紧凑型边发射tof封装结构，其特征在于：所述tof板经由氮化铝或氧化铍或碳化硅或金刚石或fr4或m6材料制成，所述边缘发射激光器芯片经由gaas/algaas多量子阱材料或inp基材料制成，所述边缘发射激光器芯片的发射波长为850nm或940nm或1310nm或1350nm或1550nm；所述基板经由铜钨复合材料或铜金刚石复合材料或铝硅复合材料或铜碳化硅复合材料制成。
9.根据权利要求6所述的紧凑型边发射tof封装结构，其特征在于：支撑保持件经由塑料或陶瓷制成，支撑保持件和/或光斑匀化片经由uv胶水贴在tof板上，光斑匀化片采用玻璃材料制成，光斑匀化片包括光斑匀化透镜，所述光探测芯片经由银浆贴在所述tof板上，光斑匀化片经由uv胶水贴到支撑保持件上以固定在所述容纳区域，光探测芯片采用硅材料或者化合物半导体材料制成，所述化合物半导体材料包括gaas或inp。
10.一种如权利要求1-9中任一项所述的紧凑型边发射tof封装结构的制作方法，其包括以下步骤：
边缘发射激光器芯片经由基板贴装于所述tof板，所述边缘发射激光器芯片的前端光路在其腔长方向上，且该方向平行于所述tof板的上表面；
将反射棱镜固定于所述tof板上且位于边缘发射激光器芯片的前端光路上，所述反射棱镜的反射面朝向前端光路的出光面，出光面高度位于反射面中心；
边缘发射激光器芯片从出光面发出光线，所述光线经由所述反射面反射成垂直于tof板方向的光线。