本发明属于显示
技术领域：
，涉及一种显示装置，尤其涉及一种高亮度和发光效率的oled显示装置。
背景技术：
：1987年，柯达公司邓青云博士首先发明有机电致发光二极管器件，开启了荧光oled器件时代。然而，这类器件仅能利用单线态激子，内量子效率较低，仅为25％。1998年，美国普林斯顿大学的forrest等人成功研制了磷光oled材料并应用于oled器件中，从而开启了磷光oled器件时代。这类材料含有稀有金属，理论上内量子效率可达100％，从而极大提高了oled效率。但这类材料生产成本较高，而且在高亮度大电流下器件效率出现“滚降”。为了避免使用重金属材料，2009年，日本九州大学的adachi等人提出了热活化延迟荧光tadf器件，即当有机材料的单线态和三线态能级相差较小时，三线态激子利用热活化作用反向系间穿越成为单线态激子，从而实现了延迟荧光的发射，使得激子利用率得到极大提高，理论上内量子效率同样可达到100％。然而，针对这类器件，符合能级要求的发光材料种类较少，同时仍然难以避免大电流其的器件效率“滚降”的问题。在商业应用方面，韩国三星公司在2007年已经率先建成4代线oled生产线，率先在自家智能手机上使用了oled屏幕。并且，随着工艺条件和器件的设计的不断优化，三星oled已经成为业内性能最好的手机屏幕。伴随着苹果公司在2017年iphonex型号上将lcd屏幕替换为三星oled，已经引领了高端手机的屏幕纷纷转向oled屏幕。oled显示屏幕具有以下优势：超轻薄，厚度仅0.2-2mm；高亮度，可达上万cd/m2；低功耗，全固态的oled器件热损耗少，驱动电流很小；低成本，oled材料便宜且器件制作工艺简单；响应速度快，是lcd显示屏幕的千倍以上；高对比度，可达到1000000∶1；宽视角，因为oled自主发光显示，没有视角；柔性，可弯曲，便于携带；原材料发光颜色丰富，可制成单色、多色和全彩色显示屏；工作温度范围宽，在-45℃到80℃范围内均可工作。根据ihs公司报告预测，2021年oled在手机屏幕市场占有率将超过lcd屏幕。因而，就像lcd技术取代crt技术一样，新时代最具发展潜力的oled显示技术终将取代lcd。针对oled显示器件，始终存在着对亮度和发光效率的较高要求。中国专利申请cn109970718a公开了一种使用掺杂剂的oled显示器件，所述显示器件使用特定的主体化合物，展现出在电压、eqe、le和pe方面增强的装置性能；并且具有更低的电压性能。然而，上述oled显示器件的亮度和发光效率仍然不能令人满意。技术实现要素：本发明目的是提供一种高亮度和发光效率的oled显示装置。为了实现上述目的，一方面，本发明所采取的技术方案如下：一种oled显示装置，包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述有机发光层的主体材料选自mcp。在本发明中，mcp为1，3，5-三[4-(9-咔唑基)苯基]苯，cas号为550378-78-4。根据本发明所述的显示装置，其中，所述有机发光层进一步包括2-3wt％的掺杂剂。在一个具体的实施方式中，所述有机发光层进一步包括2.5wt％的掺杂剂。根据本发明所述的显示装置，其中，所述掺杂剂选自ir(piq)2(acac)。其中，ir(piq)2(acac)为二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱；cas号为435294-03-4。根据本发明所述的显示装置，其中，所述有机发光层的厚度为20-60nm。更优选地，所述有机发光层的厚度为25-55nm。以及，进一步，最优选地，所述有机发光层的厚度为30-50nm。在一个具体的实施方式中，所述有机发光层的厚度为40nm。根据本发明所述的显示装置，其中，所述空穴注入层的材料选自hat-cn。其中，2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲，cas号为105598-27-4。根据本发明所述的显示装置，其中，所述空穴注入层的厚度为2-20nm。更优选地，所述空穴注入层的厚度为5-15nm。以及，进一步，最优选地，所述空穴注入层的厚度为8-12nm。在一个具体的实施方式中，所述空穴注入层的厚度为10nm。根据本发明所述的显示装置，其中，所述空穴传输层的材料选自pph-tpd。在本发明中，pph-tpd为n，n，n’-三(p-联苯基)-n’-[(2，4-二苯基)-苯基]联苯二胺；cas号为1608462-60-7。根据本发明所述的显示装置，其中，所述空穴传输层的厚度为20-50nm。更优选地，所述空穴传输层的厚度为25-45nm。以及，进一步，最优选地，所述空穴传输层的厚度为30-40nm。在一个具体的实施方式中，所述空穴传输层的厚度为35nm。根据本发明所述的显示装置，其中，所述电子传输层的主体材料选自libq4。其中，libq4为四(8-羟基喹啉)硼锂，cas号为322727-85-5。根据本发明所述的显示装置，其中，所述电子传输层进一步包括30-40wt％的掺杂剂。其中，所述掺杂剂选自dbt-and。在本发明中，dbt-and为2-苯并噻吩并[2，3-c]吡啶-9，10-二(2-萘基)-蒽；cas号为1389368-66-4。根据本发明所述的显示装置，其中，所述电子传输层的厚度为20-50nm。更优选地，所述电子传输层的厚度为25-45nm。以及，进一步，最优选地，所述电子传输层的厚度为30-40nm。在一个具体的实施方式中，所述电子传输层的厚度为35nm。根据本发明所述的显示装置，其中，所述电子注入层的材料选自libq4。根据本发明所述的显示装置，其中，所述电子注入层的厚度为0.2-2.0nm。进一步，更优选地，所述电子注入层的厚度为0.5-1.5nm。以及，进一步，最优选地，所述电子注入层的厚度为0.8-1.2nm。在一个具体的实施方式中，所述电子注入层的厚度为1.0nm。根据本发明所述的显示装置，其中，所述阳极材料为ito。优选地，所述阳极的厚度为40-180nm。进一步，更优选地，所述阳极的厚度为60-150nm以及，进一步，最优选地，所述阳极的厚度为80-120nm。在一个具体的实施方式中，所述阳极的厚度为100nm。根据本发明所述的显示装置，其中，所述阴极材料为al。优选地，所述阴极的厚度为70-130nm。进一步，更优选地，所述阴极的厚度为80-120nm以及，进一步，最优选地，所述阴极的厚度为90-110nm。在一个具体的实施方式中，所述阴极的厚度为100nm。本发明的有益技术效果为，与现有技术相比，根据本发明的oled显示装置的亮度和发光效率均能得到较大幅度的提高。具体实施方式必须指出的是，除非上下文另外明确规定，否则如本说明书及所附权利要求中所用，单数形式“一”、“一个/种”和“该/所述”既可包括一个指代物，又可包括多个指代物(即两个以上，包括两个)。除非另外指明，否则本发明中的数值范围为大约的，并且因此可以包括在所述范围外的值。所述数值范围可在本发明表述为从“约”一个特定值和/或至“约”另一个特定值。当表述这样的范围时，另一个方面包括从所述一个特定值和/或至另一个特定值。相似地，当通过使用先行词“约”将值表示为近似值时，应当理解，所述特定值形成另一个方面。还应当理解，数值范围中每一个的端点在与另一个端点的关系中均是重要的并独立于另一个端点。在说明书和最后的权利要求书中提及组合物或制品中特定元素或组分的重量份是指组合物或制品中该元素或组分与任何其它元素或组分之间以重量份表述的重量关系。除非具体指出有相反含义，或基于上下文的语境或所属
技术领域：
内惯用方式的暗示，否则本发明中提及的所有分数以及百分比均按重量计，且组分的重量百分比基于包含该组分的组合物或产品的总重量。本发明中提及的“包含”、“包括”、“具有”以及类似术语并不意欲排除任何可选组分、步骤或程序的存在，而无论是否具体公开任何可选组分、步骤或程序。为了避免任何疑问，除非存在相反陈述，否则通过使用术语“包含”要求的所有方法可以包括一个或多个额外步骤、设备零件或组成部分以及/或物质。相比之下，术语“由……组成”排除未具体叙述或列举的任何组分、步骤或程序。除非另外说明，否则术语“或”是指单独以及以任何组合形式列举的成员。此外，本发明中任何所参考的专利文献或非专利文献的内容都以其全文引用的方式并入本发明，尤其关于所属领域中公开的定义(在并未与本发明具体提供的任何定义不一致的情况下)和常识。在本发明中，除pph-tpd和dbt-and按照wo2012102967a1和us2016/0233435a1文献方法得到之外，其余原料均购自湖北武汉卓鑫科技有限公司。实施例1采用真空热蒸镀的方法，在高准确度膜厚控制仪的监控下，采用束源蒸发装置进行有机薄膜功能材料的精确蒸镀，制备了下列显示装置。表1示出了各功能层的材料和厚度。表1功能层材料厚度(nm)阳极ito100空穴注入层hat-cn10空穴传输层pph-tpd40有机发光层mcp：ir(piq)2(acac)(2.5％)40电子传输层libq4：dbt-and(35％)35电子注入层libq41.0阴极al100比较例1按照
背景技术：
部分提到的cn109970718a实施例1制备对照显示装置。显示性能评价按照常规方法评价实施例1和比较例1的显示性能。结果如表2所示。表2最大波长λmax(nm)发光亮度@12v(cd/m2)发光效率(cd/a)实施例161797002.6比较例162573001.9结果可以看出，与比较例1相比，根据本发明实施例1的oled显示装置的亮度和发光效率均能得到较大幅度的提高。应理解，本发明的具体实施方式仅用于阐释本发明的精神和原则，而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明的内容之后，本领域技术人员可以对本发明的技术方案作出各种改动、替换、删减、修正或调整，这些等价技术方案同样落于本发明权利要求书所限定的范围。当前第1页12