技术特征：1.一种半导体装置，包括：
一第一半导体通道膜，与一第二半导体通道膜位于该第一半导体通道膜上；以及
含硅与氮的一多孔介电结构，
其中该多孔介电结构夹设于该第一半导体通道膜与该第二半导体通道膜之间；
其中该多孔介电结构的密度小于氮化硅的密度。
技术总结此处提供半导体装置与其形成方法。本公开实施例的半导体装置包括第一半导体通道膜，与第二半导体通道膜位于第一半导体通道膜上；以及含硅与氮的多孔介电结构。多孔介电结构夹设于第一半导体通道膜与第二半导体通道膜之间，且多孔介电结构的密度小于氮化硅的密度。
技术研发人员：彭羽筠;颜甫庭;陈婷婷;林耕竹;彭辞修
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.06.04
技术公布日：2021.03.19