技术特征：
1.一种包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，包括一gaas基板、一下dbr层、一下间隔层、一主动区、一上间隔层及一上dbr层；该下dbr层与该下间隔层位于该基板之上且在该主动区之下，该下dbr层是包含多层低折射率层及多层高折射率层；该上dbr层与该上间隔层位于该主动区之上，该上dbr层是包含多层低折射率层及多层高折射率层；其中，该上dbr层、该上间隔层、该下间隔层或该下dbr层中包含al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
，且0＜x≦1，其中在室温下al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
的晶格常数大于该gaas基板的晶格常数。2.如权利要求1所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该多层低折射率层的al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
中磷的含量范围约为0＜y≦0.03；该多层高折射率层的al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
中磷的含量范围约为0＜y≦0.015。3.如权利要求1所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该下dbr层为一n型dbr层时，该上dbr层至少包含一p型dbr层或至少包含一p型dbr层与一n型dbr层；该下dbr层的n型dbr层、该上dbr层的p型dbr层或该上dbr层的n型dbr层包含al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
。4.如权利要求1所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该下dbr层为一p型dbr层时，该上dbr层至少包含一n型dbr层或至少包含一n型dbr层与一p型dbr层；该下dbr层的p型dbr层、该上dbr层的n型dbr层或该上dbr的p型dbr层包含al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
。5.如权利要求1所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该上dbr层或该下dbr层中的该些低折射率层分别包含al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
及/或该上dbr层或该下dbr层中的该些高折射率层分别包含al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
。6.如权利要求1所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，包含有al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
的该些低折射率层中，其中，0.7≦x≦1。7.如权利要求1所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，包含有al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
的该些高折射率层中，其中，0＜x≦0.5。8.如权利要求1所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，包含有al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
的该些低折射率层及/或包含有al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
的该些高折射率层分别包含一材料均匀区，其中该材料均匀区中各部份的磷含量大致相同。9.如权利要求1所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，包含有al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
的该些低折射率层及/或包含有al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
的该些高折射率层分别包含一材料非均匀区。10.如权利要求9所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该材料非均匀区中更包含不同于al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
的一含铝材料。11.如权利要求10所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，不同于al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
的该含铝材料为al
x
ga
1-x
as。12.如权利要求9所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该材料非均匀区内包含多个部分，该多个部分的磷含量不相同。13.如权利要求1、8或9中任一项所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该垂直共振腔表面放射激光二极管还包含一能隙渐变层，
该能隙渐变层设置于为一对的一低折射率层及一高折射率层之间，并且该能隙渐变层的能隙会变化，该能隙渐变层靠近于该高折射率层的部分的能隙相对较小，而该能隙渐变层靠近于该低折射率层的部分的能隙相对较大。14.如权利要求13所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该能隙渐变层包含al
x
ga
1-x
as或al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
。15.如权利要求1所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该主动区包含多层主动层。16.如权利要求15所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该垂直共振腔表面放射激光二极管还包含一内间隔层，该内间隔层设置于两主动层之间，该内间隔层包含al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
，且0＜x≦1。17.如权利要求16所述的包含具有压缩应力algaasp层的垂直共振腔表面放射激光二极管，其特征在于，该内间隔层的al
x
ga
1-x
as
1-y
p
y
的晶格常数在室温下大于该gaas基板的晶格常数。