包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL)的制作方法

技术总结
一种包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL)，包括GaAs基板、下DBR层、下间隔层、主动区、上间隔层及上DBR层。下DBR层或上DBR层分别包含多层的低折射率层及多层的高折射率层，下DBR层、下间隔层、上间隔层或上DBR层包含Al


技术研发人员：黄朝兴 金宇中 戴文长
受保护的技术使用者：全新光电科技股份有限公司
技术研发日：2020.07.17
技术公布日：2021/1/23