显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本申请要求2019年10月15日提交至韩国知识产权局的第10-2019-0127867号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用整体合并于此。
技术领域
3.示例性实施例涉及显示装置，并且更具体地，涉及在其中非显示区域可以被减小并且能够实现高质量图像的显示装置。


背景技术：

4.一般而言，诸如有机发光显示(oled)装置的显示装置包括布置在多个像素中的每个像素中的用于控制每个像素的亮度的薄膜晶体管。例如，薄膜晶体管响应于传达的数据信号来控制对应像素的亮度。
5.数据信号通过多条数据线从显示区域外部的外围区域中的驱动部分被传达到像素。
6.参考根据比较示例的显示装置，驱动部分可以占据显示装置的大的区，或者驱动部分与显示装置的显示区域之间的区可以是大的，这可以导致在其中图像不能在显示装置上被显示的无效空间的数量变得太大。


技术实现要素：

7.根据示例性实施例，提供用于在减小非显示区域(例如，无效空间)的同时实现高质量图像的显示装置。
8.根据示例性实施例，一种显示装置包括基板，该基板包括显示区域、设置在显示区域外部的第一外围区域以及设置在显示区域和第一外围区域外部的第二外围区域。显示装置进一步包括设置在基板上并且从第一外围区域延伸到显示区域中的第一数据线、设置在基板上并且从第二外围区域延伸到显示区域中的第二数据线以及设置在基板上并且从第二外围区域延伸到显示区域中的第三数据线。第二数据线被设置在第一数据线与第三数据线之间。显示装置进一步包括像素电极。显示装置进一步包括设置在第一外围区域中并且彼此间隔开的第一输入线、第二输入线和第三输入线；以及具有第一端部和第二端部的第一连接线(例如，图3和图4中的连接线cl2)。第一端部电连接到第二外围区域中的第二数据线，并且第二端部电连接到第一外围区域中的第二输入线。第一连接线通过在不接触第一数据线的同时在第一数据线之上延伸来穿过显示区域。第一连接线的至少一部分包括与像素电极相同的材料。
9.在示例性实施例中，第一连接线的一部分是在第一数据线之上延伸的一部分。
10.在示例性实施例中，第一连接线的在第一数据线之上延伸的一部分具有与像素电极相同的层结构。
11.在示例性实施例中，第一连接线包括具有连接到第二外围区域中的第二数据线的
第一端部的第一部分。第一部分被设置在与第二数据线相同的层上并且延伸到显示区域。第一连接线进一步包括具有连接到第一部分的第二端部的第一端部的第二部分。第二部分在不接触第一数据线的同时在第一数据线之上延伸，并且包括与像素电极相同的材料。第一连接线进一步包括具有连接到第二部分的第二端部的第一端部的第三部分。第三部分的第二端部电连接到第一外围区域中的第二输入线。
12.在示例性实施例中，第二部分的第一端部通过形成在设置在第一部分与第二部分之间的绝缘层中的接触孔，而连接到第一部分的第二端部。
13.在示例性实施例中，接触孔被设置在显示区域中。
14.在示例性实施例中，第一部分和第二数据线被整体地形成为单一体。
15.在示例性实施例中，第二部分具有与像素电极相同的层结构。
16.在示例性实施例中，第三部分被设置在与第二输入线相同的层上。
17.在示例性实施例中，第二部分的第二端部被设置在第三部分的第一端部之上，并且通过形成在设置在第二部分与第三部分之间的绝缘层中的接触孔，而连接到第三部分的第一端部。
18.在示例性实施例中，接触孔被设置在显示区域中。
19.在示例性实施例中，第三部分和第二输入线被整体地形成为单一体。
20.在示例性实施例中，第二输入线被设置在与第二数据线相同的层上。
21.在示例性实施例中，显示装置进一步包括：具有第一端部和第二端部的第二连接线(例如，图3和图4中的连接线cl3)。第二连接线的第一端部电连接到第二外围区域中的第三数据线，并且第二连接线的第二端部电连接到第一外围区域中的第三输入线。第二连接线通过在不接触第一数据线和第二数据线的同时在第一数据线和第二数据线之上延伸来穿过显示区域。第二连接线的至少一部分包括与像素电极相同的材料。
22.在示例性实施例中，第二连接线的一部分是在第一数据线和第二数据线之上延伸的一部分。
23.在示例性实施例中，第二连接线的在第一数据线和第二数据线之上延伸的一部分具有与像素电极相同的层结构。
24.在示例性实施例中，第二连接线的在第一数据线和第二数据线之上延伸的一部分比第一连接线的在第一数据线之上延伸的一部分更邻近第一外围区域。
25.在示例性实施例中，第二连接线的包括与像素电极相同的材料的一部分的长度大于第一连接线的包括与像素电极相同的材料的一部分的长度。
26.在示例性实施例中，显示装置进一步包括设置在显示区域中的基板上并且包括源电极和漏电极的薄膜晶体管。第一数据线至第三数据线被设置在与源电极和漏电极相同的层上。
27.根据示例性实施例，显示装置进一步包括设置在显示区域中的基板上并且包括源电极和漏电极的薄膜晶体管。第一数据线至第三数据线被设置在覆盖源电极和漏电极的绝缘层上。
28.根据示例性实施例，一种显示装置包括：从第一外围区域延伸到显示区域中的第一数据线；从第二外围区域延伸到显示区域中的第二数据线；设置在第一数据线和第二数据线上的像素电极；设置在第一外围区域中的输入线；以及具有第一端部和第二端部的连
接线。第一端部电连接到第二外围区域中的第二数据线，并且第二端部电连接到第一外围区域中的输入线。连接线通过在不接触第一数据线的同时在第一数据线之上延伸，来穿过显示区域。连接线的至少一部分包括与像素电极相同的材料。
附图说明
29.通过参考附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其它特征将变得更显而易见，在附图中：
30.图1是根据示例性实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。
31.图2是根据示例性实施例的图1的显示装置的示意性侧视图。
32.图3是根据示例性实施例的图1的显示装置的数据线、连接线以及输入线的示意性概念图。
33.图4是根据示例性实施例的图3的区的示意性的放大平面图。
34.图5是根据示例性实施例的沿图4的线v-v截取的区的一部分的截面图。
35.图6是根据示例性实施例的显示装置的一部分的示意性截面图。
36.图7是根据示例性实施例的显示装置的一部分的示意性截面图。
37.图8是根据示例性实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。
38.图9是根据示例性实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。
39.图10是根据示例性实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。
40.图11是根据示例性实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。
41.图12是根据示例性实施例的显示装置的一部分的示意性截面图。
42.图13是根据示例性实施例的显示装置的一部分的示意性截面图。
具体实施方式
43.在下文中，示例性实施例将参考附图被更全面地描述。在整个附图中，相同的附图标记可以指相同的元件。
44.如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联列出的项目的一个或多个任意和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部，或其变型。
45.将理解，当诸如膜、区、层或元件的部件被称为在另一个部件“上”、“连接到”另一个部件、“耦接到”另一个部件或与另一个部件“邻近”时，该部件可以直接在另一个部件上、直接连接到另一个部件、直接耦接到另一个部件或与另一个部件直接邻近，或者可以存在中间部件。还将理解，当部件被称为在两个部件“之间”时，该部件可以是两个部件之间的唯一部件，或者也可以存在一个或多个中间部件。还将理解，当部件被称为“覆盖”另一个部件时，该部件可以是覆盖另一个部件的唯一部件，或者一个或多个中间部件也可以覆盖另一个部件。用于描述元件之间的关系的其它词语应以相同的方式被解释。
46.在下文中将被描述的示例性实施例中，x轴、y轴和z轴不限于正交坐标系上的三个轴，并且可以被解释为指示包括正交坐标系上的三个轴的更宽泛的概念。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此正交，或者可以在x轴、y轴和z轴在其中彼此不成直角交叉的不同的方向上。
47.为了便于描述，在本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”、
“
上”等的空间相对术语，以描述如附图中所图示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征的关系。将理解，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定位为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”能够涵盖上方和下方两种方位。
48.将理解，术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中被使用以区分一个元件与另一个元件，并且元件不受这些术语的限制。因此，示例性实施例中的“第一”元件可以在另一个示例性实施例中被描述为“第二”元件。
49.应理解，每个示例性实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它示例性实施例中的其它类似特征或方面，除非上下文另外明确指示。
50.如本文中所使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。
51.在本文中，如本领域普通技术人员将理解的，当两个部件或方向被描述为基本上彼此平行或垂直地延伸时，两个部件或方向彼此精确地平行或垂直地延伸，或者在测量误差内彼此近似地平行或垂直地延伸。进一步地，如本领域普通技术人员将理解的，当两个或更多个过程被描述为基本上在同一时间被执行或发生时，将理解，过程可以精确地在同一时间或者大约在同一时间被执行或发生。例如，如本领域普通技术人员将理解的，过程可以在测量误差内大约在同一时间被执行或发生。
52.图1是根据示例性实施例的示意性图示显示装置的一部分的平面图，并且图2是根据示例性实施例的示意性图示图1的显示装置的侧视图。根据示例性实施例的显示装置可以具有弯曲的部分(例如，能够弯曲的部分)。这部分可以被称为可弯曲部分。然而，为了便于说明，在图1中图示了可弯曲部分未弯曲。
53.显示装置可以包括显示面板10。显示装置可以包括包含显示面板10的任何类型的显示装置。例如，显示装置可以包括诸如例如智能电话、平板电脑、笔记本电脑、电视或广告板的各种产品。
54.显示面板10可以包括显示区域da和在显示区域da外部的外围区域pa。外围区域pa可以包括在显示区域da外部的(在y轴方向上的)一侧的第一外围区域pa1，以及也在显示区域da外部的(在y轴方向上的)一侧并且在第一外围区域pa1外部的第二外围区域pa2。第二外围区域pa2可以位于第一外围区域pa1的(在x轴方向上的)外侧，并且不与第一外围区域pa1重叠。例如，基于第一外围区域pa1，第二外围区域pa2可以位于朝向显示面板10的边缘的方向(x轴方向)而不是朝向显示面板10的中心的方向。例如，与第一外围区域pa1相比，第二外围区域pa2可以定位成更靠近显示面板10的边缘。在示例性实施例中，第一外围区域pa1在朝向显示面板10的中心的方向上位于显示区域da外部，并且第二外围区域pa2可以在第一外围区域pa1的与显示面板10的相对边缘邻近的两侧上位于显示区域da外部(并且因此，比第一外围区域pa1更靠近显示面板10的相对边缘)。
55.因为显示面板10包括基板100(参见图5)，所以还可以描述为基板100包括以上描述的显示区域da、第一外围区域pa1以及第二外围区域pa2。在下文中，为了便于解释，将描述为基板100包括显示区域da、第一外围区域pa1以及第二外围区域pa2。
56.还可以描述为显示面板10包括主区mr、在主区mr外部的弯曲区br以及位于主区mr
对面的子区sr而弯曲区br在主区mr与子区sr之间。如图2所图示，显示面板10可以在弯曲区br中被弯曲。因此，如图2所图示，当从z轴方向查看时，子区sr的至少一部分可以与主区mr重叠。然而，本公开不限于被弯曲/可弯曲的显示装置，并且还可以被应用于不被弯曲/不可弯曲的显示装置。子区sr可以包括如以下描述的非显示区域。因为显示面板10在弯曲区br中被弯曲，所以当从前表面朝向z轴方向查看显示装置时，显示装置的非显示区域可以对用户是不可见的，或者，即使显示装置的非显示区域对用户是可见的，可见的非显示区域的面积可以被减小。
57.驱动芯片20可以被布置在显示面板10的子区sr中。驱动芯片20可以包括用于驱动显示面板10的集成电路。集成电路可以包括例如用于生成数据信号的数据驱动集成电路。然而，本公开不限于此。
58.驱动芯片20可以被安装在显示面板10的子区sr中。驱动芯片20可以被安装在与显示区域da的显示表面的平面相同的平面上。然而，当弯曲区br被弯曲时，驱动芯片20安装在其上的平面可以相对于显示区域da的显示表面的平面而改变。例如，当显示面板10在如以上描述的弯曲区br中被弯曲时，驱动芯片20可以位于主区mr的后表面上。
59.印刷电路板30可以被耦接到显示面板10的子区sr的端部。印刷电路板30可以通过基板100的焊盘电连接到驱动芯片20。
60.显示面板10可以包括基板100。基板100可以包括例如玻璃、金属或聚合物树脂。如以上描述的，显示面板10可以在弯曲区br中被弯曲/可弯曲。在这种情况下，基板100可以是柔性的或可弯曲的。例如，在这种情况下，基板100可以包括聚合物树脂，例如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。然而，本公开不限于此，并且可以进行各种修改。例如，基板100可以具有多层结构，该多层结构包括包含以上描述的聚合物树脂的两层以及设置在两层之间的阻挡层，阻挡层包括无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等)。
61.图3是示意性图示根据示例性实施例的图1的显示装置的数据线、连接线以及输入线的概念图，图4是示意性图示根据示例性实施例的图3的区的放大平面图，并且图5是根据示例性实施例的沿图4的线v-v截取的区的一部分的截面图。
62.各种信号可以被施加到显示区域da。例如，用于调整每个像素的亮度的数据信号可以被施加到显示区域da。为此，如图3中示意性图示的，诸如例如基本上彼此平行延伸的数据线dl1至dl5的各种线可以位于基板100的显示区域da内部和外部上。将理解，除了数据线dl1至dl5之外，诸如例如电源线或扫描线的附加信号线也可以位于显示区域da内部和外部。
63.第一数据线dl1可以从第一外围区域pa1延伸到显示区域da中。因此，在示例性实施例中，第一数据线dl1被设置在第一外围区域pa1中以及在显示区域da中，并且不被设置在第二外围区域pa2中。第二数据线dl2可以从第二外围区域pa2延伸到显示区域da中。因此，在示例性实施例中，第二数据线dl2可以被设置在第二外围区域pa2中以及在显示区域da中，并且不被设置在第一外围区域pa1中。第三数据线dl3也可以从第二外围区域pa2延伸到显示区域da中。因此，在示例性实施例中，第三数据线dl3可以被设置在第二外围区域pa2中以及在显示区域da中，并且不被设置在第一外围区域pa1中。第三数据线dl3可以位于第一数据线dl1对面，而第二数据线dl2设置在第三数据线dl3和第一数据线dl1之间。
64.为了将数据信号输入到数据线dl1至dl5，彼此分开设置的输入线可以位于第一外围区域pa1中。例如，第一输入线il1可以电连接到第一数据线dl1，第二输入线il2可以电连接到第二数据线dl2，并且第三输入线il3可以电连接到第三数据线dl3。第一输入线il1可以与第一数据线dl1构成整体，如图3和图4所示。例如，第一输入线il1和第一数据线dl1可以被整体地形成为单一体。然而，本公开不限于此。第二输入线il2可以经由第二连接线cl2电连接到第二数据线dl2，并且第三输入线il3可以经由第三连接线cl3电连接到第三数据线dl3。
65.第二连接线cl2可以具有电连接到第二外围区域pa2中的第二数据线dl2的第一端部以及电连接到第一外围区域pa1中的第二输入线il2的第二端部。第二连接线cl2可以通过在不接触第一数据线dl1的同时在第一数据线dl1之上延伸来穿过显示区域da。这里，第二连接线cl2的至少一部分可以包括与在以下将描述的像素电极311(参见图5)中包括的材料相同的材料。例如，在示例性实施例中，第二连接线cl2的一部分(例如，在第一数据线dl1之上延伸的一部分)可以包括与在像素电极311中包括的材料相同的材料。
66.进一步地，第二连接线cl2的一部分(例如，在第一数据线dl1之上延伸的一部分)可以具有与像素电极311相同的层结构。这里，具有相同的层结构可以指代当像素电极311具有包括ito、izo或in2o3的透明导电层以及包括al的反射导电层时，第二连接线cl2的一部分(例如，在第一数据线dl1之上延伸的一部分)也可以具有包括ito、izo或in2o3的透明导电层以及包括al的反射导电层。这可以是因为第二连接线cl2的一部分(例如，在第一数据线dl1之上延伸的一部分)可以通过与像素电极311使用相同的材料与像素电极311同时地被形成。例如，第二连接线cl2的一部分(例如，在第一数据线dl1之上延伸的一部分)和像素电极311可以使用相同的材料基本上在同一时间被形成。这方面在以下描述的示例性实施例以及从以下描述的示例性实施例修改的示例性实施例中是相同的。
67.在本文中，第二连接线cl2被详细地描述。第二连接线cl2可以包括第一部分p1至第三部分p3，如图4所示。
68.第一部分p1的第一端部可以连接到第二外围区域pa2中的第二数据线dl2。另外，第一部分p1可以位于与第二数据线dl2相同的层上(例如，直接在相同的层上)，并且可以延伸到显示区域da。相应地，第一部分p1可以连接到具有基本上线性形状的第二数据线dl2。图4图示了第一部分p1与第二数据线dl2构成整体。例如，第一部分p1和第二数据线dl2被整体地形成为单一体。
69.第二部分p2的第一端部可以连接到第一部分p1的第二端部。例如，第二部分p2的第一端部可以通过在第一部分p1与第二部分p2之间的绝缘层(平坦化层140)中的第一接触孔ct1而连接到第一部分p1的第二端部，如图5中所示。第一接触孔ct1可以位于显示区域da中。另外，第二部分p2可以在不接触第一数据线dl1的同时在第一数据线dl1之上延伸，并且可以包括与在像素电极311中包括的材料相同的材料。例如，第二部分p2可以具有与像素电极311相同的层结构。
70.第三部分p3的第一端部可以连接到第二部分p2的第二端部。第二部分p2的第二端部可以位于第三部分p3的第一端部上方，并且可以通过在第二部分p2与第三部分p3之间的绝缘层(平坦化层140)中的第二接触孔ct2而连接到第三部分p3的第一端部。第二接触孔ct2可以位于显示区域da中。另外，第三部分p3的第二端部可以电连接到第一外围区域pa1
中的第二输入线il2。图4图示了第三部分p3位于与第二输入线il2相同的层上(例如，直接在相同的层上)，并且第三部分p3和第二输入线il2彼此构成整体(例如，第三部分p3和第二输入线il2被整体地形成为单一体)。
71.第二输入线il2可以位于与第二数据线dl2相同的层上(例如，直接在相同的层上)，如图3和图4中所图示。然而，本公开不限于此。例如，在示例性实施例中，第二输入线il2和第二数据线dl2可以彼此位于不同的层上。
72.将第三输入线il3电连接到第三数据线dl3的第三连接线cl3可以具有与第二连接线cl2相同和/或基本上相同的形状。例如，第三连接线cl3的端部可以电连接到第二外围区域pa2中的第三数据线dl3。另外，第三连接线cl3可以通过在不接触第一数据线dl1和第二数据线dl2的同时在第一数据线dl1和第二数据线dl2之上延伸来穿过显示区域da。另外，第三连接线cl3的另一个端部可以电连接到第一外围区域pa1中的第三输入线il3。第三连接线cl3的至少一部分可以包括与在像素电极311中包括的材料相同的材料。例如，第三连接线cl3的一部分(例如，在第一数据线dl1和第二数据线dl2之上延伸的一部分)可以包括与在像素电极311中包括的材料相同的材料。进一步地，第三连接线cl3的一部分(例如，在第一数据线dl1和第二数据线dl2之上延伸的一部分)可以具有与像素电极311相同的层结构。
73.尽管为了便于说明未由附图标记指示，但是第三连接线cl3可以具有分别与第二连接线cl2的第一部分p1至第三部分p3相对应的部分。第二连接线cl2的第一部分p1至第三部分p3的描述可以被应用于第三连接线cl3的如此相应的部分。
74.如图3和图4所示，在根据示例性实施例的显示装置的情况下，显示区域da的边缘周围的无效空间的面积可以被显著减小。相对于第二数据线dl2或第三数据线dl3位于朝向显示面板10的中心的方向上的第一数据线dl1可以被直接连接到第一输入线il1(例如，连接到第一输入线il1而不使用单独的连接线)。然而，相对于第一数据线dl1位于朝向显示面板10的边缘的方向上的第二数据线d2或第三数据线dl3没有被直接连接到第二输入线il2或第三输入线il3。相反，第二数据线d2或第三数据线d3可以经由通过显示区域da延伸的第二连接线cl2或第三连接线cl3而连接到第二输入线il2或第三输入线il3。相应地，第二输入线il2和第三输入线il3不位于第二数据线dl2和第三数据线dl3附近(例如，不位于与第二数据线dl2或第三数据线dl3相同的区域中)。相反，第二输入线il2和第三输入线il3可以相对地位于显示面板10的中心处。通过这种结构，显示区域da的边缘周围的无效空间的面积可以被显著减小。例如，在示例性实施例中，第二数据线d2和第三数据线d3被分别连接到第二输入线il2和第三输入线il3，第二输入线il2和第三输入线il3位于显示面板10的中心附近，并且第二数据线d2和第三数据线d3不位于显示面板10的中心附近(例如，与第二输入线il2和第三输入线il3相比，不位于靠近显示面板10的中心)。
75.根据示例性实施例，如以上描述的，在位于显示面板10的显示区域da中的多条数据线(例如，数据线dl1至dl5)之中，位于显示面板10的中心附近的数据线可以被直接连接到位于外围区域pa中的相应的输入线，并且位于远离显示面板10的中心并且更靠近显示面板10的边缘的另一条(些)数据线可以经由通过显示区域da延伸的连接线而连接到位于外围区域pa中的相应的输入线。
76.如图3和图4所示，第三连接线cl3的在第一数据线dl1和第二数据线dl2之上延伸的一部分可以比第二连接线cl2的一部分(在第一数据线dl1之上延伸的第二部分p2)更邻
近第一外围区域pa1。由于第三连接线cl3的在第一数据线dl1和第二数据线dl2之上延伸的一部分在两条数据线dl1和dl2之上延伸，因此该部分可以具有比第二连接线cl2的仅在一条数据线dl1之上延伸的第二部分p2更大的长度。例如，第三连接线cl3的一部分(包括与在像素电极311中包括的材料相同的材料的一部分)的长度可以大于第二连接线cl2的第二部分p2的长度(第二部分p2包括与在像素电极311中包括的材料相同的材料)。
77.然而，由于第三连接线cl3的在第一数据线dl1和第二数据线dl2之上延伸的一部分比第二连接线cl2的在第一数据线dl1之上延伸的一部分(第二部分p2)更邻近第一外围区域pa1，所以第三连接线cl3的总长度和第二连接线cl2的总长度可以基本上彼此相同。基于该结构，在第二数据线dl2和第三数据线dl3使用连接线的情况下，第二数据线dl2和第三数据线dl3中的每条的从它们的对应的输入线到它们的对应的数据线的路径的长度可以基本上彼此相同。
78.另外，在第一数据线dl1、第四数据线dl4和第五数据线dl5的情况下，即使如图3和图4所图示的在没有连接线的情况下可以实现这些数据线时，在示例性实施例中，通过显示区域da延伸的连接线仍然可以被有意地使用，以将第一数据线dl1、第四数据线dl4和第五数据线dl5连接到输入线。基于该结构，数据线可以经由连接线被分别连接到输入线，并且连接线的全部可以具有基本上相同的长度。然而，在这种情况下，连接到第一数据线dl1、第四数据线dl4和第五数据线dl5的连接线可以比第三连接线cl3或第二连接线cl2延伸通过显示区域da的更深的区。
79.在下文中，显示器件310和电连接到显示器件310的器件参考图5被描述，并且数据线dl1和dl2以及第二连接线cl2的空间关系被描述。
80.如图5中所图示，图5示意性地图示了沿图4的线v-v截取的区的一部分的截面图，除了显示器件310之外，显示器件310电连接至其的薄膜晶体管210可以位于基板100的显示区域da中。图5图示了显示器件310被实现为位于显示区域da中的有机发光器件。通过像素电极311电连接到薄膜晶体管210，有机发光器件电连接到薄膜晶体管210。
81.薄膜晶体管210可以包括半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b，该半导体层211包括例如非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。栅电极213可以包括各种导电材料并且具有各种层结构。例如，栅电极213可以包括mo层和al层。源电极215a和漏电极215b也可以包括各种导电材料并且具有各种层结构。例如，源电极215a和漏电极215b可以包括ti层和al层。
82.为了获得半导体层211与栅电极213之间的绝缘特性，包括诸如例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的第一栅绝缘层121可以被包括在半导体层211与栅电极213之间。此外，包括诸如例如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料的第一层间绝缘层131可以被布置在栅电极213上，并且源电极215a和漏电极215b可以被布置在第一层间绝缘层131上。包括无机材料的绝缘层121和131可以通过使用例如化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)被形成。这方面在以下描述的示例性实施例以及从以下描述的示例性实施例修改的示例性实施例中是相同的。
83.包括诸如例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层110可以被布置在具有以上描述的结构的薄膜晶体管210与基板100之间。缓冲层110可以增强基板100的上表面的平坦化，或者可以防止或减少杂质从基板100渗透到薄膜晶体管210的半导体层211
中。
84.另外，平坦化层140可以被布置在薄膜晶体管210上。例如，如图5中所图示的，当有机发光器件被布置在薄膜晶体管210上时，平坦化层140可以基本上使覆盖薄膜晶体管210的保护层(未示出)的上部分平坦化。平坦化层140可以包括例如诸如丙烯酸、苯并环丁烯(bcb)或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有机材料。尽管在图5中平坦化层140被图示为单层，但是本公开不限于此。例如，在示例性实施例中，平坦化层140可以包括多层。类似地，可以对示例性实施例进行各种其它修改。
85.显示器件310在基板100的显示区域da中可以位于平坦化层140上。显示器件310可以是例如有机发光器件，该有机发光器件包括像素电极311、对电极315以及被布置在像素电极311与对电极315之间并且包括发射层的中间层313。如图5中所图示的，像素电极311可以通过形成在平坦化层140中的开口接触源电极215a和漏电极215b中的任何一个，以电连接到薄膜晶体管210。
86.像素限定层150可以被布置在平坦化层140上。像素限定层150可以具有与子像素中的每个子像素相对应的开口，例如，用以暴露像素电极311的至少中心部分的开口，从而限定像素。另外，如图5中所图示的，像素限定层150可以增加像素电极311的边缘与像素电极311上方的对电极315之间的距离，从而防止例如在像素电极311的边缘处的电弧的出现。像素限定层150可以包括例如诸如聚酰亚胺或hmdso的有机材料。
87.有机发光器件的中间层313可以包括低分子量材料或高分子量材料。当中间层313包括低分子量材料时，中间层313可以具有包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)等中的任何一个的堆叠或它们的组合的堆叠的结构，并且中间层313可以通过使用例如真空沉积法被形成。当中间层313包括高分子量材料时，中间层313可以具有包括htl和eml的结构。这里，htl可以包括聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(pedot)，并且eml可以包括聚苯乙炔类和聚芴类的高分子量材料。中间层313可以通过使用例如丝网印刷法、喷墨印刷法、激光诱导热成像法(liti)等被形成。然而，中间层313不限于此，并且可以具有各种结构。另外，中间层313可以包括遍及多个像素电极311整体地形成为单一体的层，或者可以包括图案化为分别对应于多个像素电极311的层。
88.对电极315可以被布置在显示区域da中，并且可以覆盖显示区域da。例如，对电极315可以遍及多个有机发光器件整体地形成为单一体，并且可以对应于多个像素电极311。对电极315可以覆盖显示区域da，并且可以延伸到显示区域da外部的外围区域pa。
89.在示例性实施例中，封装层可以覆盖有机发光器件，以保护有机发光器件不受例如外部的水或湿气的损害。封装层可以覆盖显示区域da，并且可以延伸到外围区域pa的至少一部分。封装层可以包括例如第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
90.数据线dl1至dl5可以位于与薄膜晶体管210的源电极215a和漏电极215b相同的层上(例如，直接在相同的层上)。相应地，第一数据线dl1至第五数据线dl5可以包括与包括在源电极215a和漏电极215b中的材料相同的材料，并且第一数据线dl1至第五数据线dl5可以具有与源电极215a和漏电极215b相同的层结构。像素电极311可以位于平坦化层140上，该平坦化层140是不仅覆盖源电极215a和漏电极215b而且覆盖第一数据线dl1至第五数据线dl5的绝缘层。因此，像素电极311可以被设置在第一数据线dl1至第五数据线dl5上(而平坦化层140被设置在像素电极311与第一数据线dl1至第五数据线dl5之间)。因此，包括第二连
接线cl2的连接线的一部分可以位于平坦化层140上。在第二连接线cl2的情况下，第二部分p2可以位于平坦化层140上。第二部分p2位于显示区域da中，并且因此，对电极315覆盖第二部分p2的上部分。
91.然而，本公开不限于以上描述的配置，并且可以根据示例性实施例进行各种修改。例如，如图6中图示的，图6是根据示例性实施例的示意性图示显示装置的一部分的截面图，包括诸如例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的第二层间绝缘层132在第一层间绝缘层131上可以覆盖源电极215a和漏电极215b，并且第一数据线dl1和第二数据线dl2可以位于第二层间绝缘层132上。在这种情况下，电源线可以位于与源电极215a和漏电极215b相同的层上(例如，直接在相同的层上)，或者位于与第一数据线dl1和第二数据线dl2相同的层上(例如，直接在相同的层上)。可替代地，在示例性实施例中，数据线中的一些数据线可以位于第一层间绝缘层131上，并且其它数据线可以位于第二层间绝缘层132上。
92.不同于根据图6的示例性实施例，在根据图7的示例性实施例中，图7是示意性图示显示装置的一部分的截面图，第一数据线dl1和第二数据线dl2、第二连接线cl2的第一部分p1和第三部分p3以及源电极215a和漏电极215b中的全部可以位于第二层间绝缘层132上。在这种情况下，电源线或电容器的电极可以位于第一层间绝缘层131与第二层间绝缘层132之间。
93.参考图4，在示例性实施例中，描述了输入线il1至il5位于与数据线dl1至dl5相同的层上。然而，本公开不限于此。例如，在如图8中所图示的示例性实施例中，图8是示意性图示显示装置的一部分的平面图，第一输入线il1至第五输入线il5可以位于第一数据线dl1至第五数据线dl5下方。例如，第一输入线il1至第五输入线il5可以位于与例如栅电极213相同的层上(例如，直接在相同的层上)(参见图5)。在这种情况下，连接线可以经由形成在第一层间绝缘层131中的接触孔电连接到与连接线相对应的相应输入线。
94.以上参考图3和图4描述了在示例性实施例中，第三连接线cl3的在第一数据线dl1和第二数据线dl2之上延伸的一部分可以比第二连接线cl2的在第一数据线dl1之上延伸的一部分(第二部分p2)更邻近第一外围区域pa1。然而，本公开不限于此。例如，如图9中所图示的，图9是根据示例性实施例的示意性图示显示装置的一部分的平面图，第二连接线cl2的在第一数据线dl1之上延伸的一部分(第二部分p2)可以比第三连接线cl3的在第一数据线dl1和第二数据线dl2之上延伸的一部分更邻近第一外围区域pa1。
95.在这种情况下，在示例性实施例中，如图10中所图示的，连接线中的每条连接线不包括彼此位于不同的层上的部分，但是可以位于彼此相同的层上(例如，直接在相同的层上)。例如，第二连接线cl2的第一部分p1至第三部分p3可以被整体地形成为单一体，并且可以与像素电极311包括相同的材料。第三连接线cl3可以以相同的方式被配置。在这种情况下，由于连接线中的每条连接线都位于数据线之上，如图11中所示，图11是根据示例性实施例的示意性图示显示装置的一部分的平面图，第二连接线cl2和第三连接线cl3的一部分可以与第二数据线dl2和第三数据线dl3重叠。例如，第二连接线cl2的第一部分p1可以位于与第二数据线dl2不同的层上，但是在平面图中可以与第二数据线dl2重叠。
96.以这种方式，在根据示例性实施例的制造过程中，第二连接线cl2和第三连接线cl3中的每条的至少一部分可以与像素电极311同时地形成在与像素电极311相同的层上(例如，直接在相同的层上)。相应地，第二连接线cl2和第三连接线cl3中的每条的至少一部
分可以包括与像素电极311相同的材料，并且可以具有与像素电极311相同的层结构。像素电极311位于具有相对大的厚度的平坦化层140上，并且因此，第二连接线cl2和第三连接线cl3的、包括与像素电极311相同的材料并且与像素电极311一起形成的一部分也位于具有相对大的厚度的平坦化层140上。因此，在第二连接线cl2和第三连接线cl3的、包括与像素电极311相同的材料并且与有像素电极311一起形成的一部分与平坦化层140下方的第一数据线dl1之间出现的寄生电容可以被减少。
97.以上描述了根据示例性实施例，第二连接线cl2和第三连接线cl3中的每条的至少一部分与像素电极311同时地形成在与像素电极311相同的层上。然而，本公开不限于此。例如，如图12中所示，图12是根据示例性实施例的示意性图示显示装置的一部分的截面图，第一数据线dl1和第二数据线dl2可以与源电极215a和漏电极215b一样位于第一层间绝缘层131上。另外，包括诸如例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的第二层间绝缘层132可以覆盖在第一层间绝缘层131上的源电极215a、漏电极215b、第一数据线dl1和第二数据线dl2。在这种情况下，电源线可以位于与源电极215a和漏电极215b相同的层上。
98.如以上所描述的，第二连接线cl2可以包括第一部分p1至第三部分p3。这里，第二连接线cl2的第一部分p1和第三部分p3可以与源电极215a和漏电极215b一样位于第一层间绝缘层131上。另外，第二层间绝缘层132可以覆盖第二连接线cl2的第一部分p1和第三部分p3。第二连接线cl2的第二部分p2可以位于第二层间绝缘层132上，并且可以通过接触孔电连接到第二连接线cl2的第一部分p1和第三部分p3。第二连接线cl2的第一部分p1和第三部分p3可以在制造过程中通过与源电极215a和漏电极215b使用相同的材料与源电极215a和漏电极215b同时地被形成。第二连接线cl2的第二部分p2可以通过使用在形成源电极215a和漏电极215b时使用的材料被形成。平坦化层140可以覆盖第二连接线cl2的第二部分p2。
99.如图13中所图示的，图13是根据示例性实施例的示意性图示显示装置的一部分的截面图，除了第一层间绝缘层131之外，第二栅绝缘层122可以被进一步布置在源电极215a和漏电极215b以及栅电极213之间。例如，第二栅绝缘层122可以覆盖栅电极213，并且第一层间绝缘层131可以覆盖第二栅绝缘层122。第二栅绝缘层122可以与第一层间绝缘层131一样包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
100.第一数据线dl1和第二数据线dl2可以与栅电极213一样位于第一栅绝缘层121上。第一数据线dl1和第二数据线dl2可以与栅电极213包括相同的材料。例如，第一数据线dl1和第二数据线dl2可以通过与栅电极213使用相同的材料与栅电极213同时地被形成。除了栅电极213之外，第二栅绝缘层122可以覆盖第一数据线dl1和第二数据线dl2。在这种情况下，电源线可以位于与第一数据线dl1和第二数据线dl2相同的层上。
101.如以上所描述的，第二连接线cl2可以包括第一部分p1至第三部分p3。这里，第二连接线cl2的第一部分p1和第三部分p3可以与栅电极213一样位于第一栅绝缘层121上。另外，第二栅绝缘层122可以覆盖第二连接线cl2的第一部分p1和第三部分p3。第二连接线cl2的第二部分p2可以位于第二栅绝缘层122上，并且可以通过接触孔电连接到第二连接线cl2的第一部分p1和第三部分p3。第二连接线cl2的第一部分p1和第三部分p3可以在制造过程中通过与栅电极213使用相同的材料与栅电极213同时地被形成。第二连接线cl2的第二部分p2可以通过使用用于形成栅电极213的材料或通过使用其它导电材料被形成。第一层间绝缘层131可以覆盖第二连接线cl2的第二部分p2。
102.根据以上描述的示例性实施例，在其中非显示区域可以被减小并且能够实现高质量图像的显示装置可以被提供。然而，本公开的范围不限于此。
103.尽管已经参考本公开的示例性实施例具体地示出和描述了本公开，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上做出各种改变。