低应力非对称双侧模块的制作方法

低应力非对称双侧模块
[0001]
相关申请的交叉引用
[0002]
本申请要求授予chew等人的名称为“低应力非对称双侧模块(low stress asymmetric dual side module)”的美国临时专利申请62/882,119的提交日期的权益，该申请提交于2019年8月2日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
技术领域
[0003]
本文档的各方面整体涉及模块化半导体封装件，诸如具有双侧冷却能力的功率半导体封装件。更特定的实施方式涉及引线框。


背景技术：

[0004]
功率半导体封装件通常包括多个堆叠衬底。散热器(heat sink)可耦接到该设备的外部端子。一些功率半导体封装件可包括具有翅片阵列结构的散热器。


技术实现要素：

[0005]
半导体封装件的实施方式可包括：第一衬底，该第一衬底具有耦接到该第一衬底的第一侧面的两个或更多个管芯。夹具可耦接到该第一衬底上的两个或更多个管芯中的每个管芯。该封装件还可包括第二衬底，该第二衬底具有耦接到该第二衬底的第一侧面的两个或更多个管芯。夹具可耦接到该第二衬底上的两个或更多个管芯中的每个管芯。该封装件可包括两个或更多个间隔物，该两个或更多个间隔物耦接到该第一衬底的第一侧面。该封装件还可包括：引线框，该引线框在该第一衬底与该第二衬底之间；以及模塑料(molding compound)，该模塑料包封该引线框。该第一衬底和该第二衬底中的每一者的第二侧面可通过该模塑料暴露。当通过该两个或更多个间隔物耦接时，该第一衬底的周边和该第二衬底的周边可能不完全重叠。
[0006]
半导体封装件的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：
[0007]
该两个或更多个管芯可包括绝缘栅双极晶体管(igbt)管芯和快速恢复管芯(frd)。
[0008]
该第一衬底和该第二衬底可包括直接键合铜衬底(dbc)，该直接键合铜衬底具有掺杂有二氧化锆(zro2)的氧化铝(al2o3)陶瓷、氮化硅(si3n4)陶瓷、氮化铝(aln)陶瓷、高强度aln(h-aln)陶瓷或它们的任何组合。
[0009]
该半导体封装件还可包括散热器，该散热器与该第一管芯的第二侧面、该第二管芯的第二侧面或它们的任何组合耦接。
[0010]
该两个或更多个间隔物可由导电材料制成，并且可将该第一衬底电耦接到该第二衬底。
[0011]
该第一衬底和该第二衬底可包括直接键合铜衬底(dbc)、绝缘金属衬底技术(imst)衬底、活泼金属键合(amb)衬底或它们的任何组合。
[0012]
半导体封装件的实施方式可包括：引线框；以及第一衬底，该第一衬底机械耦接和
电耦接到该引线框的第一侧面。该第一衬底可包括在该第一衬底的第一侧面上的两个或更多个管芯。夹具可耦接到与该第一衬底的第一侧面耦接的两个或更多个管芯中的每个管芯。该封装件还可包括第二衬底，该第二衬底机械耦接和电耦接到该引线框的第二侧面。该第二衬底可包括在该第二衬底的第一侧面上的两个或更多个管芯，并且夹具耦接到该两个或更多个管芯中的每个管芯。该封装件还可包括两个或更多个间隔物，该两个或更多个间隔物耦接到该第一衬底和该第二衬底中的每一者的第一侧面。模塑料可包封该引线框的第一侧面和第二侧面。该第一衬底的第一侧面和该第二衬底的第一侧面可通过该两个或更多个间隔物不对称地耦接。
[0013]
半导体封装件的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：
[0014]
该两个或更多个管芯可包括绝缘栅双极晶体管(igbt)管芯和快速恢复管芯(frd)。
[0015]
该第一衬底和该第二衬底可包括直接键合铜衬底(dbc)，该直接键合铜衬底具有掺杂有二氧化锆(zro2)的氧化铝(al2o3)陶瓷、氮化硅(si3n4)陶瓷、氮化铝(aln)陶瓷、高强度aln(h-aln)陶瓷或它们的任何组合。
[0016]
该封装件还可包括散热器，该散热器与该第一管芯的第二侧面、该第二管芯的第二侧面或它们的任何组合中的一者耦接。
[0017]
该两个或更多个间隔物可由导电材料制成，并且将该第一衬底电耦接到该第二衬底。
[0018]
该第一衬底和该第二衬底可包括直接键合铜衬底(dbc)、绝缘金属衬底技术(imst)衬底、活泼金属键合(amb)衬底或它们的任何组合。
[0019]
半导体封装件的实施方式可通过形成半导体封装件的方法来制造。各种方法实施方式可包括：提供第一衬底的第一面板和第二衬底的第二面板。该方法还可包括在预先确定的位置中将第一导电键合材料印刷在衬底的第一面板的第一侧面和衬底的第一面板的第二侧面上，以及在该预先确定的位置处将两个或更多个管芯耦接到衬底的第一面板的每个衬底并耦接到衬底的第二面板的每个衬底。该方法还可以包括将第二导电材料分配到该两个或更多个管芯中的每个管芯的第二侧面上，以及将夹具耦接到该两个或更多个管芯中的每个管芯。该方法可包括将该第一面板和该第二面板中的每一者分别切割(singulate)成多个第一衬底和多个第二衬底。该方法可包括将焊料分配到该多个第一衬底中的每一者和该多个第二衬底中的每一者的第一侧面上的多个预先确定的位置上。该方法还可包括将该多个第一衬底中的第一衬底耦接到引线框的第一侧面，以及将两个或更多个间隔物耦接到该第一衬底的第一侧面。该方法还可包括将该多个第二衬底中的第二衬底的第一侧面耦接到该两个或更多个间隔物并耦接到该引线框的第二侧面。
[0020]
形成半导体封装的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：
[0021]
该方法还可包括修剪该引线框以暴露多条引线并形成该引线。
[0022]
该方法还可包括在该第一侧面和该第二侧面上包封该引线框，其中该多个第一衬底和该多个第二衬底中的每个衬底的第二侧面被暴露。
[0023]
第一衬底的第一面板和第二衬底的第二面板可各自包括直接键合铜衬底(dbc)、绝缘金属衬底技术(imst)衬底、活泼金属键合(amb)衬底或它们的任何组合。
[0024]
该方法还可包括将散热器与该第一管芯的第二侧面、该第二管芯的第二侧面或它
们的任何组合中的一者耦接。
[0025]
该方法还可包括将散热器与该多个第一衬底中的第一衬底的第二侧面、该多个第二衬底中的第二衬底的第二侧面或它们的任何组合耦接。
[0026]
该两个或更多个间隔物可由导电材料制成，并且可将该第一衬底电耦接到该第二衬底。
[0027]
该第一衬底的第一侧面和该第二衬底的第一侧面可通过该两个或更多个间隔物不对称地耦接。
[0028]
该第一导电材料和该第二导电材料可包括焊膏或烧结膏。
[0029]
对于本领域的普通技术人员而言，通过说明书和附图并且通过权利要求书，上述以及其他方面、特征和优点将会显而易见。
附图说明
[0030]
将在下文中结合附图来描述实施方式，在附图中类似标号表示类似元件，并且：
[0031]
图1是半导体封装件的实施方式的侧视图；
[0032]
图2是半导体封装件的实施方式的顶部透视图；
[0033]
图3是在将第二衬底耦接到引线框之前该引线框的实施方式的顶部透视图；
[0034]
图4是第一衬底的实施方式的顶部透视图；
[0035]
图5是第二衬底的实施方式的顶部透视图；
[0036]
图6是衬底的面板的实施方式的顶部透视图；
[0037]
图7是具有耦接在预先确定的位置中的导电材料的衬底的面板的实施方式的顶部透视图；
[0038]
图8是具有耦接到预先确定的位置的两个管芯的衬底的面板的实施方式的顶部透视图；
[0039]
图9是耦接到两个管芯中的每个管芯的导电材料的实施方式的顶部透视图；
[0040]
图10是耦接到两个管芯中的每个管芯的两个夹具的实施方式的顶部透视图；
[0041]
图11是夹具的实施方式的顶部透视图；
[0042]
图12是耦接到两个管芯的引线键合的实施方式的顶部透视图；
[0043]
图13是衬底的面板的实施方式的顶部透视图，该面板切割为三个衬底；
[0044]
图14是切割后的第一衬底的实施方式的顶部透视图；
[0045]
图15是切割后的第二衬底的实施方式的顶部透视图；
[0046]
图16是耦接到引线框的第一衬底和在耦接到引线框之前的第二衬底的实施方式的顶部透视图；
[0047]
图17是间隔物的实施方式的近距离视图；
[0048]
图18是在第二衬底耦接到引线框之后该引线框的第二侧面的实施方式的顶部透视图；
[0049]
图19是引线框的第一侧面的实施方式的顶部透视图；
[0050]
图20是半导体封装件的实施方式的侧视图；
[0051]
图21是在包封后半导体封装件的实施方式的顶视图；以及
[0052]
图22是在引线修剪和形成后半导体封装件的实施方式的透视图。
具体实施方式
[0053]
本公开、其各方面以及实施方式并不限于本文所公开的具体部件、组装工序或方法要素。本领域已知的与预期半导体封装件符合的许多附加部件、组装工序和/或方法元素将显而易见地能与本公开的特定实施方式一起使用。因此，例如，尽管本发明公开了特定实施方式，但是此类实施方式和实施部件可包括符合预期操作和方法的本领域已知用于此类半导体封装件以及实施部件和方法的任何形状、尺寸、样式、类型、模型、版本、量度、浓度、材料、数量、方法元素、步骤，和/或类似的。
[0054]
参见图1，示出了半导体封装件2的实施方式的侧视图。如图所示，半导体封装件包括第一衬底4，该第一衬底耦接到引线框8的第一侧面6。第一衬底4包括两个管芯10和12，这两个管芯在两个预先确定的位置中耦接到第一衬底4。在各种实施方式中，两个以上的管芯可耦接到第一衬底。作为非限制性示例，管芯可包括绝缘栅双极晶体管(igbt)、快速恢复管芯(frd)、任何其他半导体管芯或它们的任何组合。半导体封装件还包括第二衬底14，该第二衬底耦接到引线框8的第二侧面16。引线框8耦接在第一衬底4与第二衬底14之间。第二衬底具有两个管芯，这两个管芯耦接到第二衬底的第一侧面上的两个预先确定的位置。在各种实施方式中，作为非限制性示例，耦接到第二衬底的两个管芯可包括绝缘栅双极晶体管(igbt)、快速恢复管芯(frd)、任何其他半导体管芯或它们的任何组合。
[0055]
图1中所示的第一衬底和第二衬底中的每一者是包括陶瓷衬底的直接键合铜衬底(dbc)，其中铜板耦接到该陶瓷衬底的第一侧面和第二侧面。在各种实施方式中，dbc可包括掺杂有二氧化锆(zro2)的氧化铝(al2o3)陶瓷(hps)。在其他实施方式中，陶瓷可由其他材料制成，诸如氮化硅(si3n4)陶瓷、氮化铝(aln)陶瓷、高强度aln(h-aln)陶瓷或它们的任何组合。在一些实施方式中，cu/hps/cu dbc衬底的各层的厚度可包括0.30mm的cu、0.32mm的陶瓷/hps和0.30mm的cu。在其他实施方式中，可基于电气需求、热需求、封装件高度控制和设备的其他参数来改变厚度。在其他实施方式中，第一衬底、第二衬底或第一衬底和第二衬底两者可由另一种衬底材料制成，作为非限制性示例，诸如活泼金属硬钎焊(amb)衬底、绝缘金属衬底技术(imst)、层压衬底、仅在衬底的一个表面上具有金属层的衬底、它们的任何组合、以及任何其他衬底类型。
[0056]
参见图2，示出了半导体封装件22的实施方式的顶视图。在这个视图中，引线框的第二侧面24被示出为具有耦接到其上的第二衬底28。第二衬底28可通过形成在向上位置中的引线30耦接到引线框24。如图所示，第一衬底32耦接到引线框的与第二衬底相对的第一侧面。第一衬底的第一侧面的一部分面向第二衬底的第一侧面的一部分而不是全部。另外，如图所示，当耦接到引线框和间隔物时，第一衬底的周边和第二衬底的周边不完全重叠。第一衬底和第二衬底因此不对称地耦接到引线框。
[0057]
参见图3，示出了引线框34的实施方式。可通过将引线压印以使与第一衬底和第二衬底的接触偏移而形成引线框。第一衬底40通过引线36和引线键合38耦接到引线框34的第一侧面。在各种实施方式中，引线框可通过其他导电材料(诸如焊料或管芯附着材料)耦接到第一衬底。第一衬底包括两个夹具42和44，这两个夹具通过导电键合材料耦接到第一衬底的第一侧面。在各种实施方式中，作为非限制性示例，导电键合材料可以包括无铅(pb)焊膏、烧结银膏、其他导电键合材料或它们的任何组合。两个间隔物42和44可由一种或多种导电材料形成，并且可在第一衬底与第二衬底之间提供电触点。在各种实施方式中，间隔物可
由铜或铜合金形成。
[0058]
如图3中所示，第二衬底46的第一侧面通过引线框上的引线并通过两个间隔物42和44耦接到该设备，如虚线48和50所示。第二衬底包括两个半导体管芯52和54，这两个半导体管芯通过导电材料耦接到衬底的第一侧面。在各种实施方式中，这两个管芯可包括igbt、frd或本文所述的任何其他管芯。夹具56耦接到这两个管芯中的每个管芯的第一侧面。在各种实施方式中，夹具可具有约0.3mm的厚度。在其他实施方式中，夹具的厚度可基于电气需求、热需求或该设备的其他设计参数而不同。在各种实施方式中，夹具可由铜或铜合金形成。
[0059]
参见图4，示出了第一衬底60的实施方式。在各种实施方式中，第一衬底可包括直接键合铜衬底。在各种实施方式中，衬底的各层的厚度可为约0.30mm的cu、约0.32mm的陶瓷和约0.30mm的cu。在一些实施方式中，各层的厚度可基于该设备的参数/结构而不同。第一衬底60包括第一管芯62，该第一管芯耦接到衬底的第一侧面65。夹具64耦接到第一管芯62的第一侧面。在各种实施方式中，第一管芯可为frd管芯。如图所示，第一衬底60还包括第二管芯66，该第二管芯耦接到第一衬底60的第一侧面65。在一些实施方式中，第二管芯可包括igbt管芯。夹具68通过导电材料耦接到第二管芯66的第一侧面。在各种实施方式中，夹具可由铜、铜合金或另一种导电材料形成。
[0060]
参见图5，示出了第二衬底70的实施方式。在各种实施方式中，第二衬底可包括直接键合铜(dbc)衬底。在一些实施方式中，dbc可包括掺杂有二氧化锆(zro2)或本文所述的任何其他组合的氧化铝(al2o3)陶瓷。第二衬底70包括第一管芯72，该第一管芯耦接到衬底的第一侧面74。在各种实施方式中，第一管芯可为frd管芯。如图所示，夹具76耦接到第一管芯72的第一侧面。在各种实施方式中，夹具可由铜、铜合金或本文针对夹具所述的任何其他材料形成。在各种实施方式中，夹具可具有约0.3mm的厚度。在其他实施方式中，夹具的厚度可根据该设备的电气需求和热需求而更大或更小。如图所示，第二衬底70还包括第二管芯78，该第二管芯耦接到第一衬底70的第一侧面74。在一些实施方式中，第二管芯可包括igbt管芯。夹具80通过导电材料耦接到第二管芯78的第一侧面。在各种实施方式中，将夹具耦接到管芯的导电材料可为高温焊料或高温烧结膏。焊料和烧结膏可包括本文所述的任何管芯键合或电耦接材料类型。当将图4的第一衬底60与图5的第二衬底70进行比较时，应当指出的是，夹具在每个衬底上具有不同取向。这种取向差异可有助于在衬底耦接到引线框时使该衬底偏移。
[0061]
如本文所述的半导体封装件可通过形成半导体封装件的方法的各种实施方式来制造。该方法可包括提供第一衬底的面板。该方法可包括面板形式的模块子组件(msa)，该面板形式包括两组面板：第一衬底的第一面板和第二衬底的第二面板。参见图6，示出了多个第一衬底84的面板82。该方法还可包括提供多个第二衬底的面板。为了便于说明，虽然制备第二衬底的面板的方法是类似的，但仅示出了第一衬底的面板。再次参见图4和图5，第一衬底60和第二衬底70在夹具耦接以及导电材料与每个衬底的第一侧面耦接时确实具有略微不同的取向和位置。第一衬底和第二衬底中的每一者可包括dbc衬底。在各种实施方式中，衬底的各层中的每一层的初始厚度可包括约0.30mm的cu、约0.32mm的陶瓷和约0.30mm的cu。在一些实施方式中，陶瓷层可包括掺杂有zro2的al2o3陶瓷。在其他实施方式中，陶瓷层可包括氮化硅(si3n4)陶瓷、氮化铝(aln)陶瓷、高强度aln(h-aln)陶瓷或它们的任何组
合。在又其他实施方式中，第一衬底和第二衬底可包括绝缘金属衬底技术(imst)、活泼金属硬钎焊(amb)衬底或本文提及的任何其他衬底。
[0062]
该方法还可包括在预先确定的位置中将第一导电键合材料印刷在衬底的第一面板和衬底的第二面板中的每一者的第一侧面上。在各种实施方式中，导电材料可包括高温焊料或高温烧结膏。在一些实施方式中，焊料可为无铅焊料，诸如包括96.5％的锡(sn)和3.5％的银(ag)的snag
3.5
或包括96.5％的sn、3％的ag和0.5％的铜(cu)的sac305。在其他实施方式中，导电键合材料可包括烧结银膏。参见图7，示出了在将预先确定的位置86中的导电材料85耦接到多个第一衬底88中的每一者之后的衬底82的第一面板。
[0063]
该方法还可包括将两个或更多个管芯耦接到衬底的第一面板和衬底的第二面板中的每一者。两个或更多个管芯可在导电键合材料的预先确定的位置中耦接到衬底。在各种实施方式中，管芯可包括igbt、frd或本文所述的任何其他半导体管芯。参见图8，示出了在将两个管芯90和92耦接到两个预先确定的位置86和88中的每一者之后的衬底84的面板82。该方法还可以包括将第二导电材料分配到两个或更多个管芯中的每个管芯的第二侧面或暴露表面上。在各种实施方式中，第二导电材料可为印刷到衬底的第一侧面上的相同材料或本文档中公开的任何其他导电材料。参见图9，示出了在将第二导电材料94分配到两个管芯90和92中的每个管芯的第二侧面上之后的衬底84的面板82。
[0064]
该方法还可包括通过第二导电材料将夹具耦接到两个或更多个管芯中的每个管芯。在一些实施方式中，夹具可以通过加压烧结耦接到管芯。参见图10，示出了在夹具96和98已通过导电材料耦接到管芯90和92之后的衬底84的面板82。这种方法的各种实施方式可允许向衬底施加均匀压力，因为夹具在组装于半导体封装件中之前被安装。如图所示，夹具垂直于引线框的引线放置。参见图11，示出夹具的实施方式。在各种实施方式中，夹具可具有约0.3mm的厚度，但是在其他实施方式中，夹具的厚度可基于该设备的电气需求或热需求而更大或更小。在类似尺寸的管芯的各种实施方式中，夹具可为柔性的，这可以减小管芯上的应力。在一些实施方式中，夹具可由铜或铜合金形成。
[0065]
该方法还可包括使焊料或烧结膏回流以及对衬底表面进行焊剂清洁。该方法然后可包括将两个或更多个管芯电耦接到多个第一衬底和多个第二衬底中的每一者。如图12中所示，管芯90可通过引线键合102耦接到衬底88。在各种实施方式中，引线键合可由铝或其他导电材料形成。虽然引线键合的使用在图12中示出，但在其他实施方式中，可使用其他电连接器来连接夹具，作为非限制性示例，诸如凸块、螺柱凸块、柱或任何其他电连接器类型。
[0066]
该方法还可包括将衬底的第一面板和衬底的第二面板各自切割成多个第一衬底和第二衬底。在各种实施方式中，衬底的面板可在多个衬底中的每个衬底之间具有刻线(或者可使用触笔首先进行刻痕以形成此类线)，并且衬底可通过在刻线上断裂而被切割。在其他实施方式中，可通过激光切割来切割多个衬底。在又其他实施方式中，可通过锯切将面板切割成多个衬底。参见图13，示出了在已从面板切割出的多个衬底84中的一些衬底之后的面板82。在各种实施方式中，可以在切割之前或切割之后并且在将衬底耦接到引线框之前对衬底中的每个衬底进行探针测试。
[0067]
该方法还可包括将焊料分配到第一衬底和第二衬底中的每一者的第一侧面上的多个预先确定的位置上。在各种实施方式中，焊料可为低温焊料。参见图14和图15，示出了在将焊料分配在预先确定的位置108中之后的第一衬底104和第二衬底106中的每一者。该
方法还可包括将第一衬底耦接到引线框的第一侧面。第一衬底的第一侧面可在预先确定的位置处通过焊料耦接到引线框。可朝向引线框的第一侧面形成与第一衬底耦接的引线。参见图16，示出了在将第一衬底104耦接到引线框110的第一侧面之后的引线框。
[0068]
该方法还可包括在未耦接到引线框的预先确定的位置上将两个或更多个间隔物耦接到第一衬底的第一侧面。夹具可由导电材料形成。间隔物可将第一衬底电耦接到第二衬底。因为第一衬底和第二衬底仅通过间隔物耦接，所以在组装、回流和其他制造加工步骤期间在半导体封装件的部件上可能存在较小应力。仍然参见图16，两个间隔物112被示出为通过焊料耦接到第一衬底104的第一侧面。图17示出了间隔物112的放大视图。在各种实施方式中，间隔物可由导电材料(诸如铜)形成。该方法还包括将第二衬底106的第一侧面耦接到这两个间隔物并耦接到引线框的第二侧面，如图16中的虚线114所示。朝向引线框的第二侧面形成与第二衬底耦接的引线。
[0069]
参见图18，示出了在将第二衬底106的第一侧面耦接到两个间隔物并耦接到引线框110的第二侧面之后的半导体封装件116的实施方式。如图所示，第一衬底的第一侧面和第二衬底的第一侧面通过两个间隔物不对称地耦接。这种结构可对封装件的内部部件施加较小应力。参见图19，示出了引线框110的第一侧面。在这个视图中，第一衬底104的第二侧面118和第二衬底106的第一侧面是可见的。第一衬底和第二衬底中的每一者的第二侧面被暴露以充当半导体封装件的散热器。
[0070]
参见图20，示出了半导体封装件120的侧视图。在这个视图中，引线框122被示出为具有耦接到引线框122的第一侧面的第一衬底124和耦接到引线框122的第二侧面的第二衬底126。第一衬底124和第二衬底126通过朝向相应衬底形成的引线128机械耦接和电耦接到引线框122。第一衬底124具有两个管芯130和132，这两个管芯耦接到第一衬底124的第一侧面。夹具134和136耦接到两个管芯130和132中的每个管芯。半导体封装件的结构允许夹具与引线框的引线垂直耦接。
[0071]
半导体封装件还包括间隔物138和140，该间隔物将第一衬底124与第二衬底126机械耦接和电耦接。第一衬底的第一侧面和第二衬底的第一侧面通过两个或更多个间隔物不对称地耦接。第二衬底126包括两个管芯142和144，这两个管芯与第二衬底126的第一侧面耦接。两个夹具146和148与两个管芯142和144耦接。通过间隔物将第一衬底与第二衬底不对称地耦接可减小半导体封装件的夹具和管芯上的应力。引线框的使用和间隔物的使用允许存在其中衬底和管芯不以堆叠配置耦接的结构。
[0072]
制造半导体封装件的方法还可包括将引线框包封在第一侧面和第二侧面上。在各种实施方式中，该封装件可以通过使用环氧模塑料的传递模制或通过使用液体密封剂的液体工艺来包封。在各种实施方式中，模塑料可包括环氧树脂、树脂或其他包封材料。第一衬底和第二衬底106中的每一者的第二侧面在包封150之后被暴露，如图21中所示。半导体封装件120的结构还可在模制工艺期间提供更好的模制流。该方法还可包括修剪和形成半导体封装件120的引线152以使它们取向为期望的一个或多个方向，如图22中所示。在各种实施方式中，该方法还可以包括将散热器耦接到该第一衬底的第二侧面、该第二衬底的第二侧面、该第一管芯的第二侧面、该第二管芯的第二侧面或它们的任何组合。
[0073]
形成半导体封装件的方法的实施方式可包括其中该第一衬底的第一面板和该第二衬底的第二面板各自包括直接键合铜衬底(dbc)、绝缘金属衬底技术(imst)衬底、活泼金
属键合(amb)衬底或它们的任何组合中的一者。
[0074]
形成半导体封装件的方法的实施方式可包括其中该两个或更多个间隔物可包括导电材料并且将该第一衬底电耦接到该第二衬底。
[0075]
形成半导体封装件的方法的实施方式可包括其中该第一导电材料和该第二导电材料包括焊膏或烧结膏中的一者。
[0076]
半导体封装件的实施方式可包括其中该两个或更多个管芯包括绝缘栅双极晶体管(igbt)和快速恢复管芯(frd)。
[0077]
半导体封装件的实施方式可包括其中该第一衬底和该第二衬底包括直接键合铜衬底，该直接键合铜衬底具有掺杂有二氧化锆(zro2)的氧化铝(al2o3)陶瓷、氮化硅(si3n4)陶瓷、氮化铝(aln)陶瓷、高强度aln(h-aln)陶瓷或它们的任何组合中的一者。
[0078]
半导体封装件的实施方式可包括其中该两个或更多个间隔物可包括导电材料并且将该第一衬底电耦接到该第二衬底。
[0079]
在以上描述中提到半导体封装件的特定实施方式以及实施部件、子部件、方法和子方法的地方，应当显而易见的是，可在不脱离其实质的情况下作出多种修改，并且这些实施方式、实施部件、子部件、方法和子方法可应用于其他半导体封装件。