技术特征：
1.一种基于双微盘的微型中红外激光器，其特征在于，包括激光源(1)、耦合器(2)、回音壁微盘激光器(3)和回音壁微盘光参量振荡器(4)；所述回音壁微盘激光器(3)和所述回音壁微盘光参量振荡器(4)层叠设置；所述耦合器(2)包括第一透镜(21)、下层耦合晶体(22)、上层耦合晶体(23)和第二透镜(24)，所述下层耦合晶体(22)和所述上层耦合晶体(23)层叠设置；所述第一透镜(21)设置在所述激光源(1)与所述下层耦合晶体(22)的入射面(221)之间，所述回音壁微盘激光器(3)与所述下层耦合晶体(22)的下层耦合面(222)相切，所述回音壁微盘激光器(3)与所述上层耦合晶体(23)的上层耦合面(231)相切，所述回音壁微盘光参量振荡器(4)与所述上层耦合晶体(23)的上层耦合面(231)相切，所述第二透镜(24)耦合所述上层耦合晶体(23)的输出面(232)；所述激光源(1)用于产生单频激光，单频激光经过所述第一透镜(21)耦合准直后，由所述下层耦合晶体(22)耦合进入所述回音壁微盘激光器(3)，单频激光经过所述回音壁微盘激光器(3)上能级跃后，形成泵浦光，泵浦光通过所述上层耦合晶体(23)耦合进入所述回音壁微盘光参量振荡器(4)，泵浦光在所述回音壁微盘光参量振荡器(4)中共振增强后，产生近红外波段的信号光和中红外波段的闲频光，信号光和闲频光依次通过所述上层耦合晶体(23)和第二透镜(24)后输出。2.根据权利要求1所述的基于双微盘的微型中红外激光器，其特征在于，所述上层耦合晶体(23)还包括第一反射面(233)和第二反射面(234)；所述第一反射面(233)和所述第二反射面(234)均为弧面；所述泵浦光依次经过所述第一反射面(233)和所述第二反射面(234)的反射聚焦进入所述上层耦合晶体(23)。3.根据权利要求1所述的基于双微盘的微型中红外激光器，其特征在于，还包括分别设置在所述回音壁微盘激光器(3)两侧的第一加热片(5)和第二加热片(6)。4.根据权利要求1所述的基于双微盘的微型中红外激光器，其特征在于，还包括分别设置在所述回音壁微盘光参量振荡器(4)两侧的第三加热片(7)和第四加热片(8)。5.根据权利要求1所述的基于双微盘的微型中红外激光器，其特征在于，所述下层耦合晶体(22)和所述上层耦合晶体(23)的光线折射率均大于所述下层耦合晶体(22)和上层耦合晶体(23)的光线折射率。6.根据权利要求1所述的基于双微盘的微型中红外激光器，其特征在于，所述回音壁微盘激光器(3)的材料为掺钕钒酸钇晶体，厚度为0.5mm，直径为1mm-10mm。7.根据权利要求1所述的基于双微盘的微型中红外激光器，其特征在于，所述回音壁微盘光参量振荡器(4)的材料为铁电晶体。8.根据权利要求1所述的基于双微盘的微型中红外激光器，其特征在于，所述下层耦合晶体(22)和所述上层耦合晶体(23)的材料为金红石。9.根据权利要求1所述的基于双微盘的微型中红外激光器，其特征在于，所述下层耦合面(222)与所述上层耦合面(231)重合；所述回音壁微盘激光器(3)与所述下层耦合面(222)之间的间距为100nm；所述回音壁微盘光参量振荡器(4)与所述上层耦合面(231)之间的间距为100nm。10.根据权利要求1所述的基于双微盘的微型中红外激光器，其特征在于，还包括金属
外壳(9)，所述金属外壳(9)内部设置有隔热板，所述金属外壳(9)上设置有用于填充氮气的气密口(91)和引出电控线的线孔(92)。