技术特征：
1.一种高对比度光栅垂直腔面发射激光器，包括从下至上设置的第一反射器层、有源层、第二反射器层及光栅层，其特征在于，所述光栅层上依次设置有的图案化的第一保护层及第二保护层，所述光栅层设置为包括光栅条的图案化膜层，所述第一保护层覆盖所述光栅条，所述第一保护层及所述第二保护层存在刻蚀选择比。2.根据权利要求1所述的高对比度光栅垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二保护层的厚度大于所述第一保护层的厚度。3.根据权利要求1所述的高对比度光栅垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二保护层的刻蚀速率大于所述第一保护层的刻蚀速率。4.根据权利要求1所述的高对比度光栅垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二保护层选择性刻蚀为露出所述光栅条上的所述第一保护层的图案化膜层，或者选择性刻蚀为厚度变薄的膜层。5.根据权利要求1-4任一项所述的高对比度光栅垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一保护层及所述第二保护层设置为包括sio2、sin、tio2、aln、ta2o5、alox及hfo2中至少任一种或其混合物的单层或复合膜层。6.根据权利要求1-4任一项所述的高对比度光栅垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括：n型金属电极层、衬底及p型金属电极层，所述衬底设置在所述n型金属电极层上，所述第一反射器层设置在所述衬底上，所述p型金属电极层设置在所述光栅层上，且所述p型金属电极层位于所述光栅层异于设置光栅条的位置。7.一种如权利要求1-6任一项所述的高对比度光栅垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上依次形成第一反射器层、有源层及第二反射器层；在所述第二反射器层上依次形成图案化的光栅层；在所述光栅层上形成图案化的第一保护层；在所述第一保护层上沉积第二保护层，所述第一保护层与所述第二保护层存在刻蚀选择比；对所述第二保护层进行选择性刻蚀，形成图案化的第二保护层。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二保护层的厚度大于所述第一保护层的厚度。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一保护层及所述第二保护层包括：利用原子层沉积工艺、等离子体增强化学的气相沉积工艺、物理气象淀积工艺、脉冲激光淀积工艺或等离子体增强原子沉积工艺形成所述第一保护层或所述第二保护层。10.根据权利要求7-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第二保护层进行选择性刻蚀包括：对所述第二保护层进行选择性刻蚀，露出所述光栅条上的所述第一保护层，或者，减小所述第二保护层的厚度。