本实用新型是集成电路sip封装结构，属于sip封装技术领域。
背景技术：
sip封装是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。与soc(systemonachip系统级芯片)相对应。不同的是系统级封装是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式，而soc则是高度集成的芯片产品。有人将sip定义为：将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如mems或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，从而形成一个系统或者子系统。从封装发展的角度来看，sip是soc封装实现的基础。
sip封装技术多用于印刷电路板多个芯片的封装，能够节约电路板的空间，提高功能项目，但是以往的sip封装结构中封装结构容易老化，耐热性不佳，另外散热效果不好导致的容易封装过热现象，现有的集成电路芯片封装结构不佳，散热和密封性不强题，现在急需集成电路sip封装结构来解决上述出现的问题。
技术实现要素：
针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供集成电路sip封装结构，以解决上述背景技术中提出的问题，本实用新型结构合理，密封性强，兼顾良好的散热功能。
为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：集成电路sip封装结构，包括外壳、铝片、芯片、引脚、树脂胶套、石墨烯板、基板、石棉板、绿胶膜以及硅晶片，所述外壳固定在基板上端面，所述铝片粘贴在外壳上端面，所述芯片设置在外壳内部，所述硅晶片粘贴在芯片下端面，所述石墨烯板粘贴在芯片上端面，所述引脚电性连接在芯片左右两侧，所述树脂胶套套设在引脚外侧，所述石棉板粘贴在基板上端面，所述绿胶膜粘贴在石棉板上端面。
进一步地，所述外壳材质为聚氯乙烯，所述外壳内部设有密封腔，且密封腔规格略大于芯片规格。
进一步地，所述铝片上端面设有褶皱，所述铝片下端面与石墨烯板相接触。
进一步地，所述引脚贯穿绿胶膜、石棉板、基板，所述引脚长度大于绿胶膜、石棉板、基板厚度之和。
进一步地，所述基板材质为高纯度氧化铝，所述基板长宽规格和外壳长宽规格相同。
本实用新型的有益效果：本实用新型的集成电路sip封装结构，因本实用新型添加了外壳、铝片、芯片、引脚、树脂胶套、石墨烯板、基板、石棉板、绿胶膜以及硅晶片，该设计方便集成电路芯片的密封封装效果，解决了原有集成电路芯片封装结构不佳，散热和密封性不强的问题，提高了本实用新型的实用性。
因外壳材质为聚氯乙烯，外壳内部设有密封腔，且密封腔规格略大于芯片规格，该设计使芯片具有足够的安装空间，因铝片上端面设有褶皱，铝片下端面与石墨烯板相接触，该设计提高芯片的散热效果，因引脚贯穿绿胶膜、石棉板、基板，引脚长度大于绿胶膜、石棉板、基板厚度之和，该设计方便引脚的使用，因基板材质为高纯度氧化铝，基板长宽规格和外壳长宽规格相同，该设计提高耐热和抗氧化效果，本实用新型结构合理，密封性强，兼顾良好的散热功能。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本实用新型集成电路sip封装结构的俯视图；
图2为本实用新型集成电路sip封装结构的俯视剖面图；
图3为本实用新型集成电路sip封装结构的正视剖面图；
图中：1-外壳、2-铝片、3-芯片、4-引脚、5-树脂胶套、6-石墨烯板、7-基板、8-石棉板、9-绿胶膜、10-硅晶片。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
请参阅图1-图3，本实用新型提供一种技术方案：集成电路sip封装结构，包括外壳1、铝片2、芯片3、引脚4、树脂胶套5、石墨烯板6、基板7、石棉板8、绿胶膜9以及硅晶片10，外壳1固定在基板7上端面，铝片2粘贴在外壳1上端面，芯片3设置在外壳1内部，硅晶片10粘贴在芯片3下端面，石墨烯板6粘贴在芯片3上端面，引脚4电性连接在芯片3左右两侧，树脂胶套5套设在引脚4外侧，石棉板8粘贴在基板7上端面，绿胶膜9粘贴在石棉板8上端面，该设计解决了原有集成电路芯片3封装结构不佳，散热和密封性不强的问题。
外壳1材质为聚氯乙烯，外壳1内部设有密封腔，且密封腔规格略大于芯片3规格，该设计使芯片3具有足够的安装空间，铝片2上端面设有褶皱，铝片2下端面与石墨烯板6相接触，该设计提高芯片3的散热效果，引脚4贯穿绿胶膜9、石棉板8、基板7，引脚4长度大于绿胶膜9、石棉板8、基板7厚度之和，该设计方便引脚4的使用，基板7材质为高纯度氧化铝，基板7长宽规格和外壳1长宽规格相同，该设计提高耐热和抗氧化效果。
作为本实用新型的一个实施例：通过对封装结构进行分析可以看出，外壳1材质为聚氯乙烯，外壳1与基板7紧密贴合，芯片3固定在外壳1内，使芯片3具有足够的安装空间，铝片2上端面设有褶皱，铝片2下端面与石墨烯板6相接触，芯片3产生的热量通过石墨烯板6转移到铝片2散发转移，引脚4长度大于绿胶膜9、石棉板8、基板7厚度之和，方便引脚4的使用，绿胶膜9起到耐热防止软化的效果，硅晶片10有效隔绝外界电磁的影响，基板7采用为高纯度氧化铝板，提高封装结构的耐热和抗氧化效果。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点，对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
1.集成电路sip封装结构，其特征在于：包括外壳、铝片、芯片、引脚、树脂胶套、石墨烯板、基板、石棉板、绿胶膜以及硅晶片，所述外壳固定在基板上端面，所述铝片粘贴在外壳上端面，所述芯片设置在外壳内部，所述硅晶片粘贴在芯片下端面，所述石墨烯板粘贴在芯片上端面，所述引脚电性连接在芯片左右两侧，所述树脂胶套套设在引脚外侧，所述石棉板粘贴在基板上端面，所述绿胶膜粘贴在石棉板上端面。
2.根据权利要求1所述的集成电路sip封装结构，其特征在于：所述外壳材质为聚氯乙烯，所述外壳内部设有密封腔，且密封腔规格略大于芯片规格。
3.根据权利要求1所述的集成电路sip封装结构，其特征在于：所述铝片上端面设有褶皱，所述铝片下端面与石墨烯板相接触。
4.根据权利要求1所述的集成电路sip封装结构，其特征在于：所述引脚贯穿绿胶膜、石棉板、基板，所述引脚长度大于绿胶膜、石棉板、基板厚度之和。
5.根据权利要求1所述的集成电路sip封装结构，其特征在于：所述基板材质为高纯度氧化铝，所述基板长宽规格和外壳长宽规格相同。