快速恢复反向半导体器件的制作方法

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种快速恢复反向半导体器件。

背景技术：

电力电子器件是一种能够实现电能高效率应用和精确控制的电力半导体器件，是电力电子技术的基础。日益严重的能源和环境问题使得人们对电能的变换效率、品质愈来愈关注，也引导了功率器件沿着高效率、高频率、高耐压、高功率、集成化、智能化等方向迅速发展。

在许多工作条件下，这些器件需要一个与之反并联的二极管以提供续流通道，减少电容的充放电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种快速恢复反向半导体器件，该快速恢复反向半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并有效避免了水汽的进入器件内部，提高了耐气候性。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种快速恢复反向半导体器件，包括：二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内，此第一金属引线和第二金属引线各自引脚端分别从环氧封装体两侧延伸出，所述二极管芯片具有玻璃钝化层的一端为凸起端，另一端为平面端；

所述第一金属引线的焊接端进一步包括第一端面板和位于第一端面板表面间隔分布的若干个第一凸柱，所述第一金属引线的第一端面板、第一凸柱与二极管芯片的凸起端通过第一焊片层连接；

所述第二金属引线的焊接端进一步包括第二端面板和位于第二端面板表面间隔分布的若干个第二凸柱，所述第二金属引线的第二端面板、第二凸柱与二极管芯片的平面端通过第二焊片层连接；

所述第一金属引线、第二金属引线各自的中部具有一凸缘板，此凸缘板沿周向间隔地开有若干个通孔，所述凸缘板位于环氧封装体内。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1.上述方案中，所述焊片层为锡层或银层。

2.上述方案中，所述第一金属引线的第一凸柱的高度大于第二金属引线的第二凸柱的高度。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1.本实用新型快速恢复反向半导体器件，其第一金属引线的焊接端进一步包括第一端面板和位于第一端面板表面间隔分布的若干个第一凸柱，所述第一金属引线的第一端面板、第一凸柱与二极管芯片的凸起端通过第一焊片层连接；所述第二金属引线的焊接端进一步包括第二端面板和位于第二端面板表面间隔分布的若干个第二凸柱，所述第二金属引线的第二端面板、第二凸柱与二极管芯片的平面端通过第二焊片层连接，有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。

2.本实用新型快速恢复反向半导体器件，其第一金属引线、第二金属引线各自的中部具有一凸缘板，此凸缘板沿周向间隔地开有若干个通孔，所述凸缘板位于环氧封装体内，进一步加固了第一金属引线、第二金属引线与环氧封装体的结合强度，避免后续长时间使用出现的分层现象，有效避免了水汽的进入器件内部，提高了耐气候性。

附图说明

附图1为本实用新型快速恢复反向半导体器件结构示意图。

以上附图中：1、二极管芯片；2、第一金属引线；3、第二金属引线；4、焊接端；5、引脚端；6、环氧封装体；71、第一焊片层；72、第二焊片层；81、第一端面板；82、第二端面板；91、第一凸柱；92、第二凸柱；10、凸缘板；101、通孔；11、玻璃钝化层。

具体实施方式

实施例1：一种快速恢复反向半导体器件，包括：二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3，所述二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4位于环氧封装体6内，此第一金属引线2和第二金属引线3各自引脚端5分别从环氧封装体6两侧延伸出，所述二极管芯片1具有玻璃钝化层11的一端为凸起端，另一端为平面端；

所述第一金属引线2的焊接端4进一步包括第一端面板81和位于第一端面板81表面间隔分布的若干个第一凸柱91，所述第一金属引线2的第一端面板81、第一凸柱91与二极管芯片1的凸起端通过第一焊片层71连接；

所述第二金属引线3的焊接端4进一步包括第二端面板82和位于第二端面板82表面间隔分布的若干个第二凸柱92，所述第二金属引线3的第二端面板82、第二凸柱92与二极管芯片1的平面端通过第二焊片层72连接；

所述第一金属引线2、第二金属引线3各自的中部具有一凸缘板10，此凸缘板10沿周向间隔地开有若干个通孔101，所述凸缘板10位于环氧封装体6内。

上述第一焊片层71、第二焊片层72为银层。

实施例2：一种快速恢复反向半导体器件，包括：二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3，所述二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4位于环氧封装体6内，此第一金属引线2和第二金属引线3各自引脚端5分别从环氧封装体6两侧延伸出，所述二极管芯片1具有玻璃钝化层11的一端为凸起端，另一端为平面端；

所述第一金属引线2的焊接端4进一步包括第一端面板81和位于第一端面板81表面间隔分布的若干个第一凸柱91，所述第一金属引线2的第一端面板81、第一凸柱91与二极管芯片1的凸起端通过第一焊片层71连接；

所述第二金属引线3的焊接端4进一步包括第二端面板82和位于第二端面板82表面间隔分布的若干个第二凸柱92，所述第二金属引线3的第二端面板82、第二凸柱92与二极管芯片1的平面端通过第二焊片层72连接；

所述第一金属引线2、第二金属引线3各自的中部具有一凸缘板10，此凸缘板10沿周向间隔地开有若干个通孔101，所述凸缘板10位于环氧封装体6内。

上述第一焊片层71、第二焊片层72为锡层。

上述第一金属引线2的第一凸柱91的高度大于第二金属引线3的第二凸柱92的高度。

采用上述快速恢复反向半导体器件时，其有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命；还有，其第一金属引线、第二金属引线各自的中部具有一凸缘板，此凸缘板沿周向间隔地开有若干个通孔，所述凸缘板位于环氧封装体内，进一步加固了第一金属引线、第二金属引线与环氧封装体的结合强度，避免后续长时间使用出现的分层现象，有效避免了水汽的进入器件内部，提高了耐气候性。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.一种快速恢复反向半导体器件，其特征在于：包括：二极管芯片（1）、第一金属引线（2）和第二金属引线（3），所述二极管芯片（1）、第一金属引线（2）和第二金属引线（3）各自的焊接端（4）位于环氧封装体（6）内，此第一金属引线（2）和第二金属引线（3）各自引脚端（5）分别从环氧封装体（6）两侧延伸出，所述二极管芯片（1）具有玻璃钝化层（11）的一端为凸起端，另一端为平面端；

所述第一金属引线（2）的焊接端（4）进一步包括第一端面板（81）和位于第一端面板（81）表面间隔分布的若干个第一凸柱（91），所述第一金属引线（2）的第一端面板（81）、第一凸柱（91）与二极管芯片（1）的凸起端通过第一焊片层（71）连接；

所述第二金属引线（3）的焊接端（4）进一步包括第二端面板（82）和位于第二端面板（82）表面间隔分布的若干个第二凸柱（92），所述第二金属引线（3）的第二端面板（82）、第二凸柱（92）与二极管芯片（1）的平面端通过第二焊片层（72）连接；

所述第一金属引线（2）、第二金属引线（3）各自的中部具有一凸缘板（10），此凸缘板（10）沿周向间隔地开有若干个通孔（101），所述凸缘板（10）位于环氧封装体（6）内。

2.根据权利要求1所述的快速恢复反向半导体器件，其特征在于：所述第一焊片层（71）、第二焊片层（72）为锡层或银层。

3.根据权利要求1所述的快速恢复反向半导体器件，其特征在于：所述第一金属引线（2）的第一凸柱（91）的高度大于第二金属引线（3）的第二凸柱（92）的高度。

技术总结
本实用新型公开一种快速恢复反向半导体器件，包括：二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内；所述第一金属引线的焊接端进一步包括第一端面板和位于第一端面板表面间隔分布的若干个第一凸柱，所述第一金属引线的第一端面板、第一凸柱与二极管芯片的凸起端通过第一焊片层连接；所述第一金属引线、第二金属引线各自的中部具有一凸缘板，此凸缘板沿周向间隔地开有若干个通孔。本实用新型快速恢复反向半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并有效避免了水汽的进入器件内部，提高了耐气候性。

技术研发人员：张开航;马云洋
受保护的技术使用者：苏州秦绿电子科技有限公司
技术研发日：2020.06.28
技术公布日：2020.12.11