芯片封装结构以及电子设备的制作方法

本实用新型涉及芯片封装技术领域，更具体的说，涉及一种芯片封装结构以及电子设备。

背景技术：

随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。

电子设备实现各种功能的核心部件是控制芯片。芯片需要进行封装保护，形成芯片封装结构，以避免芯片受到外力损坏，提高其性能，避免受到水汽侵蚀。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型提供了一种芯片封装结构以及电子设备，有利于降低封装成本，且提高可靠性。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：

待封装芯片，所述待封装芯片具有相反的第一表面以及第二表面；所述待封装芯片的第一表面具有多个点阵排布的第一引脚；

金属框架，所述金属框架具有相反的第一表面以及第二表面；所述金属框架的第一表面具有多个与所述第一引脚电接触的接触区；所述金属框架的第二表面具有多个第二引脚，所述第二引脚用于连接外部电路；

塑封层，所述塑封层包围所述待封装芯片以及所述金属框架，且露出所述第二引脚的端面；所述第二引脚的端面覆盖有焊接球，用于与所述外部电路焊接固定；所述焊接球为锡球回流焊工艺形成的部分球体。

优选的，在上述的芯片封装结构中，所述焊接球为所述第二引脚端面的助焊剂与所述助焊剂表面的锡球制备，其中，通过回流焊，使得所述锡球熔融后与所述第二引脚的下端面固定为一体。

优选的，在上述的芯片封装结构中，所述第一引脚为金属柱。

优选的，在上述的芯片封装结构中，所述第一引脚与所述接触区通过焊锡焊接固定。

优选的，在上述的芯片封装结构中，所述第二引脚点阵排布。

优选的，在上述的芯片封装结构中，所述待封装芯片的第一表面具有m×n个所述第一引脚，m和n均为大于1的正整数。

优选的，在上述的芯片封装结构中，所述金属框架为图形化的金属板，所述金属板具有刻蚀镂空区域，以形成多个所述接触区，所述金属板的一个表面具有刻蚀凹槽，以形成多个所述第二引脚。

优选的，在上述的芯片封装结构中，所述焊接球的高度不小于150μm。

本实用新型还提供了一种电子设备，所述电子设备包括：

电路主板，所述电路主板具有焊接端子；

所述电路主板固定有如上述任一项所述的芯片封装结构；所述封装结构中，第二引脚的端面具有焊接球；

所述焊接端子表面具有锡膏层，所述焊接球与所述焊接端子通过所述锡膏层焊接固定。

优选的，在上述电子设备中，所述焊接球的高度不小于150μm。

通过上述描述可知，本实用新型技术方案提供的芯片封装结构以及电子设备中，在待封装芯片的第一表面设置多个点阵排布的第一引脚，相对于传统的芯片封装结构中在芯片表面周缘设置引脚的方式，本实用新型实施例可以在相同尺寸的芯片上设置更多的引脚数量，提高了芯片的过电流能力，而且可以通过第一引脚使得芯片热量通过金属框架的第二引脚散发到芯片封装结构的外部，从而提高芯片的散热能力，同时采用的半球状封装设计方式，有利于降低封装成本，且提高可靠性。

相对于普通第二引脚下端设置平层焊锡的封装方案，本实用新型方案设置所述第二引脚的端面覆盖有焊接球，更方便smt的焊接，在smt焊接时，需要先在pcb板上印刷一层锡膏，由于锡膏存在有机物，在高温焊接时会气化，如果芯片采用平层的引脚下端与pcb板上锡膏焊接，不利于气体逸出，在降温过程中未逸出的气体会在锡膏中形成气泡，影响可靠性，本案中芯片背面采用球形引脚下端，当与表明具有锡膏的pcb板焊接固定时，便于气体逸出，提高可靠性。同时，相对于同功能的bga封装和wlcsp封装，本方案降低了封装成本，而且由于采用金属框架塑封结构，可靠性更强。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

图1为一种芯片封装结构所采用金属框架的正面俯视图；

图2为图1所示芯片封装结构的剖面图；

图3为另一种芯片封装结构所采用金属框架的正面俯视图；

图4为另一种芯片封装结构的剖面图；

图5为一种芯片封装结构的芯片背面的俯视图；

图6为一种芯片封装结构的侧面俯视图；

图7为本实用新型实施例提供的一种芯片封装结构的剖面图；

图8为本实用新型实施例提供的另一种芯片封装结构的剖面图；

图9为本实用新型实施例中金属框架的制作原理示意图；

图10为本实用新型实施例提供的一种芯片第一表面的俯视图；

图11为本实用新型实施例提供的一种芯片封装结构的侧面俯视图；

图12为本实用新型实施例提供的一种芯片流程图；

图13为本实用新型实施例提供的一种金属框架的制作方法流程图；

图14为本实用新型实施例提供的一种焊接球的形成方法流程图；

图15为本实用新型实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

正如背景技术中描述的，电子设备实现各种功能的核心部件是控制芯片。芯片需要进行封装保护，形成芯片封装结构，以避免芯片受到外力损坏，并提高其性能，避免受到水汽侵蚀。

参考图1和图2，图1为一种芯片封装结构所采用金属框架的正面俯视图，图2为图1所示芯片封装结构的剖面图。如图1和图2所示，该芯片封装结构中具有芯片11、以及金属框架12，在芯片11背面具有第一引脚14，第一引脚14设置在芯片11的表面周缘，一般均匀分布在芯片11的周缘，芯片11一般为方形，芯片11上共有14个第一引脚14，金属框架12为图形化的金属层，具有刻蚀镂空区域19，以将金属层分为多个接触区，芯片11通过刻蚀镂空区域形成的接触区与金属框架12连接。芯片11的散热主要通过塑封层向下传导，将热量通过塑封层16散热到封装结构外部，散热效率较差。

如图2所示，该芯片封装结构中，芯片11与金属框架12通过塑封层16密封，芯片11的一表面具有第一引脚14，第一引脚14连接有金属柱141(如可以为铜柱)，通过金属柱141与金属框架12电连接固定，金属柱141下端可以通过焊锡15与金属框架12连接，在金属框架12的一端具有第二引脚18，第二引脚18的端面与塑封层16齐平，且第二引脚18的端面覆盖有焊锡17。其中，焊锡17是等厚度的平层结构，是锡块，采用电镀或化镀的方式形成。

常规的方形扁平无引脚封装(quadflatno-leadpackage，qfn)以及双侧扁平无引脚封装(dualflatno-leadpackage，dfn)类的封装输入或输出引脚的引出位置都是在芯片11封装周缘呈现方形，由于受限于金属框架12的加工腐蚀工艺，在第一引脚14的间距固定的情况下引脚数量相对固定，对于设定标准尺寸的芯片11，比如第一引脚14间的距离都为0.4mm的情况下，常规的qfn类封装的引脚数量最多14个。

参考图3，图3为另一种芯片封装结构所采用金属框架的正面俯视图。图3在图1和图2的基础上，芯片11采用了矩阵式引脚的设计方式增加了引脚的数量，如图3所示，具有金属框架12，芯片11，芯片11的一表面具有m×n个第一引脚14，m和n均为大于1的正整数，第一引脚14连接金属柱141，并通过金属柱141与金属框架12电连接固定，金属框架12是图形化的金属板13，金属板13具有刻蚀镂空区域，以形成多个接触区，第一引脚14通过接触区与金属框架12连接。由于将第一引脚14设置在芯片11背面，点阵排布，在芯片11尺寸一定以及相同工艺条件下，相对于在芯片11周缘设置第一引脚14的方式，本实用新型技术方案使得第一引脚14的数量增多，有利于增强待封装芯片11的过电流能力和散热能力。所述第一引脚14的数量包括但不局限于为4×4，如还可以为2×3，或3×3，与所采用芯片尺寸和最小引脚距离相同。

参考图4，图4为另一种芯片封装结构的剖面图。如图4所示，该芯片封装结构中具有芯片11、金属框架12、塑封层16，芯片11的一表面具有第一引脚14，第一引脚14连接有金属柱141(如可以为铜柱)，通过金属柱141与金属框架12电连接固定，金属柱141下端可以通过焊锡15与金属框架12连接，在金属框架12的一端具有第二引脚18，第二引脚18的端面与塑封层16齐平，且第二引脚18的端面覆盖有电镀锡层17。其中，锡层17为厚度均匀的平层结构。其中，该锡层17的厚度有限且不超过50μm，使得焊接效果较差。

参考图5，图5为一种芯片封装结构的芯片背面的俯视图。如图5所示，采用了半球状矩阵式引脚的设计方式，在芯片11上设置有4×4个第一引脚14。如图6所示，图6为一种芯片封装结构的侧面俯视图。

经研究发现，目前采用半球状矩阵式引脚设计的只有焊球阵列封装(ballgridarray，bga)、晶圆级芯片封装(waferlevelchipscalepackaging，wlcsp)类封装形式，其中bga是基于印制电路板(printedcircuitboard，pcb)实现矩阵式引脚并在引脚上种植锡球并回流的方式，而wlcsp是基于晶圆本身的输入输出接口，并在接口上采用种植锡球并回流的方式做成半球形矩阵状的输入输出引脚。另外，在表面贴装技术(surfacemounttechnology，smt)制程，采用的金属框架类qfn或dfn类封装的引脚设计方式无法与bga或wlcsp等矩阵式有球类的封装芯片兼容smt贴片，同时bga类由于采用pcb易受潮，而wlcsp为晶圆级封装，易碎且成本较高。

在smt焊接时，需要先在pcb板上印刷一层锡膏，由于锡膏存在有机物，在高温焊接时会气化，如果芯片采用平层的引脚下端与pcb板上锡膏焊接，不利于气体逸出，在降温过程中未逸出的气体会在锡膏中形成气泡，影响可靠性，本案中芯片背面采用球形引脚下端，当与表明具有锡膏的pcb板焊接固定时，便于气体逸出，提高可靠性。

因此，为了解决上述问题，本实用新型实施例提供了一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：

待封装芯片，所述待封装芯片具有相反的第一表面以及第二表面；所述待封装芯片的第一表面具有多个点阵排布的第一引脚；

金属框架，所述金属框架具有相反的第一表面以及第二表面；所述金属框架的第一表面具有多个与所述第一引脚电接触的接触区；所述金属框架的第二表面具有多个第二引脚，所述第二引脚用于连接外部电路；

塑封层，所述塑封层包围所述待封装芯片以及所述金属框架，且露出所述第二引脚的端面；所述第二引脚的端面覆盖有焊接球，用于与所述外部电路焊接固定；所述焊接球为回流焊工艺形成的部分球体。

本实用新型技术方案中，将金属框架类的qfn或dfn等封装的输入输出引脚的排列呈圆柱形矩阵状，并且为了更好的与bga、wlcsp等矩阵式有球类的封装兼容贴片使用，并且实现低封装成本和高可靠性，本实用新型将圆柱形矩阵状引脚设计成半球形矩阵状。

由此可知，本实用新型技术方案提供的芯片封装结构中，在待封装芯片的第一表面设置多个点阵排布的第一引脚，相对于传统的芯片封装结构中在芯片表面周缘设置引脚的方式，本实用新型技术方案可以在相同尺寸的芯片上设置更多的引脚数量，提高了芯片的过电流能力，而且可以通过第一引脚使得芯片热量通过金属框架的第二引脚散发到芯片封装结构的外部，其中从而提高了芯片的散热能力。

进一步的，相对于传统的芯片封装结构，本实用新型采用的半球类矩阵式引脚封装设置方式，引脚数量增加的同时，金属框架加工工序减少，成本降低，另外，在smt制程，本实用新型的半球类矩阵式引脚的封装芯片，可以与bga、wlcsp等矩阵式的输入或输出引脚设计的芯片兼容smt贴片使用，从而实现低封装成本、高可靠性。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。

参考图7和图8，图7为本实用新型实施例提供的一种芯片封装结构的剖面图，图8为本实用新型实施例提供的另一种芯片封装结构的剖面图。本实用新型实施例中，采用助焊剂并种植锡球的方式，在第二引脚表面印刷助焊剂并种植锡球，使第二引脚锡量增加，同时采用回流焊的方式使第二引脚表面的锡球融化再冷却形成半球状。

如图中所示，所述芯片封装结构包括：

待封装芯片21，所述待封装芯片21具有相反的第一表面以及第二表面；所述待封装芯片21的第一表面具有多个点阵排布的第一引脚22。

金属框架24，所述金属框架24具有相反的第一表面以及第二表面；所述金属框架24的第一表面具有多个与所述第一引脚22电接触的接触区；所述金属框架24的第二表面具有多个第二引脚25，所述第二引脚25用于连接外部电路。其中，所述第二引脚25可以点阵排布。

塑封层26，所述塑封层26包围所述待封装芯片21以及所述金属框架24，且露出所述第二引脚25的端面；所述第二引脚25的端面覆盖有焊接球27，用于与所述外部电路焊接固定；所述焊接球27为种植锡球回流焊工艺形成的部分球体。本实用新型实施例中，所述焊接球27可以为半球体。

其中，所述第二引脚25的端面可以与塑封层26齐平，具体的，在芯片塑封结束后，所述塑封层26露出所述第二引脚25的端面，可以通过化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing，cmp)工艺使得所述塑封层26与所述第二引脚25端面齐平。

需要说明的是，所述塑封层26的材料可以为树脂，树脂可以保护芯片封装结构，不易受潮或吸湿，且不易受应力损伤，提高可靠性。

本实用新型实施例中，所述焊接球27为所述第二引脚25端面的助焊剂28与所述助焊剂28表面的锡球制备，其中，通过回流焊，使得所述锡球熔融后与所述第二引脚的下端面固定为一体。通过所述回流焊蒸发所述锡球与所述端面之间的助焊剂28并使得锡球熔融为部分球体。例如可以为半球体。直接在引脚端面电镀锡层再回流焊形成的锡球，厚度较小，一般不超过50μm，本申请通过种植锡球回流焊工艺形成的部分球体，厚度较大，便于和电路板上锡膏焊接固定，提高可靠性。

具体的，所述焊接球27的形成方法可以如图7所示，可以在芯片塑封结束后，采用印刷助焊剂28并种植锡球的方式，首先在第二引脚25的端面形成助焊剂28，然后在所述助焊剂28表面种植焊接球27，最后采用高温回流的方式使第二引脚25表面的助焊剂28蒸发，使得焊接球27融化再冷却形成半球状，如图8所示。其中，设置的温度不小于助焊剂28蒸发的温度以及锡球融化的温度。进一步的，所述焊接球27的高度不小于150μm，例如可以为180μm或者200μm等等，具体可以根据实际设定。

需要说明的是，相对于芯片封装结构采用电镀的方式，本实用新型实施例采用的助焊剂28并种植锡球的方式，可以使得焊接球27的厚度超过150μm，并且本实用新型采用的助焊剂28可以去除金属材料的第二引脚25表面的氧化层，使得焊接效果更好。

本实用新型实施例中，所述第一引脚22连接有金属柱221，所述第一引脚22通过金属柱221与金属框架24电连接固定，金属柱221下端可以通过焊锡23与金属框架24连接，其中，所述金属柱221可以为铜柱、银柱或是金柱。

如图9所示，图9为本实用新型实施例中金属框架的制作原理示意图，如图9中(a)图所示，所述金属框架24由金属板51制作，如图9中(b)图所示，所述金属板51具有刻蚀镂空区52，以形成多个所述接触区，所述金属板51具有刻蚀凹槽53，以形成多个所述第二引脚25，所述第二引脚25与金属框架24为一体成型结构，具有更好的可靠性。基于所述凹槽53形成所述镂空区52，降低所述镂空区52制作工艺难度。所述接触区与所述第一引脚22焊接固定，一个所述接触区至少用于焊接固定一个所述第一引脚22，也就是说，一个接触区可以对应连接多个第一引脚22，或者是一个接触区对应连接一个第一引脚22，可以基于待封装芯片21的电互联功能设计，对此不做具体限定。

其中，所述金属框架24的制作方法可以直接在金属板51上，先采用黄光制程将需要的部分用光阻剂保护起来，再将不需要的部分用化学药水腐蚀的方式形成上述凹槽53以及刻蚀镂空区52，从而形成需要图形结构的金属框架24，相对于现有的金属框架制作方法，加工工序减少，加工周期减短，且成本降低。

本实用新型实施例中，所述第一引脚22与所述接触区通过焊锡23焊接固定，由于在第一表面设置多个点阵排布的第一引脚22，可以无需设置散热片，金属材质的第一引脚22和焊锡23是良好的导热导体，待封装芯片21的热量可以直接通过第一引脚22传导至金属框架24，进而通过第二引脚25散发到封装结构的外部。

如图10和图11所示，图10为本实用新型实施例提供的一种芯片第一表面的俯视图，图11为本实用新型实施例提供的一种芯片封装结构的侧面俯视图。如图10所示，所述待封装芯片21的第一表面具有m×n个所述第一引脚22。相对于芯片封装结构的第一引脚22的数量增多，有利于增强待封装芯片21的过电流能力和散热能力。

图10中以4×4个第一引脚22为例进行说明。待封装芯片21的第一表面具有中心区域211以及包围所述中心区域211的外围区域212，所述第一引脚均22位于所述中心区域211内，所述外围区域212的宽度l不小于25μm。这样，相对于现有在芯片四周边缘区域设置引脚的方式，本实用新型技术方案可以通过第一表面中心区域的多个第一引脚22提高散热性能。

其中，所述中心区域211可以为矩形，所述矩形区域的边与所述待封装芯片21对应边的距离不小于25μm。需要说明的是，所述中心区域211的形状不局限于矩形，也可以为圆形或是其他形状。

本实用新型实施例中，所述第一引脚22的间距可以为0.3mm-0.5mm，如可以为0.4mm。相对于的芯片封装结构，本实用新型实施例在相同尺寸的待封装芯片21上，并且在第一引脚22间距固定的情况下，本实用新型采用的半球类矩阵式引脚的设计方式可以设置更多的引脚数量，引脚数量增加，有利于增强待封装芯片21的过电流能力和散热能力。

进一步的，所述第二引脚25可以点阵排布，所述第二引脚25的端面覆盖有焊接球27，所述焊接球27可以是锡球，且可以是半球状结构。

其中，焊接球27的形成方法可以采用印刷助焊剂28并种植锡球的方式，在第二引脚25的端面形成助焊剂28，并在助焊剂28表面焊接球27，采用高温回流的方式使第二引脚25表面的助焊剂28蒸发，使得焊接球27融化再冷却形成半球状，如图11所示，图11为芯片封装结束后的侧面俯视图。

由此可知，本实用新型技术方案提供的芯片封装结构中，采用了半球形矩阵封装方式，相对于的芯片封装结构本实用新型可以设置更多的引脚数量，而且可以通过第一引脚使得芯片热量通过金属框架的第二引脚散发到芯片封装结构的外部，引脚数量增加的同时，金属框架加工工序减少，成本降低，另外，在smt制程，本实用新型的半球类矩阵式引脚的封装芯片，可以与bga、wlcsp等矩阵式的输入或输出引脚设计的芯片兼容smt贴片使用，从而实现低封装成本、高可靠性。

基于上述实施例，本实用新型另一个实施例还提供了一种芯片，如图12所示，图12为本实用新型实施例提供的一种芯片流程图。

如图12所示，芯片包括：

步骤s11：提供一待封装芯片，所述待封装芯片具有相反的第一表面以及第二表面；所述待封装芯片的第一表面具有多个点阵排布的第一引脚。

步骤s12：将所述待封装芯片与金属框架电连接固定，所述金属框架具有相反的第一表面以及第二表面；所述金属框架的第一表面具有多个与所述第一引脚电接触的接触区；所述金属框架的第二表面具有多个第二引脚，所述第二引脚用于连接外部电路。

本实用新型实施例中，待封装芯片的热量可以直接通过第一引脚传导至金属框架，进而通过第二引脚散发到芯片封装结构的外部。

步骤s13：通过塑封层对所述待封装芯片以及所述金属框架进行封装保护，所述塑封层包围所述待封装芯片以及所述金属框架，且露出所述第二引脚的端面。

步骤s14：通过回流焊工艺在所述端面形成焊接球，所述焊接球为部分球体。

由此可知，本实用新型技术方案提供的芯片封装方法中，在待封装芯片的第一表面设置多个点阵排布的第一引脚，相对于的芯片封装结构中在芯片表面周缘设置引脚的方式，本实用新型实施例可以在相同尺寸的芯片上设置更多的引脚数量，提高了芯片的过电流能力，而且可以通过第一引脚使得芯片热量通过金属框架的第二引脚散发到芯片封装结构的外部，从而提高了芯片的散热能力。

进一步的，相对于的芯片封装结构，本实用新型采用的矩阵式引脚封装设置方式，引脚数量增加的同时，金属框架加工工序减少，成本降低。所述金属框架的制作方法可如图13所示，图13为本实用新型实施例提供的一种金属框架的制作方法流程图。

如图13所示，金属框架的制作方法包括：

步骤s21：提供一金属板。

步骤s22：对所述金属板进行刻蚀，形成刻蚀镂空区域以及刻蚀凹槽，所述刻蚀镂空区域用于形成多个所述接触区，所述刻蚀凹槽用于形成多个所述第二引脚。

在步骤s22中，对所述金属板进行刻蚀的方法包括：首先，对所述金属板进行第一刻蚀处理，在所述金属板表面形成凹槽，以形成所述第二引脚；然后，基于所述凹槽对所述金属板进行第二次刻蚀处理，形成贯穿所述金属板的镂空区，以形成所述接触区。基于第一次刻蚀处理，进行第二次刻蚀处理，便于形成镂空区，降低工艺难度。

本实用新型实施例中，金属框架的制作方法是直接在金属板上，先采用黄光制程将需要的部分用光阻剂保护起来，再将不需要的部分用化学药水腐蚀的方式形成上述凹槽以及刻蚀镂空区，从而形成需要图形结构的金属框架，相对于现有框架的制作方法，加工工序减少，加工周期减短，且成本降低。

同时，由于本实用新型实施例采用的金属框架的制作方法是在金属板上采用化学药水腐蚀的方式加工出的框架，相对于bga使用的pcb基板，不易受潮且其吸湿能力要高，同时成本相对低廉，可靠性高；相对于wlcsp类晶圆级封装，由于本实用新型实施例采用的封装有塑封层包裹，抗应力能力相对较强，同时此类封装成本相对低廉，可靠性高。

进一步的，如图14所示，所述焊接球的形成方法包括：

步骤s31：在所述第二引脚的端面印刷助焊剂。

步骤s32：在所述助焊剂表面放置锡球。

步骤s33：通过回流焊，使得所述锡球熔融后与所述第二引脚的下端面固定为一体。

本实用新型实施例中，采用了印刷助焊剂并种植锡球的方式，在第二引脚表面印刷助焊剂并锡球，使第二引脚锡量增加，同时采用回流焊的方式使第二引脚表面的锡球融化再冷却形成半球状。相对于芯片封装结构采用电镀的方式，本实用新型实施例可以使得焊接球的厚度增加，并且本实用新型采用的助焊剂可以去除金属材料的第二引脚表面的氧化层，使得焊接效果更好，可靠性高。

基于上述实施例，本实用新型另一实施例还提供了一种电子设备，如图15所示，图15为本实用新型实施例提供的一种电子设备的结构示意图，包括：

电路主板61，所述电路主板61具有焊接端子63；

所述电路主板61固定有上述实施例所述的芯片封装结构62；所述封装结构62中，第二引脚的端面具有焊接球27；

所述焊接端子63表面具有锡膏层64，所述焊接球27与所述焊接端子63通过所述锡膏层64焊接固定。

本实施例所述电子设备可以为手机、平板电脑或是其他电子设备，采用上述实施例所述封装结构，可以使得封装结构中芯片的热量通过芯片的第一引脚、金属框架的第二引脚快速的传递至电路主板61，进而通过电路主板61将热量散发到设备外部，具有较高的散热效率。

而且为了便于芯片封装结构散热，在芯片封装结构62和电路主板61之间还具有散热胶65。

如上述，由于本实用新型实施例中，所述芯片封装结构62具有焊接球27，在通过锡膏层64焊接固定芯片封装结构62和电路主板61时，便于气体逸出，提高可靠性。

本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的芯片和电子设备而言，由于其与实施例公开的芯片封装结构相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见芯片封装结构部分说明即可。

需要说明的是，在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。