快速恢复功率轴向半导体器件的制作方法

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种快速恢复功率轴向半导体器件。

背景技术：

电力电子器件是一种能够实现电能高效率应用和精确控制的电力半导体器件，是电力电子技术的基础。日益严重的能源和环境问题使得人们对电能的变换效率、品质愈来愈关注，也引导了功率器件沿着高效率、高频率、高耐压、高功率、集成化、智能化等方向迅速发展。

在许多工作条件下，这些器件需要一个与之反并联的二极管以提供续流通道，减少电容的充放电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种快速恢复功率轴向半导体器件，该快速恢复功率轴向半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种快速恢复功率轴向半导体器件，包括：二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内，此第一金属引线和第二金属引线各自引脚端分别从环氧封装体两侧延伸出，所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端与二极管芯片均通过焊片层连接；

所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱，所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1.上述方案中，所述焊片层为锡层或银层。

2.上述方案中，所述金属引线的端面板的面积大于二极管芯片的面积。

3.上述方案中，所述第一金属引线和第二金属引线均为铜引线。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型快速恢复功率轴向半导体器件，其第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱，所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间，有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。

附图说明

附图1为本实用新型快速恢复功率轴向半导体器件结构示意图。

以上附图中：1、二极管芯片；2、第一金属引线；3、第二金属引线；4、焊接端；5、引脚端；6、环氧封装体；7、焊片层；8、端面板；9、凸柱。

具体实施方式

实施例1：一种快速恢复功率轴向半导体器件，包括：二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3，所述二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4位于环氧封装体6内，此第一金属引线2和第二金属引线3各自引脚端5分别从环氧封装体6两侧延伸出，所述第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4与二极管芯片1均通过焊片层7连接；

所述第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4进一步包括端面板8和位于端面板8表面间隔分布的若干个凸柱9，所述焊片层7位于金属引线的端面板8、凸柱9与二极管芯片1之间。

上述焊片层7为锡层。

上述第一金属引线2和第二金属引线3均为铜引线。

实施例2：一种快速恢复功率轴向半导体器件，包括：二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3，所述二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4位于环氧封装体6内，此第一金属引线2和第二金属引线3各自引脚端5分别从环氧封装体6两侧延伸出，所述第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4与二极管芯片1均通过焊片层7连接；

所述第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4进一步包括端面板8和位于端面板8表面间隔分布的若干个凸柱9，所述焊片层7位于金属引线的端面板8、凸柱9与二极管芯片1之间。

上述焊片层7为银层。

上述金属引线的端面板8的面积大于二极管芯片1的面积。

上述第一金属引线2和第二金属引线3均为铜引线。

采用上述快速恢复功率轴向半导体器件时，其第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱，所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间，有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.一种快速恢复功率轴向半导体器件，其特征在于：包括：二极管芯片（1）、第一金属引线（2）和第二金属引线（3），所述二极管芯片（1）、第一金属引线（2）和第二金属引线（3）各自的焊接端（4）位于环氧封装体（6）内，此第一金属引线（2）和第二金属引线（3）各自引脚端（5）分别从环氧封装体（6）两侧延伸出，所述第一金属引线（2）和第二金属引线（3）各自的焊接端（4）与二极管芯片（1）均通过焊片层（7）连接；

所述第一金属引线（2）和第二金属引线（3）各自的焊接端（4）进一步包括端面板（8）和位于端面板（8）表面间隔分布的若干个凸柱（9），所述焊片层（7）位于金属引线的端面板（8）、凸柱（9）与二极管芯片（1）之间。

2.根据权利要求1所述的快速恢复功率轴向半导体器件，其特征在于：所述焊片层（7）为锡层或银层。

3.根据权利要求1所述的快速恢复功率轴向半导体器件，其特征在于：所述金属引线的端面板（8）的面积大于二极管芯片（1）的面积。

4.根据权利要求1所述的快速恢复功率轴向半导体器件，其特征在于：所述第一金属引线（2）和第二金属引线（3）均为铜引线。

技术总结
本实用新型公开一种快速恢复功率轴向半导体器件，包括：二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内，此第一金属引线和第二金属引线各自引脚端分别从环氧封装体两侧延伸出，所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端与二极管芯片均通过焊片层连接；所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱，所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间。本实用新型快速恢复功率轴向半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。

技术研发人员：张开航;马云洋
受保护的技术使用者：苏州秦绿电子科技有限公司
技术研发日：2020.06.28
技术公布日：2020.12.11