一种二极管封装框架的制作方法

[0001]
本实用新型涉及一种二极管封装框架，属于电子元件封装技术领域。


背景技术：

[0002]
随着科学技术的发展和电子线路的设计需求，在各种设备、仪器的电子线路中都要使用esd来进行保护，避免设备、仪器受到静电损伤；
[0003]
以往的硅esd保护二极管为单通道设计，不能满足电路小型化、集成化的发展方向，需要开发多通道的硅esd保护二极管，多通道的硅esd保护二极管如图2所示，如果采用以往的单通道硅esd保护二极管封装框架对现有的多通道的硅esd保护二极管进行封装，存在的问题为：以前的封装框架只有一个放置芯片的搭载段，当将所有芯片放置在一个搭载段上，由于放置芯片的搭载段是一个金属导电整体，放置芯片完成后芯片背部全部导通，每个芯片之间都会相互影响，不能达到产品设计时的功能要求。


技术实现要素：

[0004]
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种二极管封装框架。
[0005]
本实用新型通过以下技术方案得以实现。
[0006]
本实用新型提供的一种二极管封装框架，包括：底板，底板上设有多个封装单元，封装单元包括芯片搭载段、引脚段，八个芯片搭载段以均匀间隔的四个为一组，两组对向设置；引脚段两端分别与芯片搭载段和底板凹槽内侧面固定连接。
[0007]
所述芯片搭载段侧面与底板凹槽内侧面有间距。
[0008]
所述芯片搭载段与引脚段为一体，提高导电性能。
[0009]
所述引脚段连接芯片搭载段的中部。
[0010]
所述引脚段宽度小于芯片搭载段的宽度。
[0011]
所述两引脚段之间经连接段固定连接，提高引脚段的强度。
[0012]
所述两引脚段与连接段固定为一体。
[0013]
所述封装单元与底板纵向之间设有通槽a。
[0014]
所述封装单元彼此纵向之间设有通槽b。
[0015]
所述封装单元彼此横向之间设有通槽c。
[0016]
本实用新型的有益效果在于：对八个引脚段与连接段连接处将一个封装单元精剪下，由于八个芯片搭载段不是一个整体而是彼此间隔的，形成四条独立的线路，保护四条独立线路不受静电破坏的危险，解决了金属导电整体会将八个芯片的背部全部导通，导致在封装后的产品性能不能达到产品设计时的功能要求的问题，使得生产的产品能满足合格要求。
附图说明
[0017]
图1是本实用新型的结构示意图；
[0018]
图2是硅esd保护二极管封装图；
[0019]
图中：1-底板；2-封装单元；21-芯片搭载段；22-引脚段；23-连接段；3-通槽a；4-通槽b；5-通槽c。
具体实施方式
[0020]
下面进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
[0021]
参见图1至图2所示。
[0022]
本实用新型的一种二极管封装框架，包括：底板1，底板1上设有多个封装单元2，封装单元2包括芯片搭载段21、引脚段22，八个芯片搭载段21以均匀间隔的四个为一组，两组对向设置；引脚段22两端分别与芯片搭载段21和底板1凹槽内侧面固定连接。
[0023]
所述芯片搭载段21侧面与底板1凹槽内侧面有间距。
[0024]
所述芯片搭载段21与引脚段22为一体，提高导电性能。
[0025]
所述引脚段22连接芯片搭载段21的中部。
[0026]
所述引脚段22宽度小于芯片搭载段21的宽度。
[0027]
所述两引脚段22之间经连接段23固定连接，提高引脚段22的强度。
[0028]
所述两引脚段22与连接段23固定为一体。
[0029]
所述封装单元2与底板1纵向之间设有通槽a3。
[0030]
所述封装单元2彼此纵向之间设有通槽b4。
[0031]
所述封装单元2彼此横向之间设有通槽c5。
[0032]
工作原理：以八个p、n结芯片为一单元，八个p、n结芯片分别放置在一个封装单元2的八个芯片搭载段21上，使用引线对p、n结进行导电焊接，而后进行塑装，塑装后以通槽a3、通槽b4、通槽c5以及芯片搭载段21侧面与底板1凹槽内侧面有间距将一个封装单元2初剪下，再从八个引脚段22与连接段23连接处将一个封装单元2精剪下，由于八个芯片搭载段21不是一个整体而是彼此间隔的，形成四条独立的线路，保护四条独立线路不受静电破坏的危险，解决了金属导电整体会将八个芯片的背部全部导通，导致在封装后的产品性能不能达到产品设计时的功能要求的问题，使得生产的产品能满足合格要求。