一种并联MOSFET功率板的散热结构的制作方法

本实用新型涉及mosfet功率板技术领域，尤其涉及一种并联mosfet功率板的散热结构。

背景技术：

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,mosfet)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effecttransistor)。

功率mosfet主要用于计算机外设(例如：驱动器、打印机、绘图机)、电源、电机控制器、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。

根据上述，目前现有技术的并联mosfet功率板，因容易发热，虽然设计有相应的散热结构，但现有散热结构普遍为被动式的散热孔或导温板等，不具备主动式的吸热降温功能，继而导致散热效果差，给后续使用带来极大安全隐患的问题。故而鉴于以上缺陷，实有必要设计一种并联mosfet功率板的散热结构。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于：提供一种并联mosfet功率板的散热结构，来解决背景技术提出的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种并联mosfet功率板的散热结构，包括功率板组件和散热组件，所述的功率板组件由功率板本体、隔温板、避让孔和导温螺栓组成，所述的散热组件由导联块、传导片和半导体制冷片组成，所述的散热组件固设于功率板组件左侧，所述的散热组件与功率板组件采用螺栓连接，所述的隔温板固设于功率板本体左侧，所述的隔温板与功率板本体采用热熔连接，所述的避让孔位于功率板本体和隔温板内部，所述的避让孔为矩形通孔，所述的导温螺栓数量为若干件，所述的导温螺栓均匀固设于功率板本体内部前后两端，所述的导温螺栓与功率板本体采用内外螺纹连接，所述的导联块位于隔温板左侧，所述的导联块与隔温板采用活动连接，所述的传导片固设于导联块右侧前后两端，所述的传导片与导联块一体成型，所述的半导体制冷片固设于导联块内部左侧，所述的半导体制冷片与导联块采用热熔连接。

进一步，所述的功率板本体内部还设有安装孔，所述的安装孔为圆形通孔，所述的功率板本体内部还设有流通腔，所述的流通腔为空心腔体。

进一步，所述的隔温板内部左侧前后两端还设有螺纹槽，所述的螺纹槽为螺纹凹槽，所述的隔温板上下两端还固设有限位板，所述的限位板与隔温板一体成型。

进一步，所述的导联块内部前后两端还贯穿有紧固螺栓，所述的紧固螺栓与导联块采用活动连接，且所述的紧固螺栓与螺纹槽采用内外螺纹连接。

进一步，所述的半导体制冷片右侧为吸热端，所述的吸热端与半导体制冷片一体成型，所述的半导体制冷片左侧为放热端，所述的放热端与半导体制冷片一体成型。

与现有技术相比，该一种并联mosfet功率板的散热结构具有以下优点：

1、首先通过半导体制冷片设计，能够实现对mosfet功率板内部的吸热降温，提高了散热性，极大避免了传统结构的mosfet功率板在长期运行后容易产生的过热问题。

2、其次由导温螺栓、导联块和传导片结构相互配合的作用，不仅能够直接对mosfet功率板前后两端进行吸热，进一步增强了散热功能，此外也能对导温螺栓进行限位，使其达到很好的安装牢固性目的，最终确保了并联mosfet功率板的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种并联mosfet功率板的散热结构的主视图；

图2是一种并联mosfet功率板的散热结构的俯视图；

图3是一种并联mosfet功率板的散热结构的a向剖视图；

图4是一种并联mosfet功率板的散热结构的立体图1；

图5是一种并联mosfet功率板的散热结构的立体图2；

图6是一种并联mosfet功率板的散热结构的分离状态立体图1；

图7是一种并联mosfet功率板的散热结构的分离状态立体图2。

功率板组件1、散热组件2、功率板本体3、隔温板4、避让孔5、导温螺栓6、导联块7、传导片8、半导体制冷片9、安装孔301、流通腔302、螺纹槽401、限位板402、紧固螺栓701、吸热端901、放热端902。

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明。

具体实施方式

在下文中，阐述了多种特定细节，以便提供对构成所描述实施例基础的概念的透彻理解，然而，对本领域的技术人员来说，很显然所描述的实施例可以在没有这些特定细节中的一些或者全部的情况下来实践，在其他情况下，没有具体描述众所周知的处理步骤。

在实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对实用新型的限制。

如图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7所示，一种并联mosfet功率板的散热结构，包括功率板组件1、散热组件2、功率板本体3、隔温板4、避让孔5、导温螺栓6、导联块7、传导片8、半导体制冷片9，所述的散热组件2固设于功率板组件1左侧，所述的散热组件2与功率板组件1采用螺栓连接，所述的隔温板4固设于功率板本体3左侧，所述的隔温板4与功率板本体3采用热熔连接，所述的避让孔5位于功率板本体3和隔温板4内部，所述的避让孔5为矩形通孔，所述的导温螺栓6数量为若干件，所述的导温螺栓6均匀固设于功率板本体3内部前后两端，所述的导温螺栓6与功率板本体3采用内外螺纹连接，所述的导联块7位于隔温板4左侧，所述的导联块7与隔温板4采用活动连接，所述的传导片8固设于导联块7右侧前后两端，所述的传导片8与导联块7一体成型，所述的半导体制冷片9固设于导联块7内部左侧，所述的半导体制冷片9与导联块7采用热熔连接；

需要说明的是该一种并联mosfet功率板的散热结构具备以下功能；

a、隔温板4内部的避让孔5能够便于半导体制冷片9右侧放置，对其内部的流通腔302进行吸热，即实现了一层的散热目的；

b、导温螺栓6不仅能够对功率板组件1内部的mosfet功率板(未标注)进行固定，同时外侧为传导片8，当半导体制冷片9开启后，继而能够通过导联块7来对传导片8以及导温螺栓6进行吸热，当导温螺栓6降温时，亦可对接触的mosfet功率板(未标注)前后进行散热降温，与此同时，传导片8也对导温螺栓6外侧进行限位，提高了导温螺栓6与功率板本体3螺纹连接的牢固性；

c、功率板组件1和散热组件2为组合拼接结构，因此方便生产安装，也便于后续维修回收处理；

所述的功率板本体3内部还设有安装孔301，所述的安装孔301为圆形通孔，所述的功率板本体3内部还设有流通腔302，所述的流通腔302为空心腔体；

需要说明的是安装孔301能够方便现有的螺栓(未标注)插入后来实现该mosfet功率板(未标注)与现有设备载体的安装连接(未标注)，流通腔302便于空气流通，提高散热性；

所述的隔温板4内部左侧前后两端还设有螺纹槽401，所述的螺纹槽401为螺纹凹槽，所述的隔温板4上下两端还固设有限位板402，所述的限位板402与隔温板4一体成型；

需要说明的螺纹槽401能够便于紧固螺栓701旋转插入，实现了散热组件2和功率板组件1的组合固定，限位板402能够实现上下导向和限位，方便导联块7插入至隔温板4左侧，提高操作便捷性；

所述的导联块7内部前后两端还贯穿有紧固螺栓701，所述的紧固螺栓701与导联块7采用活动连接，且所述的紧固螺栓701与螺纹槽401采用内外螺纹连接；

需要说明的是紧固螺栓701贯穿在导联块7内部前后两端，并与螺纹槽401采用内外螺纹连接，因此可实现导联块7与隔温板4的连接固定；

所述的半导体制冷片9右侧为吸热端901，所述的吸热端901与半导体制冷片9一体成型，所述的半导体制冷片9左侧为放热端902，所述的放热端902与半导体制冷片9一体成型；

需要说明的是半导体制冷片9右侧为吸热端901，当半导体制冷片9开启后，右侧产生吸热，即便于周围环境温度下降，实现了降温目的，而半导体制冷片9左侧为放热端902，能够便于热量从左侧排出，有效的避免热量近距离的接触到功率板组件1，最终实现了主动的散热作用。