1.一种半导体零部件，其特征在于，包括：
零部件本体；
结合层，位于所述零部件本体的表面；
耐腐蚀涂层，位于所述结合层的表面，所述耐腐蚀涂层的材料包括硅铝氧氮化合物。
2.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，还包括：过渡层，位于所述结合层与耐腐蚀涂层之间。
3.如权利要求2所述的半导体零部件，其特征在于，所述过渡层的材料为结合层材料与耐腐蚀涂层材料的混合物；自所述结合层的表面沿过渡层的厚度方向，所述过渡层中的结合层的材料依次减少所述耐腐蚀涂层的材料依次增加。
4.如权利要求3所述的半导体零部件，其特征在于，自所述结合层的表面沿过渡层的厚度方向，所述过渡层中耐腐蚀涂层的材料按5wt％～99wt％均匀分布。
5.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层为结晶结构。
6.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的材料为α-sialon或者β-sialon。
7.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层以固溶体形态存在。
8.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的厚度为20微米～40微米。
9.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
反应腔，其内为等离子体环境；
如权利要求1至权利要求8任一项所述的半导体零部件，所述耐腐蚀涂层暴露于所述等离子体环境中。
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置为等离子体刻蚀装置或者等离子体清洗装置。
11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，当等离子体处理装置为电感耦合等离子体处理装置时，所述零部件包括：陶瓷板、内衬套、气体喷嘴、气体分配板、气管法兰、静电吸盘组件、覆盖环、聚焦环、绝缘环和等离子体约束装置中的至少一种。
12.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，当等离子体处理装置为电容耦合等离子体处理装置时，所述零部件包括：喷淋头、上接地环、移动环、气体分配板、气体缓冲板、静电吸盘组件、下接地环、覆盖环、聚焦环、绝缘环、等离子体约束装置中的至少一种。