一种改良型MOS管结构的制作方法

本实用新型涉及mos管技术领域，尤其涉及一种改良型mos管结构。

背景技术：

mos管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metaloxidesemiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，mos管有时候又称为绝缘栅场效应管。为了防止mos管在应用的过程中因为被击穿而影响设备的正常使用，研发人员不断调整mos管的结构。

技术实现要素：

基于此，本实用新型的目的在于提供一种改良型mos管结构，通过调整绝缘外壳的结构，降低mos管在应用过程中被击穿的几率，从而提升mos管的使用寿命。

本实用新型提供一种改良型mos管结构，包括绝缘壳体、铝隔片、多个引脚、芯片，所述芯片安装在所述绝缘壳体内，所述铝隔片安装在所述绝缘壳体的一侧面并且与所述芯片连接，所述引脚均插入所述绝缘壳体内与所述芯片连接；所述绝缘壳体设置为中空壳体，所述绝缘壳体的内腔壁与所述芯片之间形成间隔空间，所述绝缘壳体的相对两侧均设置有插入所述绝缘壳体内并且与所述芯片接触的散热片，所述绝缘壳体与所述铝隔片相对的一侧面开设有多个与所述间隔空间连通的气孔。

作为优选方案，所述散热片设置为铝翅片。

作为优选方案，所述绝缘壳体两侧的散热片数量设置为n，所述n≥1，各所述散热片均沿所述绝缘壳体侧表面的长度方向线性阵列设置。

作为优选方案，所述绝缘壳体的内腔壁涂覆设置有防静电膜层。

作为优选方案，所述绝缘壳体的内腔壁延其长度方向设置有多根加强筋。

本实用新型的有益效果为：绝缘壳体的内腔壁与芯片之间形成间隔空间，避免热量积聚，再通过绝缘壳体的相对两侧均设置有插入绝缘壳体内并且与芯片接触的散热片，辅助进行散热，热量再通过气孔散出绝缘壳体，从而确保芯片在高效运转时不会被击穿，提升mos管的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型的剖面视图。

附图标记为：绝缘壳体11、铝隔片10、散热片12、引脚13、气孔14、间隔空间15、芯片16、加强筋17。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

请参阅图1-2所示，一种改良型mos管结构，包括绝缘壳体11、铝隔片10、多个引脚13、芯片16，本实施方式中，引脚13设置为3根。芯片16安装在绝缘壳体11内，铝隔片10安装在绝缘壳体11的一侧面并且与芯片16连接，引脚13均插入绝缘壳体11内与芯片16连接；绝缘壳体11设置为中空壳体，绝缘壳体11的内腔壁与芯片16之间形成间隔空间15，绝缘壳体11的相对两侧均设置有插入绝缘壳体11内并且与芯片16接触的散热片12，绝缘壳体11与铝隔片10相对的一侧面开设有多个与间隔空间15连通的气孔14。

作为优选的实施方式，散热片12设置为铝翅片。

作为优选的实施方式，绝缘壳体11两侧的散热片12数量设置为n，n≥1，各散热片12均沿绝缘壳体11侧表面的长度方向线性阵列设置。

作为优选的实施方式，绝缘壳体11的内腔壁涂覆设置有防静电膜层，使绝缘壳体11的内腔壁具有防静电的功能。

作为优选的实施方式，绝缘壳体11的内腔壁延其长度方向设置有多根加强筋17，避免绝缘壳体11因为设置了间隔空间15和气孔14而强度变弱，通过加强筋17加强绝缘壳体11的强度。

本实施方式中，绝缘壳体的内腔壁与芯片之间形成间隔空间，避免热量积聚，再通过设置插入绝缘壳体内并且与芯片接触的散热片，辅助进行散热，热量再通过气孔散出绝缘壳体，从而确保芯片在高效运转时不会被击穿，提升mos管的使用寿命。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：

1.一种改良型mos管结构，包括绝缘壳体(11)、铝隔片(10)、多个引脚(13)、芯片(16)，所述芯片(16)安装在所述绝缘壳体(11)内，所述铝隔片(10)安装在所述绝缘壳体(11)的一侧面并且与所述芯片(16)连接，所述引脚(13)均插入所述绝缘壳体(11)内与所述芯片(16)连接；其特征在于：所述绝缘壳体(11)设置为中空壳体，所述绝缘壳体(11)的内腔壁与所述芯片(16)之间形成间隔空间(15)，所述绝缘壳体(11)的相对两侧均设置有插入所述绝缘壳体(11)内并且与所述芯片(16)接触的散热片(12)，所述绝缘壳体(11)与所述铝隔片(10)相对的一侧面开设有多个与所述间隔空间(15)连通的气孔(14)。

2.根据权利要求1所述的一种改良型mos管结构，其特征在于：所述散热片(12)设置为铝翅片。

3.根据权利要求1所述的一种改良型mos管结构，其特征在于：所述绝缘壳体(11)两侧的散热片(12)数量设置为n，所述n≥1，各所述散热片(12)均沿所述绝缘壳体(11)侧表面的长度方向线性阵列设置。

4.根据权利要求1所述的一种改良型mos管结构，其特征在于：所述绝缘壳体(11)的内腔壁涂覆设置有防静电膜层。

5.根据权利要求1所述的一种改良型mos管结构，其特征在于：所述绝缘壳体(11)的内腔壁延其长度方向设置有多根加强筋(17)。

技术总结
本实用新型提供一种改良型MOS管结构，包括绝缘壳体、铝隔片、多个引脚、芯片，所述芯片安装在所述绝缘壳体内，所述铝隔片安装在所述绝缘壳体的一侧面并且与所述芯片连接，所述引脚均插入所述绝缘壳体内与所述芯片连接；所述绝缘壳体设置为中空壳体，所述绝缘壳体的内腔壁与所述芯片之间形成间隔空间，所述绝缘壳体的相对两侧均设置有插入所述绝缘壳体内并且与所述芯片接触的散热片，所述绝缘壳体与所述铝隔片相对的一侧面开设有多个与所述间隔空间连通的气孔。本实用新型的有益效果是：通过调整绝缘外壳的结构，降低MOS管在应用过程中被击穿的几率，从而提升MOS管的使用寿命。

技术研发人员：王建云
受保护的技术使用者：东莞市中之电子科技有限公司
技术研发日：2020.12.28
技术公布日：2021.07.27